剥离装置及半导体装置的制造方法

专利名称：：剥离装置及半导体装置的制造方法
技术领域：
：本发明涉及从衬底剥离形成于衬底上的包括结构物的层的剥离装置。本发明特别涉及用于半导体装置的制造的剥离装置，尤其涉及用来从制造时所使用的衬底分离包括半导体元件的元件形成层的半导体装置的制造装置。在本发明中，作为制造对象的半导体装置包括通过利用半导体的特性而工作的半导体元件、以及使用多个半导体元件而工作的所有装置。作为半导体元件，例如可以举出如MOS型晶体管、薄膜晶体管等晶体管、二极管、以及MOS型电容器等。此外，半导体装置包括具有多个半导体元件的集成电路、具有多个集成电路的装置、以及具有集成电路和其他要素的装置。集成电路例如包括CPU、如R0M、RAM等的存储电路等。具有多个集成电路的装置、以及具有集成电路和其他要素的装置例如包括液晶模块用衬底；使用了该模块用衬底的液晶模块及液晶显示装置；EL(电场发光)模块用衬底；使用了该模块用衬底的EL模块及EL显示装置；将液晶模块或EL模块用作显示单元的电子设备；具备天线且能够无线通信的IC芯片；以及安装有这种IC芯片的电子标签及IC卡等。
背景技术：
：正在对如下技术进行开发在玻璃衬底或石英衬底等基体材料上使用TFT等的半导体元件制造集成电路，然后将该集成电路从用于制造的基体材料转移到塑料薄膜基体材料上。为了将集成电路转移到其他基体材料上，首先需要从用于制造的衬底分离集成电路的步骤。因此，正在对从衬底剥离集成电路的技术进行开发。例如，在专利文献l中记栽有如下那样的利用激光烧蚀的剥离技术。在衬底上设置由非晶硅等构成的分离层，在该分离层上设置由薄膜元件构成的被剥离层，通过粘合层将被剥离层粘合到转移体。通过照射激光来烧蚀分离层，以使在分离层上产生剥离。此外，在专利文献2中记载有通过人手等的物理性外力进行剥离的技术。在专利文献2中，在衬底和氧化物层之间形成金属层，通过利用氧化物层和金属层的界面结合的脆弱性，使在氧化物层和金属层的界面产生剥离，由此，分离被剥离层和衬底。一般而言，当产生剥离时，在分成两个的层表面上产生电荷而容易带电。这种现象被称为剥离带电。由于在产生剥离的瞬时两个层的表面接近，因此在这些表面之间形成电容。随着剥离的进展，虽然电容随着两个层之间的距离增大而降低，但是，由于因剥离带电而产生的电荷量不变，从而层表面的电位与电容成反比例地增大。当被剥离的层表面的电位变高时，存在层表面所带的电荷向层内部放电的情况。因此，在剥离对象是集成电路的情况下，半导体膜、绝缘膜、导电膜等因放电而产生的热被熔化而被破坏，其结果是，使得半导体元件不工作。此外，有可能即使半导体元件不受到从外部看得见的损伤并且能够工作，半导体或绝缘体也由于被施加高电位的影响而恶化，导致半导体元件不呈现所期待的特性。因此，当产生因静电的放电时，使用了该半导体元件的集成电路本身有可能由于受到半导体元件破坏或其特性恶化的影响而不正常工作。半导体元件等受到因静电的放电的影响而被破坏的现象被称为静电破坏。静电破坏是大幅度地降低成品率的原因之一。以往，作为避免静电破坏的方法，有如下方法使因静电的放电不产生的方法；以及即使产生因静电的放电，也抑制放电对半导体元件的损伤的方法。作为前者，一般知道通过在半导体制造装置设置除电器来去除所产生的静电的方法。后者的典型例子是与半导体元件一起制造保护电路的方法，该保护电路防止因放电而产生的高电位施加到半导体元件。即使产生静电，如果不放电，则不产生静电破坏。当在两个物体之间的电位差大时，很容易产生放电。从而，除电器是以如下为目的的装置通过将正离子及负离子供应到作为放电的路径的空气中，使物体之间不产生可进行放电这样程度的大的电位差。但是，由于剥离带电引起的放电在两个层分离的一瞬产生，因此有时通过除电器的除电来不及。另外，在设置保护电路的情况下，由于如果放电的电荷经过保护电路，则保护电路工作，因此可以避免半导体元件的破坏。然而，在剥离带电中，由于被分离的两个层的表面带电，因此放电的电荷不一定经过保护电路。从而，就剥离带电而言，通过保护电路来防止静电破坏是不充分的。例如，在专利文献3中记栽有防止剥离带电造成的放电的方法(参照权利要求的范围、第9页第42行至第48行)。这里，在衬底上形成导电膜，在其上形成包括半导体元件等的叠层体。通过使在衬底和导电膜的界面产生剥离，并且将剥离时所产生的电荷扩散到导电膜，由此，避免带电引起的半导体元件的破坏及特性恶化。然而，在专利文献3的剥离方法中，导电膜留在叠层体下部。随着叠层体的使用目的不同，有可能导电膜成为障碍，并且由于导电膜的存在而不能实现所期待的使用目的。在这种情况下，在专利文献3的剥离方法中必须要去除导电膜。[专利文献l]特开平10-125931号公报[专利文献2]特开2003-174153号公报[专利文献3]特开2005-79395号公报
