本实用新型涉及纳米银在微电子技术领域的应用，尤其涉及一种层叠纳米银线导电膜。
背景技术：
作为微电子技术领域中的一个重要分支，触摸显示屏在人们生活中的地位日益增高。日常生活中，各式各样的电子产品已成为人们生活不可分割的一部分，例如手机、平板电脑等，而这些电子产品很多都依靠触摸显示屏来实现其功能操作，因此，触摸显示屏已成为很多电子产品乃至人的生活中的重要一环。显示屏中，导电膜的性能指标直接关系到产品性能的好坏，传统的导电膜材料为氧化铟锡(ITO)，ITO导电膜存在如下缺点：主要成分铟，价格昂贵；沉积工艺必须在真空环境下，而且需要昂贵的真空沉积设备，并且维护成本高；沉积过程中只有不到30％的ITO靶材被溅射到基板上，剩余的都被溅射到室壁上，造成原料的极大浪费；电阻率较高；缺乏柔韧性，不易弯曲，不适合应用于柔性触摸屏。
纳米银导电膜是一种新兴的、有望取代ITO导电膜的产品，纳米银导电膜由于具备良好的导电性能和透光性能，特别适用于触摸屏的制作。与传统ITO导电膜相比，纳米银导电膜具有如下优点：生产效率高，价格相对较低；面阻值低，可做到50欧姆以下，特别在大尺寸触摸屏制作上有很大优势，为实现超大尺寸触摸屏和大尺寸单边走线提供了可能性；耐曲挠性好，为实现柔性、可弯折触摸屏提供了可能；可采用涂布工艺，成本低。
纳米银导电膜触摸屏的制作工艺包括黄光工艺，黄光工艺要求纳米银导电膜具备良好的导电性和附着性。因此，开发一种导电性及附着性良好的纳米银导电膜是满足工业化生产的必要条件。
技术实现要素：
本实用新型旨在解决传统ITO导电膜技术的不足，满足纳米银导电膜的应用需求，而提供一种层叠纳米银线导电膜。
本实用新型为实现上述目的，采用以下技术方案：一种层叠纳米银线导电膜，包括由下至上依次设置的基材、导电胶层、纳米银线导电层和光学膜，所述基材为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)片基，所述导电胶层为纳米银导电胶，所述纳米银线导电层中纳米银线长度为50～100nm且纳米银线呈交叉网状分布。
所述光学膜折射率为1.2～1.5，厚度为3～5μm。
所述纳米银线导电层厚度为100～200nm。
所述基材厚度为100μm。
本实用新型的有益效果是：本实用新型纳米银线导电层中纳米银线长度为50～100nm且纳米银线呈交叉网状分布，导电性良好，面阻率低，纳米银导电胶不仅增强了导电性，而且使导电层附着性大大提高，光学膜能有效降低雾度，能够满足在纳米银导电膜触摸屏的应用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图中：1-基材；2-导电胶层；3-纳米银线导电层；4-光学膜；
以下将结合本实用新型的实施例参照附图进行详细叙述。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明：
如图1所示，一种层叠纳米银线导电膜，包括由下至上依次设置的基材1、导电胶层2、纳米银线导电层3和光学膜4，所述基材1为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)片基，所述导电胶层2为纳米银导电胶，所述纳米银线导电层3中纳米银线长度为50～100nm且纳米银线呈交叉网状分布。
所述光学膜4折射率为1.2～1.5，厚度为3～5μm。
所述纳米银线导电层3厚度为100～200nm。
所述基材1厚度为100μm。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。