技术总结
本公开一个方面涉及半导体部件，具体公开了一种半导体部件，包括：支撑部，具有第一和第二器件接纳结构和第一引线；第一半导体芯片，第一栅极接合焊盘和源极接合焊盘从第一表面延伸，漏极触点处于第二表面，栅极接合焊盘与第一引线耦合并且源极接合焊盘与第一器件接纳结构耦合,第一半导体芯片由硅半导体构成并与支撑部耦合；第二半导体芯片，其栅极接合焊盘，源极接合焊盘和漏极接合焊盘从第一表面延伸，第二半导体芯片的源极接合焊盘与第一半导体芯片的第二表面耦合，第二半导体芯片的栅极接合焊盘与第一器件接纳结构耦合，第二半导体芯片的漏极接合焊盘与第二器件接纳结构耦合，第二半导体芯片由III‑N半导体构成并与支撑部耦合。
技术研发人员：P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;刘春利;A·萨利赫;P·塞拉亚
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201620781502
技术研发日：2016.07.22
技术公布日：2017.02.22