专利名称：透明导电膜以及其制造方法
技术领域：
本发明涉及含有透明导电性微粒的透明导电膜和在基板上涂布含 有透明导电性微粒的流动性材料制造透明导电膜的透明导电膜的制造 方法。
背景技术：
ITO (含锡氧化铟)、Sn02 (氧化锡)、IZO (含锌氧化铟)等的 可见光透过性和目视透明性优异，显示高导电性，因此用于液晶显示 器、触摸屏、传感器、太阳能电池、有机.无机EL、电子纸等的透明 导电膜中。这些透明导电膜，可以通过溅射法等物理方法制造。但是该制造方 法存在制造装置和制造成本高的缺点。与此相反，将ITO、 Sn02、 IZO 等透明导电性微粒分散在溶剂等中形成微粒分散液，在玻璃或高分子薄 膜等基板上涂布该分散液的方法，可以廉价制造透明导电膜，期待着用 这种制造方法成膜。但是将分散液涂布到基板上制造的透明导电膜，与使用溅射法等物 理方法制造的透明导电膜相比，其电阻大。作为其理由可以列举透明导 电膜是由微粒形成的，所以粒子界面增大。另外，为了提高分散性附着 在粒子表面的表面活性剂，也造成电阻增加的原因。为了降低透明导电膜的电阻，可以通过在高温下进行焙烧，使附着 在粒子表面的表面活性剂分解，使微粒烧结。但是在高分子薄膜上涂布 透明导电性微粒得到的涂膜，由于薄膜特性的原因，不能进行高温焙 烧，所以不能引起微粒之间的烧结。为了解决这一问题，特开平11-242916号公报中叙述的透明导电膜 的制造技术中，对透明导电性微粒的涂膜照射微波，进行粒子间的烧 结。如果使用微波，由于除了介质损耗大的材料之外不被加热，所以能 够直接并同时使被加热物本身发热，可以比较均匀地对被加热物进行加 热。另外，与通常的外部加热方法相比，基板不会产生热变质，所以具 有对对象物质进行焙烧并且不会对薄膜造成损坏的特征
发明内容
但是，利用前面所示特开平11-242916号公报的透明导电膜制造技 术制造的透明导电膜的电阻为1020/口 (表面电阻)以上，与用物理方 法得到的透明导电膜的电阻102~ 1Q/口相比增大。另夕卜，可见光透过率 也降低为80%左右，而且目视透明性也降低。这样用上述专利文献l的 制造技术，难以制造电阻低的、并且可见光透过性以及目视透明性优异 的透明导电膜。本发明是考虑到上述课题而进行研究的，目的在于当在将含有透明 导电性微粒的分散液等流动性材料涂布到基板上制造透明导电膜时，与 以往相比，可以制造电阻低的、并且可见光透过性和目一见透明性优异的 透明导电膜。为了制造电阻低的，并且可见光透过性和目视透明性优异的透明导 电膜，本发明者对于用在基板上涂布含有透明导电性微粒的分散液等流 动性材料的方法的以往已知的透明导电膜的制造技术进行了广泛研 究，结果获得了以下见解。本发明者发现对在基板上形成的透明导电性微粒的涂膜加压，然后 通过照射微波，促进透明导电性微粒之间的烧结，涂膜显现低电阻化。 特别了解到使用线压力在200kg/cm以上的辊压机对涂膜加压，使涂膜 的膜密度达到3.0g/cn^以上时，可以更进一步促进低电阻化，得到电阻 非常低的透明导电膜。另外，还发现如上所述对涂膜加压后照射微波制 造的透明导电膜具有高的可见光透过率和目视透明性。特别是作为透明 导电性微粒，使用粒径在100nm以下的含锡氧化铟时，可以使透明导电 膜的可见光透过率以及目视透明性达到非常高的值。作为根据以上见解 制造的透明导电膜一例，例如可以得到表面电阻低于1020/口，可见光 透过率在85%以上的透明导电膜。本发明者还发现在照射微波的过程中例如使金属发泡片材等导电 性发泡片材与透明导电性微粒膜接地时，放电受到抑制，不会对基板薄 膜造成损坏，可以稳定制造透明导电膜。本发明即是以这些见解为基础进行研究的。也就是如果按照本发 明，提供透明导电膜的制造方法，其特征是在基板上涂布含有透明导电 性微粒的流动性材料形成涂膜，对前述涂膜施加压力，然后照射电磁 波，使前述透明导电性微粒烧结。
