高光效发光二极管倒装芯片封装结构的制作方法

本实用新型是有关于发光二极管(LED)的结构改良，特别是针对发光二极管(LED)的封装体结构改良。

背景技术：

人们皆知，近年来，全球暖化的现象日益严重，因此，节能减碳已成为近年来世界各国所倡导的议题，因此，使得各种具有节能减碳的环保产品逐渐受到重视，而发光二极管(LED)正符合世界节能减排的大趋势。

目前传统的发光二极管(LED)有其缺点，主要是因其封装结构上的缺失所产生，以一种多芯片发光二极管(LED)为例，如图1所示，该发光二极管(LED)于封装时必须将数个颗芯片10用胶材固定在塑料制成的二极管承载体40上，也就是要先以二极管承载体40作为发光二极管(LED)的载体，而此二极管承载体40需预先做出相对应的电气设计，而各芯片10透过打线作业，让每颗芯片10之间皆有连接导线50连接并与设于底部的发光二极管封装体总电极20做电性连接，最后再于二极管承载体40上填注透光材料30而完成封装作业。

然而，传统的发光二极管(LED)在封装时须以二极管承载体40做为载体，而此载体同时也为一种散热阻碍层，不利芯片散热，另外，在打线做电性连接时，当串联芯片的数量一多，容易产生连接导线断线或虚焊不良，因此导致制程良率大幅的降低，是以，传统发光二极管(LED)封装结构不甚理想，实有改进的必要。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种高光效发光二极管倒装芯片封装结构，其封装构无二极管承载体，芯片所产生的热可直接传导至线路板上散热导出，且因无需打线制程，可提升封装产能，同时各芯片可紧密排列，提高单位面积的光密度，更进一步降低封装成本及下游表面装贴工序成本，另外，本实用新型施作的发光二极管封装件可提供高效率表面装贴(SMT)打件，实施更高产能应用为其目的。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种高光效发光二极管倒装芯片封装结构，其特点是借由封装工艺技术将两个或两个以上(数个)倒装芯片以矩阵式排列或特定排列的设计来匹配发光二极管单体应用于表面装贴时对应线路板的相对位置，再将此数个以上的倒装芯片利用透光材料(或可掺混波长转换材料)进行包覆而封装成一体，使其形成封装周围无任何附着结构，也无基板或任何衬底的发光二极管封装件。

本实用新型的有益效果是，其封装构无二极管承载体，芯片所产生的热可直接传导至线路板上散热导出，且因无需打线制程，可提升封装产能，同时各芯片可紧密排列，提高单位面积的光密度，更进一步降低封装成本及下游表面装贴工序成本，另外，本实用新型施作的发光二极管封装件可提供高效率表面装贴(SMT)打件，实施更高产能应用为其目的。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是传统的发光二极管(LED)封装结构示意图。

图2是本实用新型的发光二极管(LED)封装结构示意图。

图中标号说明：

1发光二极管封装 10芯片 20发光二极管电极 30透光材料

40二极管承载体 50连接导线 60电极

具体实施方式

请参阅图2所示，本实用新型高光效发光二极管倒装芯片封装结构，主要是针对发光二极管封装件的单体的结构改良，该发光二极管封装件的单体是由两个或两个以上的芯片(Flip Chip)10与透光材料30所构成，其特点是该两个或两个以上具有电极60的芯片10是以倒装形态直接结合于透光材料30底部，使发光二极管封装件的单体是上的芯片10的电极60外露于底部；借此结构所完成一单体封装的技术，使其形成封装周围无任何附着结构，也无基板或任何衬底的发光二极管封装件。

前述高光效发光二极管倒装芯片封装结构，该发光二极管封装件的单体主要是由两个或两个以上(数个)倒装芯片(Flip Chip)10、透光材料30(亦可掺混波长转换物质)所构成，其特点是将两个或两个以上的倒装芯片10以矩阵式排列(或特定排列)来匹配发光二极管单体应用于表面装贴对应线路板(为装贴工序，故图未视)的相对位置，再将此数个以上的倒装芯片以透光材料(或可掺混波长转换材料)进行包覆，利用透光材料直接将两个或两个以上的倒装芯片封装成一体；借此结构所完成一单体封装的技术，使其形成封装周围无任何附着结构，也无基板或任何衬底的发光二极管封装件。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。