1.一种高压LDMOS器件，其特征在于，所述高压LDMOS器件包括：
第一掺杂类型的衬底；
第二掺杂类型的漂移区，位于所述第一掺杂类型的衬底内；
漏极，位于所述第二掺杂类型的漂移区内；
源极，位于所述第一掺杂类型的衬底内；
多晶硅栅极，位于所述漏极与所述源极之间的所述第一掺杂类型的衬底表面；
第一掺杂类型的埋层，位于所述源极与所述漏极之间的所述第二掺杂类型的漂移区内；所述第一掺杂类型的埋层沿自所述源极至所述漏极的方向分割为相隔一定间距的两段或多段子埋层，各段所述子埋层的掺杂浓度不完全相同。
2.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件，其特征在于：所述高压LDMOS器件包括多层所述第一掺杂类型的埋层，多层所述第一掺杂类型的埋层沿所述第二掺杂类型的漂移区的深度方向平行间隔排布。
3.根据权利要求2所述的高压LDMOS器件，其特征在于：相邻各层所述第一掺杂类型的埋层之间的间距相等。
4.根据权利要求2所述的高压LDMOS器件，其特征在于：相邻各层所述第一掺杂类型的埋层之间的间距不等。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的高压LDMOS器件，其特征在于：自所述源极至所述漏极，各层所述第一掺杂类型的埋层中各段子埋层的宽度逐渐减小。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的高压LDMOS器件，其特征在于：各层所述第一掺杂类型的埋层中，相邻各段子埋层之间的间距相等。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的高压LDMOS器件，其特征在于：各层所述第一掺杂类型的埋层中，相邻各段子埋层之间的间距不等。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的高压LDMOS器件，其特征在于：各层所述第一掺杂类型的埋层中，相邻各段子埋层之间的间距小于或等于3μm。
9.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件，其特征在于：所述高压LDMOS器件还包括：
场氧化层，位于所述第一掺杂类型的衬底与所述多晶硅栅极之间，且位于所述漏极与所述源极之间的所述第一掺杂类型的衬底表面；
第一掺杂类型的体区，位于所述第一掺杂类型的衬底内，且位于所述第二掺杂类型的漂移区远离所述漏极的一侧；所述源极位于所述第一掺杂类型的体区内；
第一掺杂类型的重掺杂区，位于所述第一掺杂类型的体区内，且与所述源极相邻接。
10.根据权利要求9所述的高压LDMOS器件，其特征在于：所述高压LDMOS器件还包括；
介质层，位于所述场氧化层及所述多晶硅栅极表面，所述介质层对应于所述漏极、所述源极及所述第一掺杂类型的重掺杂区的位置形成有开口，所述开口暴露出所述漏极、所述源极及所述第一掺杂类型的重掺杂区；
漏极电极，位于所述开口内及所述介质层表面，且与所述漏极相接触；
源极电极，位于所述开口内及所述介质层表面，且与所述源极及所述第一掺杂类型的重掺杂区相接触。