在上述透明导电膜的制造方法中，可以对前述涂膜面施加压力，使前述涂膜的密度达到3.0g/cn^以上。在上述透明导电膜的制造方法中，可以通过辊压机对前述涂膜面施 力口压力。在上述透明导电膜的制造方法中，前述辊压机的线压力可以在 200kg/cm以上。在上述透明导电膜的制造方法中，前述电磁波可以是频率为 lGHz lTHz的微波。在上述透明导电膜的制造方法中，前述电；兹波照射时，可以在前述 涂膜的下面铺设导电性发泡片材以防止放电。在上述透明导电膜的制造方法中，前述电磁波照射，可以在惰性气 体气氛中进行。在上述透明导电膜的制造方法中，前述透明导电性微粒可以是BET 粒径为100nm以下的含锡氧化铟。另外，如果按照本发明，提供透明导电膜，其特征是涂布分散透明 导电性微粒的溶剂，使粒子烧结后的电阻低于lOOQ/口，雾度低于2%, 总光透过率在85%以上。上述透明导电膜中，透明导电性微粒可以是含有氧化锡的氧化铟， 其粒径在100nm以下。如果按照本发明，在基板上涂布含有透明导电性微粒的流动性材料 形成涂膜，对前述涂膜面施加压力，然后照射电磁波，通过这种方法， 促进透明导电性微粒烧结，例如可以制造电阻非常低的，并且可见光透 过性和目视透明性优异的透明导电膜，而不会对高分子薄膜等基板造成 损坏。通过这种方法，可以使用在基板上涂布含有透明导电性微粒的流 动性材料而制造透明导电膜的制造方法，廉价制造具有与用臧射法等物 理方法制造的透明导电膜同等或以上特性的透明导电膜。
图l是表示有关本发明实施方案的透明导电膜的制造方法步骤的流 程图。图2是表示使用有关本发明实施方案的制造方法，制造透明导电膜 时所用的辊压才几1的侧面略图。图3是说明使用有关本发明实施方案的制造方法，制造透明导电膜 时，对在作为基板的高分子薄膜10上实施的涂膜2照射微波的步骤的说明图。图4是表示实施例结果的表1。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的优选实施方案进行说明。本说明书和附图 中，对于具有实质上相同功能构成的要素，附以相同的符号，以省略重 复说明。图l是表示有关本发明实施方案的透明导电膜的制造方法步骤的流 程图。下面利用图1,对有关本发明实施方案的透明导电膜的制造方法 进行说明。(步骤0 )开始制造透明导电膜。 (步骤1 )制备含有透明导电性粒子的流动性材料。本实施方案中，使作为透 明导电性粒子的含Sn (锡)氧化铟(In2〇3,(也称为ITO))分散在 醇类溶剂中，通过这种方法制备作为流动性材料的分散液。透明导电性 粒子的养立径优选为100nm以下。作为透明导电性粒子，除了含Sn的In203(ITO)以外，还可以使用如 含有Zn的In203(IZO)、含有F的In203(FTO)、含有Sb的Sn02 (ATO)、 ZnO、含有Al的ZnO (AZO)、含有Ga的ZnO (GZO)、 CdSn03、 Cd2Sn04、 Ti02、 CdO等。这些透明导电性粒子，既可以单独j吏用，也可以任意组 合2种以上使用。