1.一种半导体部件，其特征在于，所述半导体部件包括：
支撑部(102、202)，具有第一器件接纳结构(104、204)、第二器件接纳结构(106、206)和第一引线(108)；
第一半导体芯片(10)，具有第一表面和第二表面，其中，第一栅极接合焊盘(16)从第一表面的第一部分延伸，源极接合焊盘(18)从第一表面的第二部分延伸，并且漏极触点(20)处于第二表面上，第一半导体芯片(10)的栅极接合焊盘(16)与第一引线(108)耦合并且第一半导体芯片(10)的源极接合焊盘(18)与第一器件接纳结构(104)耦合，第一半导体芯片(10)由硅半导体材料构成并且以倒装芯片配置与支撑部耦合；和
第二半导体芯片(30)，具有第一表面和第二表面，第二半导体芯片(30)的栅极接合焊盘(36、38)从第二半导体芯片(30)的第一表面的第一部分延伸，第二半导体芯片(30)的源极接合焊盘(40)从第二半导体芯片(30)的第一表面的第二部分延伸，并且漏极接合焊盘(42)从第二半导体芯片(30)的第一表面的第三部分延伸，第二半导体芯片(30)的源极接合焊盘(40)与第一半导体芯片(10)的第二表面耦合，第二半导体芯片(30)的栅极接合焊盘(36、38)与第一器件接纳结构(106)耦合，并且第二半导体芯片(30)的漏极接合焊盘(42)与第二器件接纳结构(106)耦合，第二半导体芯片(30)由III族氮化物半导体材料构成并且以倒装芯片配置与支撑部(102)耦合。
2.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于，所述半导体部件还包括电气耦合第一半导体芯片(10)的漏极触点(20)与第二半导体芯片(30)的第二表面的第一电气互连部(144)。
3.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于，第二器件接纳结构(106)包含底座部分(134)，并且第一器件接纳结构(104)包含配合部分(132)，底座部分(136)比配合部分(132)厚。
4.一种半导体部件，其特征在于，所述半导体部件包括：
支撑部(202)，具有第一器件接纳结构(204)、第二器件接纳结构(206)和第一引线(210)，第一引线(210)从第二器件接纳结构(206)延伸；
与第一器件接纳结构(204)接合的第一半导体芯片(240)，第一半导体芯片(240)具有第一表面和第二表面，其中，阴极(248)由第一表面的第一部分形成，并且阳极(246)由第二表面的第一部分形成，第一半导体芯片(240)由硅半导体材料构成；和
第二半导体芯片(50)，具有第一表面和第二表面，第二半导体芯片(50)的栅极接合焊盘(56)从第二半导体芯片(50)的第一表面的第一部分延伸，第二半导体芯片(50)的源极接合焊盘(60)从第二半导体芯片(50)的第一表面的第二部分延伸，并且漏极接合焊盘(62)从第二半导体芯片(50)的第一表面的第三部分延伸，第二半导体芯片(50)的源极接合焊盘(60)与第一半导体芯片(240)的阴极(248)耦合，第二半导体芯片(50)的栅极接合焊盘(56)与第一器件接纳结构(204)耦合，并且第二半导体芯片(50)的漏极接合焊盘(62)与第二器件接纳结构(206)耦合，第二半导体芯片(50)由III族氮化物半导体材料构成并且以倒装芯片配置与支撑部(202)耦合。
5.根据权利要求4所述的半导体部件，其特征在于，第二器件接纳结构(206)包含与第一器件接纳结构(204)分开且电气隔离的导电材料体(220)，并且其中第一引线(210)从导电材料体(220)延伸。
6.根据权利要求5所述的半导体部件，其特征在于，第一器件接纳结构包含矩形部分(212)，所述矩形部分(212)具有从其延伸的第二引线(208)，并且其中第二引线(208)和第一半导体芯片(204)的厚度的和基本上等于导电材料体(220)的厚度。
7.根据权利要求6所述的半导体部件，其特征在于所述半导体部件还包括阳极(246)与第一器件接纳结构(204)之间的第一接合剂部分(138)、阴极(248)与源极接合焊盘(60)之间的第二接合剂部分(138)、和漏极接合焊盘(62)与导电材料体(220)之间的第三接合剂部分(138)。
8.一种半导体部件，其特征在于，所述半导体部件包括：
支撑部(302、502)，具有互连区域(509)、器件接纳区域(510)和导电基板(504)；
在器件接纳区域(510)上形成的绝缘材料部(350、550)；
在绝缘材料部(350、550)的一部分上形成的第一导电层(354、554)；
在绝缘材料部(552)的第二部分上形成的第二导电层(352、552)；
与第一导电层(554)相邻且电气绝缘的第一引线(526)；
与第二导电层(552)相邻且电气绝缘的第二引线(532)；
从导电基板(304、504)延伸的第三引线(324、524)；
第一半导体芯片(10A)，具有第一表面和第二表面，其中，第一栅极接合焊盘(16A)从第一表面的第一部分延伸，源极接合焊盘(18)从第一表面的第二部分延伸，并且漏极触点(20)处于第二表面上，第一半导体芯片(10A)的栅极接合焊盘(16A)与第一导电层(554)耦合并且第一半导体芯片(10A)的源极接合焊盘(18)与第二导电层(552)耦合，第一半导体芯片(10A)由硅半导体材料构成并且以倒装芯片配置与支撑部(502)耦合；和
第二半导体芯片(30)，具有第一表面和第二表面，第二半导体芯片(30)的栅极接合焊盘(38、36)从第二半导体芯片(30)的第一表面的第一部分延伸，第二半导体芯片(30)的源极接合焊盘(40)从第二半导体芯片(30)的第一表面的第二部分延伸，并且漏极接合焊盘(42)从第二半导体芯片(30)的第一表面的第三部分延伸，第二半导体芯片(30)的源极接合焊盘(40)与第一半导体芯片(10A)的漏极触点(20)耦合，第二半导体芯片(30)的栅极接合焊盘(38、36)与第二导电层(552)耦合，并且第二半导体芯片(30)的漏极接合焊盘(42)与导电基板(504)耦合，第二半导体芯片(30)由III族氮化物半导体材料构成并且以倒装芯片配置与支撑部(502)耦合。
9.根据权利要求8所述的半导体部件，其特征在于，导电基板(504)具有矩形形状和从导电基板(504)的一部分延伸的底座(512)；还包括：
电气耦合第一导电层(554)与第一引线(526)的第一芯片(566)；和
电气耦合第二导电层(552)与第二引线(532)的第二芯片(362、562)，其中，第二芯片(562)通过接合剂(138)与第二导电层(552)接合，并且第一半导体芯片(10A)的源极接合焊盘(18)通过另一接合剂与第二导电层接合。
10.根据权利要求8所述的半导体部件，其特征在于，导电基板(504)具有矩形形状和从导电基板(504)的一部分延伸的底座(512)；还包括：
电气耦合第一导电层(554)与第一引线(526)的第一芯片(566)；和
电气耦合第二导电层(552)与第二引线(532)的第二芯片(362、562)，其中，第二芯片(362、562)通过接合剂(138)与第二导电层(552)接合，并且，第一半导体芯片(10A)的源极接合焊盘(18)通过另一接合剂与第二芯片(562)接合。