技术总结
本实用新型公开了一种发光二极管的外延片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，高温缓冲层为N型掺杂的氮化镓层，成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，通过将成核层设计为多层掺杂浓度逐层递增的N型AlxGa1‑xN层，高温缓冲层设计为掺杂浓度在成核层和N型层之间，有利于底层电流扩展，降低芯片正向电压，从而降低芯片的能耗。而且AlxGa1‑xN层可以有效缓解GaN和蓝宝石衬底之间的晶格失配，加上高温缓冲层的掺杂浓度在成核层和N型层之间，进一步提高成核层、高温缓冲层、N型层之间的晶格匹配度，改善外延片的翘曲度。
技术研发人员：代露;万林;胡加辉
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201620819625
技术研发日：2016.07.29
技术公布日：2017.01.25