其中，特别优选以In或Sn为主体的金属氧化物，因 为它们可以兼备导电性和透明性两方面的性能。当透明导电性微粒含有In和Sn时，优选使Sn的含量在20wt。/o以 下。这是因为如果透明导电性微粒中所含的Sn量太多，则会引起载流 子散射，使电阻变差。另外，进一步优选5~15wt%。这是因为如果透 明导电性微粒中所含的Sn量太少，则载流子密度降低，电阻变差。另外，透明导电性微粒相对于流动性材料的重量比，优选为5~ 50wt%,进一步优选10~40wt%。这是由于如果透明导电性粒子相对于 流动性材料的重量比太小，则流动性材料的粘度太低，在后面将要叙述 的步骤2中将流动性材料涂布到基板上时，存在涂膜厚度不均匀的危 险。另外，如果透明导电性微粒相对于流动性材料的重量比太大，则微
粒的分散稳定性差，存在涂膜后膜密度降低的可能性。 (步骤2)将在上述步骤1中制备的流动性材料涂布到基板上。本实施方案 中，将作为流动性材料的分散液涂布到作为透明基板一例的如高分子薄 膜上。作为透明基板，例如可以使用三乙酸纤维素、二乙酸纤维素、硝 基纤维素、聚苯乙烯、聚对苯二曱酸乙二醇酯、聚萘二曱酸乙二醇酯、 聚酰亚胺等作为材料。其中，优选使用透明性优异、价格便宜的聚对苯 二甲酸乙二醇酯。本实施方案中，使用3nm的涂膜器将作为流动性材料的ITO分散 液涂布到高分子薄膜上，通过这种方法实施涂膜。作为将流动性材料涂 布到基板上的方法，除了使用涂膜器以外，例如可以使用辊涂、丝网印 刷、喷涂、浸涂和旋涂等已知方法。 (步骤3 )对涂布在基板上的涂膜进行干燥。作为干燥温度，优选设定为作为 基板使用的高分子薄膜的软化点以下。如果具体说明，例如当在薄膜中 使用聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET)时，则优选将干燥温度设定在8CTC 以下。(步骤4 )对涂月莫施加压力。本实施方案中，使用如图2所示侧面略图的辊压 机l,对涂膜2的面施加压力，使涂膜2的密度达到3.0g/cn^以上。如 图2所示，辊压机l，具备轴向互相平行(垂直于图2的纸面)配置的 树脂辊5，两个金属辊6、 7以及导辊8。树脂辊5以及导辊8的结构例 如是沿逆时针方向旋转。另一方面，两个金属辊6、 7的结构为，在使 其侧面与树脂辊5的侧面相互接触的状态下例如沿顺时针方向旋转。通 过以上结构，辊压机1沿虚线箭头所示方向输送具有涂膜2的作为基板 的高分子薄膜10，在树脂辊5和金属辊6之间一边夹持一边使其通过， 由此能够连同高分子薄膜10 —起对涂膜2进行压缩。经树脂辊5和金 属辊6压缩的涂膜2和高分子薄膜10通过导辊8改变其前进方向，一 边夹持在树脂辊5和金属辊7之间一边通过，进行第2次压缩。本实施方案中，将辊压机1的线压力设定为200kg/cm以上。通过 这种方法，使用辊压机1对涂膜2施加压力，可以使涂膜2的密度达到 3.0g/cn^以上。这样通过对涂膜2施以辊压机1，使粒子间的接触更好，膜的密度提高。同时，通过使涂膜表面变得光滑，制造的透明导电膜的 可见光透过率以及目视透明性得到大幅度提高。作为对涂膜2施加压力 的方法，除上述使用辊压机1的方法以外，例如还可以使用片材压机等 已知的压力装置。 (步骤5 )通过对涂膜照射电磁波，使涂膜的透明导电性微粒烧结形成透明导 电膜。本实施方案中，作为电磁波例如使用微波。在这种情况下，如果 将涂膜的密度设定为较大值，则透明导电性微粒之间的接触增多，会促 进烧结，所以能够降低微波烧结后的电阻。