一种发光二极管的外延片的制作方法

技术特征：

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括依次层叠的蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，所述高温缓冲层为N型掺杂的氮化镓层，所述成核层包括层叠的多层N型Al_xGa_1-xN层，其中，0≤X≤1，各层所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度不变，多层所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐层递增，所述高温缓冲层的掺杂浓度大于或等于掺杂浓度最高的所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度，且所述高温缓冲层的掺杂浓度小于或等于所述N型层的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述成核层还包括多层N型GaN层，所述N型GaN层与所述N型Al_xGa_1-xN层交替层叠。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述N型GaN层与所述N型Al_xGa_1-xN层交替层叠的周期为3～10。

4.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述高温缓冲层包括交替层叠的多层N型Al_YGa_1-YN层和多层N型GaN层，其中，X＜Y≤1。

5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述N型Al_YGa_1-YN层和所述N型GaN层交替层叠的周期为3～10。

6.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，所述成核层的厚度大于或等于200nm。

7.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，所述低温缓冲层的厚度为15～30nm。

8.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，所述高温缓冲层的厚度为50～500nm。