本实用新型涉及纳米银在微电子技术领域的应用，尤其涉及一种柔性透明纳米银线导电膜。
背景技术：
随着电子器件向轻便化，小型化和柔性化不断发展，性能优越的传统透明导电材料掺锡氧化铟(ITO)越来越无法满足应用的需求。这主要源于两个方面的因素：由于铟元素储量有限，随着其储量不断减少，ITO薄膜的成本会大幅增加；ITO薄膜脆性大，在其弯折过程中容易产生裂纹，从而使得薄膜的性能大幅降低，影响器件性能。虽然针对铟元素储量有限的问题，研究人员研发出了性能优越且储量丰富的透明导电氧化物以降低导电膜的成本，但是本身脆性大依然是限制透明导电氧化物在柔性电子器件中广泛应用的一大障碍。因此，如何开发出光电性能与抗弯折性能均十分优越的透明导电膜成为研究人员关注的焦点。
近年来，随着纳米技术的不断发展，银纳米材料因其传热导电性高、抗菌及催化能力强，并在其表面等离子吸收峰附近的非线性光学响应超快而越来越受到研究人员的关注，其中作为一维纳米材料的纳米银线因其优越的光电性能与耐弯折性能更是受到研究人员的青睐。银是电的良导体，其电阻率低、导电率高，将纳米银线应用于导电层将收集的电流导出，与透明导电氧化物(TCO)材料相比可以大大降低能损。如果采用直径小于入射光波长的纳米银线作为电极材料，不仅能够增加太阳能电池的电极集流面积且不阻挡光的透过，而且还能利用光的衍射等特性，充分吸收光能。因此纳米银线被视为是最有可能替代传统ITO透明电极的材料，为实现柔性、可弯折显示触摸屏提供了可能，并已有大量的研究将其应用于薄膜太阳能电池。此外，由于纳米银线的大长径比效应，使其在导电胶、导热胶等方面的应用中也具有突出的优势。
纳米银导电膜触摸屏的制作工艺包括黄光工艺，黄光工艺要求纳米银导电膜具备良好的导电性和附着性。因此，开发一种导电性及附着性良好的纳米银导电膜是满足工业化生产的必要条件。
技术实现要素：
本实用新型旨在解决传统ITO导电膜技术的不足，满足纳米银导电膜的应用需求，而提供一种柔性透明纳米银线导电膜。
本实用新型为实现上述目的，采用以下技术方案：一种柔性透明纳米银线导电膜，由下至上依次设置的基材、沉积缓冲层、光学胶层和纳米银线导电层，所述纳米银线导电层中纳米银线长度为50～100nm。
所述基材为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)片基。
所述纳米银线导电层厚度为100～200nm。
所述基材厚度为100μm。
所述沉积缓冲层为聚酰亚胺(PI)材质。
本实用新型的有益效果是：本实用新型采用长度50～100nm的纳米银线作为导电层，导电性良好，面阻率低，沉积缓冲层使阻隔率提高，从而降低电阻率，光学胶层使附着性良好，能够满足在纳米银导电膜触摸屏的应用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图中：1-基材；2-沉积缓冲层；3-光学胶层；4-纳米银线导电层；
以下将结合本实用新型的实施例参照附图进行详细叙述。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明：
如图1所示，一种柔性透明纳米银线导电膜，由下至上依次设置的基材1、沉积缓冲层2、光学胶层3和纳米银线导电层4，所述纳米银线导电层4中纳米银线长度为50～100nm。
所述基材1为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)片基。
所述纳米银线导电层4厚度为100～200nm。
所述基材1厚度为100μm。
所述沉积缓冲层2为聚酰亚胺(PI)材质。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。