例如为了使微波烧结后的电阻低于1020/口(表面电阻)，可以使涂膜的密度达到3.0g/cn^以上。本实施方案中，作为电磁波对涂膜照射频率为2.45GHz的微波，以 IOOOW功率，照射10分钟。这时作为基板使用的高分子薄膜的介质损 耗小，所以即使照射微波，也不会引起吸收，高分子薄膜不会被加热。 与此相反，在高分子薄膜上实施的氧化物涂膜，其介质损耗大，所以照 射微波时会发热。利用该特性可以有选择性地只对高分子薄膜上的涂膜 加热。氧化物的涂膜具有孩i波高速响应性，所以通过调节加热时间和输 出功率，能够很容易控制达到所需温度的时间。本实施方案如图3所示，将实施涂膜2的高分子薄膜10置于如发 泡Ni片等导电性发泡片材11上，对该涂膜2照射微波(图3中虚线箭 头15)。这时，在高分子薄膜10的下面侧设置涂膜2，在使涂膜2与 导电性发泡片材11接触的状态下，照射微波。微波是从高分子薄膜IO 的上面一侧照射(也就是从导电性发泡片材11的相反一侧的面)照射。 对涂膜2的微波照射，在氮气气氛中进行。 (步骤6 )通过上述步骤1~5的步骤，在基板高分子薄膜上的透明导电膜的 制造完毕。如果按照以上的实施方案，制造透明导电膜时，在基板上涂布含有 透明导电性微粒的流动性材料形成涂膜，并对该涂膜施加压力，然后照 射电磁波，通过这种方法可以促进构成涂膜的透明导电性微粒之间的烧 结，与用以往已知的在基板上涂布含有透明导电性微粒的流动性材料来制造透明导电膜的技术制造的透明导电膜相比，可以制造电阻低，并且 可见光透过率以及目视透明性优异的透明导电膜。特别在对涂膜进行加 压的过程中，当加压使涂膜的膜密度达到3.0g/cm3以上时，可以更加促 进低电阻化，使其电阻达到非常低。这样，使用包含在基板上涂布含有 透明导电性微粒的流动性材料的步骤的透明导电膜制造方法可以廉价 制造具有与使用溅射法等物理方法制造的透明导电膜同等或以上特性 的透明导电膜。特別是以粒径在100nm以下的含锡氧化铟作为透明导性微粒使用 时，不会产生涂膜内的光散射，可以制造目视透明性非常高的透明导电 膜。另外，通过减小粒径，例如当使用辊压机等对涂膜进行加压时，可 以充分提高膜密度，适当促进照射微波时的粒子间烧结，能够更加降低 所制造透明导电膜的电阻。对涂膜施加压力的过程中4吏用如图2所示的辊压才几1时，可以对涂 膜的整个面施加均等压力，使涂膜密度在整个面内大致均匀，制造的透 明导电膜的特性在整个面上是均匀的，可以制造高品质的透明导电膜。 特别是当将辊压机1的线压力设定在200kg/cm以上时，可以使涂膜的 膜密度达到3.0g/cn^以上，如上所述，与使用以往已知制造技术时相比， 可以制造具有非常低的电阻以及非常高的可见光透过率的透明导电 膜。另外，对涂膜照射微波时，使导电性发泡片材与透明导电性微粒膜 接地，可以抑制放电，例如不会造成使高分子薄膜等基板熔化等损坏。 还具有防止涂膜和基板局部成为高温而损坏基板的效果。以上参照附图对本发明的优选实施方案进行了说明，但是本发明并 不受这些示例的限定。很明显如果是本行业的从业人员在专利权利要求 范围叙述的技术思想范畴内，能够想到各种变更例或修改例，当然这些 也都属于本发明的技术范围。上述实施方案中，对含有透明导电性粒子的流动性材料是分散液的 情况进行了说明，但含有透明导电性粒子的流动性材料还可以是如半液 体状、糊状、熔融物、溶液、分散液、悬浮液或粒状材料等。