TO封装的窄线宽半导体激光器的制作方法

文档序号:12566928阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种TO封装的窄线宽半导体激光器,其特征在于包括TO底座(1)、TO管壳(2)、引脚(3)、半导体制冷器(4)、热沉(5)、半导体激光器(6)、热敏电阻(7)、光电探测器(8)以及沿半导体激光器出光方向安装的光束整形系统(9)和布拉格光栅(10)。

2.根据权利要求1所述的TO封装的窄线宽半导体激光器, 其TO管壳(2)为圆形,引脚(3)安装在TO底座(1)上,激光器整体外观为TO型。

3.根据权利要求1所述的TO封装的窄线宽半导体激光器,其半导体激光器(6)包括但不限于半导体激光器芯片,C-Mount型封装或者TO型封装。

4.根据权利要求1所述的TO封装的窄线宽半导体激光器,其半导体制冷器(4)冷端与热沉(5)接触,且热沉(5)表面装有热敏电阻(7),热敏电阻(7)与半导体制冷器(4)一起组成温度稳定系统。

5.根据权利要求1所述的TO封装的窄线宽半导体激光器,其布拉格光栅(10)为体布拉格光栅或者光纤布拉格光栅,位置可以放在光束整形系统(9)之前或者之后。

6.根据权利要求1所述的TO封装的窄线宽半导体激光器,其光学整形系统(9)可以由多块透镜组成,分别对快慢轴方向进行整形;或者只有一块透镜,同时对快慢轴方向进行整形。

7.根据权利要求1所述的TO封装的窄线宽半导体激光器,其半导体激光器(6)前腔面、光学整形系统(9)和布拉格光栅(10)表面应镀有增透膜,反射率在50%以下。

8.根据权利要求1所述的TO封装的窄线宽半导体激光器,其半导体激光器(6)出射的激光应垂直或以小于90°的角度斜入射到布拉格光栅(10)内。

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