1.一种改进的二极管结构，其特征在于，包括：
一陶瓷基板，该陶瓷基板相背离的两侧分别界定一第一表面及一第二表面；
数个交错形成于该第二表面的切割槽，以于该些切割槽间界定出数个承载部，且该些切割槽包括数个第一切割槽、至少一位于各该第一切割槽间的第二切割槽、及至少一与该些第一切割槽及该第二切割槽交错成型的第三切割槽；
数个以真空溅镀方式分别形成于相邻的二承载部间的导线层，且该些导线层延伸形成于一假想线两侧，该假想线由该第一切割槽槽底向该第一表面延伸；
数个分别凸设于该第一表面的承载部上的晶粒部；及
至少一设于该第一表面的保护层，该保护层供覆盖该些第一切割槽及该第二切割槽。
2.根据权利要求1所述的改进的二极管结构，其特征在于，还包括数个以真空溅镀方式形成于各承载部背离各导线层的第二导线层，该些第二导线层由各导线层相背离的两端面延伸形成。
3.根据权利要求1所述的改进的二极管结构，其特征在于，所述该些晶粒部是利用至少一导电膏固设于各承载部上。
4.根据权利要求1所述的改进的二极管结构，其特征在于，所述保护层上具有至少一标示部，供注记编码序号。
5.根据权利要求1所述的改进的二极管结构，其特征在于，还包括一覆盖于该第一表面及该些晶粒部上的封盖部。
6.根据权利要求5所述的改进的二极管结构，其特征在于，所述各晶粒部是以研磨方式凸设于该封盖部。
7.根据权利要求6所述的改进的二极管结构，其特征在于，所述切割槽供分离断开各承载部。
8.根据权利要求7所述的改进的二极管结构，其特征在于，所述封盖部上具有数个以真空溅镀方式形成的导电端子，分别由各晶粒部一 侧延伸形成至对应各承载部的端面处。
9.根据权利要求8所述的改进的二极管结构，其特征在于，还包括数个分别设于该导电端子一侧及各承载部背离该导电端子一侧的电镀层。
10.根据权利要求9所述的改进的二极管结构，其特征在于，所述电镀层为镍、锡或铅。