另外，作 为使流动性材料涂料化时的涂料化方法，可以使用球磨机、珠磨机、砂 磨机、涂料振荡器等方法。作为制备流动性材料时混入透明导电性粒子 的溶剂，可以使用如水、醇、酮、醚、酯等溶剂。另外，有时可以添加 表面活性剂、粘结剂等。上述实施方案中对于涂布流动性材料的透明基板，使用如三乙酸纤 维素、二乙酸纤维素、硝基纤维素、聚苯乙烯、聚对苯二曱酸乙二醇酯、 聚萘二曱酸乙二醇酯、聚酰亚胺等为材料的高分子薄膜的情况进行了说 明，涂布流动性材料的透明基板，还可以是以除此之外为材料的高分子 薄膜，还可以是除高分子薄膜以外的。另外，涂布流动性材料的基板， 还可以是非透明的。上述实施方案中，对于作为电磁波对涂膜照射2.45GHz微波，以 1000W功率照射10分钟的情况进行了说明，但是照射电磁波的频率可 以是lGHz lTHz,另夕卜，孩i波照射的输入功率还可以是如500~ 1000W 等其它值。如果微波的照射时间长，则因为热传导至基板，会造成损坏 的原因，所以优选为例如1 ~ 10分钟。上述实施方案中，对作为导电性发泡片材11,使用发泡Ni片材的 情况进行了说明，但作为导电性发泡片材11,还可以使用由电子传导性 好，散热性优异的任意材料构成的片材。上述实施方案中对于在氮气气氛下对图3所示涂膜2照射电磁波时 的情况进行了说明，而照射电磁波时，还可以在大气气氛、惰性气氛或 还原性气氛等其它气氛中进行。当在大气气氛中照射电磁波时，涂膜2 的导电氧化物被氧化，涂膜2中的载流子减少，与在惰性气体气氛或还 原性气体气氛中照射微波时相比，存在电阻变差的可能性，所以优选在 惰性气体气氛中或还原性气体气氛中对涂膜2进行微波照射。实施例下面通过实施例和比较例说明本发明的情况。图4所示的表1中实施例1 ~6的各数据表示使用本发明制造方法 制造的透明导电膜的各种特性，比较例1~4的各数据表示用以往已知 制造方法制造的透明导电膜的各种特性。表1中所示的各数据的特性是通过以下方法测定的。<BET粒径〉透明导电膜(涂膜)的透明导电性微粒的BET粒径，通过下述计算 式计算。BET粒径(nm"6/( p x比表面积)xl09式中，p为透明导电性微粒的真比重，例如透明导电性微粒为ITO (含锡氧化铟)时，p=7.l3xl09(g/m3)。另外，比表面积通过BET法(单 点法)求出。<表面电阻>透明导电膜(涂膜)的表面电阻，使用三菱化学抹式会社制的LorestaHP,通过四探针法测定。 <总光透过率和雾度>透明导电膜(涂膜)的光透过率和雾度，使用日本电色工业抹式会 社制的NDH2000测定。光源使用卣素灯。 <膜厚〉透明导电膜(涂膜)的膜厚，使用日本电子社制的JSM-6700F扫描 型电子显微镜，用10000倍的放大倍率进行观察、测定。 <膜的密度>透明导电膜(涂膜)的密度，按照以下步骤测定。预先将作为基板 的PET薄膜裁切成5(cm) x 5(cm)，测定其重量。接着将涂布导电性微粒 后使其千燥，并进行加压的基板(在下面的计算式中称为"实施涂膜的 基板")裁切成5(cm)x5(cm),测定其重量。接着使用扫描型电子显微 镜测定涂膜的厚度，根据测定得到的重量和膜厚，用下述计算式求出膜 的密度。辊压后的基板厚度不变化，基板重量也不发生变化。(膜密度)={(实施涂膜的基板重量)-(基板重量)}/{(涂膜的 面积)x (涂膜的厚度)}下面对于上述表1中所示各数据(实施例1 ~6以及比较例1 ~4), 说明制造透明导电膜时的各条件。