技术总结
本实用新型提供一种高压LDMOS器件，包括：第一掺杂类型的衬底；第二掺杂类型的漂移区，位于所述第一掺杂类型的衬底内；漏极，位于所述第二掺杂类型的漂移区内；源极，位于所述第一掺杂类型的衬底内；多晶硅栅极，位于所述漏极与所述源极之间的所述第一掺杂类型的衬底表面；第一掺杂类型的埋层，位于所述源极与所述漏极之间的所述第二掺杂类型的漂移区内；所述第一掺杂类型的埋层沿自所述源极至所述漏极的方向分割为相隔一定间距的两段或多段。与传统的高压LDMOS器件相比，本实用新型的高压LDMOS器件在获得相同耐压的前提下，拥有更短的漂移区长度及更高的漂移区浓度，从而具有更低的导通电阻。
技术研发人员：毛焜
受保护的技术使用者：上海晶丰明源半导体股份有限公司
文档号码：201621154133
技术研发日：2016.10.31
技术公布日：2017.05.17