[实施例1]实施例1的数据表示使用本发明的制造方法，按照以下步骤制造的 透明导电膜的各特性。首先作为透明导电性粒子，使用含有Sn02 15wt% 的ITO粉末(BET粒径为30nm)，将其7.5g与醇类溶剂17.5g、阴离 子类表面活性剂0.225g混合，用行星式球磨机(7 7 f工制P-5型， 容器容量80ml,珠PSZ 0.3mm),以300rpm旋转30分钟，制备作为 流动性材料的分散液。用涂膜器(薄膜的输送速度为5m/min)将这样得 到的ITO含量为30wt。/。的ITO分散液，涂布到作为基板的PET薄膜(東 k制A;、 ，一 100T,雾度为1.5%,总光透过率为89%)上，用80°C 的温度使其干燥。然后使用图2所示的辊压机(薄膜输送速度为 2.5m/min),以200kg/cm线压力对该PET薄膜加压，使PET薄膜上的 涂膜密度达到3.0g/cm3,在家用微波炉(2.45GHz)内的托盘上铺设发泡Ni 片材，在该发泡Ni片材上放置制造的透明导电膜。此时，调整作为基 板的薄膜使涂膜面朝下，以使透明导电膜的涂膜面与发泡Ni片材接触。然后在氮气气氛下以1000W功率对该透明导电膜照射频率为2.45GHz 的微波10分钟。通过以上步骤得到的透明导电膜，如上述表l的实施 例1的数据所示，表面电阻为60Q/口，总光透过率为86.4%，并且雾度 为1.7%。[实施例2]实施例2的数据表示使用500W功率进行微波照射，除此之外，用 与实施例1数据相同的步骤制造的透明导电膜的各特性。 [实施例3]实施例3的数据表示使微波的照射时间为5分钟，除此之外，用与 实施例1相同的步骤制造的透明导电膜的各特性。 [实施例4]实施例4的数据表示使微波的照射时间为5分钟，除此之外，用与 实施例2相同的步骤制造的透明导电膜的各特性。 [实施例5]实施例5的数据表示使辊压机的线压力为300kg/cm,除此之外，用 与实施例1相同的步骤制造的透明导电膜的各特性。 [实施例6]实施例6的数据表示使辊压机的线压力为300kg/cm，除此之外，用 与实施例2相同的步骤制造的透明导电膜的各特性。 [比较例1〗比较例1的数据表示用以往已知的制造方法，按照以下步骤制造的 透明导电膜的各特性。也就是比较例1的透明导电膜，是用涂膜器将用 与实施例1相同步骤制备的分散液涂布到基板上，在8(TC下干燥的膜， 然后既不进行辊压，也不进行微波焙烧而制造的。该透明导电膜的膜密 度为2.6g/cm3。[比较例2]比较例2的数据表示用以往已知的制造方法，按照以下步骤制造的 透明导电膜的各特性。也就是比较例2的透明导电膜，是用涂膜器将用 与实施例1相同方法制备的分散液涂布到基板上，在8(TC下干燥，然后 进行辊压，但不进行微波处理而制造的。 [比较例3]比较例3的数据表示用以往已知的制造方法，按照以下步骤制造的透明导电膜的各特性。也就是比较例3的透明导电膜，是用涂膜器将用 与实施例1相同方法制备的分散液涂布到基板上，在8(TC下干燥后不进 行辊压，但是用1000W功率照射IO分钟微波而制造的。 [比较例4]比较例4的数据表示用以往已知的制造方法，按照以下步骤制造的 透明导电膜的各特性。也就是比较例4的透明导电膜，是用涂膜器将用 与实施例1相同方法制备的分散液涂布到基板上，在8(TC下干燥后实施 辊压，并且在电炉中于氮气气氛下、IO(TC下加热制造的。如上述表1的实施例1~6的数据所示，表明使用本发明制造方法 制造的透明导电膜，在基板上涂布含有透明导电性粒子的流动性材料形 成涂膜，使用辊压机对涂膜施加压力，然后照射微波促进透明导电性粒 子烧结，通过这种方法，可以使表面电阻低于100Q/口，比上述表l中 比较例1~4的数据所示用以往已知制造方法制造的透明导电膜的表面 电阻650 ~ 20000 ( Q/口 )的值要低得多。另外，如比较例1和3的数 据所示，表明在制造过程中对涂膜不施加压力时，透明导电膜的膜密度 非常低，为2.6(g/cm3),因此制造的透明导电膜的表面电阻非常大。上述表1的实施例1 ~6中，由于使用发泡Ni片材进行焙烧，所以 可以防止放电，进行焙烧时不会对薄膜造成损坏。与此相反，不铺设发 泡Ni片材进行微波照射时，存在因为放电而使局部成为高温，导致薄 膜消失的危险。这样在进行微波照射时，优选铺设如发泡Ni片材的导 电性发泡片材。上述表1中实施例1~6的数据还表明，制造的透明导电膜的总光 透过率达到85%以上，该值与比较例1 ~4数据所示的使用以往已知制 造方法制造的透明导电膜的总光透过率74.7 ~ 86.4相同或在其以上，用 本发明制造方法制造的透明导电膜的可见光透过性优异。另外，上述表 1的实施例1 6的数据表明，制造的透明导电膜的雾度为1.5 ~ 1.8%， 该值与比较例1~4数据所示的用以往已知制造方法制造的透明导电膜 的雾度1.7~12.5相同或在其以下，用本发明制造方法制造的透明导电 膜，保持着高的目视透明性。
权利要求
1.透明导电膜的制造方法，其特征是在基板上涂布含有透明导电性微粒的流动性材料而形成涂膜，对前述涂膜施加压力，然后照射电磁波，使前述透明导电性微粒烧结。
2. 权利要求1的透明导电膜的制造方法，其中，对前述涂膜施加 压力，使前述涂膜的密度达到3.0g/cmS以上。
3. 权利要求1的透明导电膜的制造方法，其中，通过辊压机对前 述涂膜面施加压力。
4. 权利要求3的透明导电膜的制造方法，其中，前述辊压机的线 压力在200kg/cm以上。
5. 权利要求1的透明导电膜的制造方法，其中，前述电^f兹波是频 率为lGHz~ lTHz的微波。
6. 权利要求1的透明导电膜的制造方法，其中，前述电磁波照射 时，在前述涂膜的下面铺设导电性发泡片材以防止放电。
7. 权利要求1的透明导电膜的制造方法，其中，前述电磁波照射 在惰性气体气氛下进行。
8. 权利要求1的透明导电膜的制造方法，其中，前述透明导电性 微粒是BET粒径为100nm以下的含锡氧化铟。
9. 透明导电膜，它是涂布分散透明导电性微粒的溶剂后，对前述 透明导电性微粒进行烧结而得到的透明导电膜，其中烧结后的电阻低于 100n/口，雾度^氐于2%,总光透过率在85%以上。
10. 权利要求9的透明导电膜，其中，透明导电性微粒是含有氧化 锡的氧化铟，其粒径在100nm以下。
全文摘要
在基板上涂布含有透明导电性微粒的流动性材料形成涂膜后，对该涂膜施加压力，然后照射电磁波，对透明导电性微粒进行烧结。例如对涂膜施加压力，使涂膜密度达到3.0g/cm<sup>3</sup>以上。例如通过辊压机对涂膜面施加压力。另外，将辊压机的线压力设定在200kg/cm以上。照射的电磁波例如是1GHz～1THz的微波。
文档编号H01B13/00GK101154483SQ20071015325
公开日2008年4月2日 申请日期2007年9月29日 优先权日2006年9月29日
发明者樋之津崇, 田上幸治 申请人:同和电子科技有限公司