发明内容本发明的目的之一在于提供一种剥离处理用的装置，其中可以防止随着剥离而产生的电荷造成的半导体元件的破坏及特性恶化。此外，专利文献3限于剥离后的半导体元件的下表面是导电膜的结构，但是本发明以提供一种可以选择电阻高的绝缘材料作为剥离后的半导体元件一侧的表面的的材料的剥离处理用的装置为目的之一。为了解决上述课题，本发明是随着剥离而产生的电荷不放电到被分离了的两个层中的任何层的内部地进行剥离的剥离装置。因此，本发明的半导体装置的制造装置的特征之一在于具有使用液体浸湿因从衬底分离元件形成层而露出的表面的工具。本发明的半导体装置的制造装置之一包括对元件形成层贴附挠性衬底的单元；以及通过移动挠性衬底来改变元件形成层的形状的单元。利用挠性村底的变形而使元件形成层变形，由此，可从衬底分离元件形成层。使用液体浸湿(包括潮湿)随着剥离而露出的表面向随着剥离而逐步露出的表面供应液体即可。作为液体的供应单元，4吏用滴下或注入液体的喷嘴、将液体变为雾状而喷雾的喷雾嘴。本发明的其他半导体装置的制造装置包括将挠性衬底贴附到元件形成层的单元；使元件形成层变形地搬动挠性衬底的单元；以及容纳液体的水槽。通过在水槽内剥离元件形成层，可以使用液体浸湿通过分离元件形成层而露出的表面。此外，本发明的技术不局限于半导体装置的制造方法，还可以适用于用来从衬底剥离包括层叠一个或多个层的结构体的层的剥离装置。更具体地说，本发明的剥离装置包括使包括结构物的层变形的同时从衬底剥离包括结构物的层的单元；以及向通过剥离包括结构物的层而露出的表面供应液体的单元。放电是指在本来电流不会流过的部分如绝缘体、半导体等中因高电位差而电流瞬间地流过的现象。通过浸湿或潮湿随着剥离而露出的表面，可以降低该表面的电阻。电阻降低的结果是，因剥离带电而产生的电荷扩散到浸湿的表面上，因此可以避免随着剥离而露出的表面的电位升高到产生放电。通过使用本发明的装置进行剥离，可以消除因剥离带电而导致的放电。在根据本发明的制造方法中，由于不产生因剥离带电的放电，因此可以提高分离衬底和元件形成层的步骤的成品率。此外，本发明由于可以消除因静电破坏而导致的半导体元件的特性恶化，因此可以制造可靠性高的半导体装置。此外，根据本发明的装置，可以随着剥离而产生的电荷不放电到被分离了的两个层中的任何层的内部，所以即使元件形成层的下表面的材料是绝缘材料，也可以避免包括在元件形成层中的半导体元件因剥离带电造成的静电而被破坏，并且避免半导体元件的特性恶化。因此，本发明的剥离装置及半导体装置的制造装置是没有对于被剥离的对象物的材料的限制的装置，并且其通用性高。图1是说明半导体装置的制造方法的截面图，并且是说明在衬底IO上形成元件形成层11的图；图2是说明半导体装置的制造方法的截面图，并且是说明在元件形成层11中形成沟槽13的图；图3是说明半导体装置的制造方法的截面图，并且是说明在元件形成层11的上面设置支持基体材料14的图；图4是说明半导体装置的制造方法的截面图，并且是说明在元件形成层11和剥离层12的界面产生剥离的截面图；图5是说明半导体装置的制造方法的截面图，并且是说明与图4相比，在元件形成层11和剥离层12的界面剥离进一步进展的图；图6是说明半导体装置的制造方法的截面图，并且是表示元件形成层11从衬底IO分离的图；图7是说明半导体装置的制造方法的截面图，并且是说明在元件形成层11的下表面固定第一挠性衬底18，并且剥离支持基体材料14的图；图8是说明半导体装置的制造方法的截面图，并且是说明分割第一挠性衬底18的图；图9是通过本发明的制造方法来制造的半导体装置的截面图；图IO是通过本发明的制造方法来制造的半导体装置的截面图；图11是说明本发明的剥离装置的结构例子的侧面图；图12是说明本发明的剥离装置的结构例子的侧面图；图13是说明本发明的剥离装置的结构例子的侧面图；图14是说明实施例1的形成剥离层的方法的截面图；图15是说明实施例1的形成元件形成层的方法的截面图，并且是说明在剥离层12上形成元件形成层的绝缘膜103的图；图16是说明实施例1的形成元件形成层的方法的截面图，并且是说明在绝缘膜上形成包括薄膜晶体管的集成电路的图；图17是说明实施例1的形成元件形成层的方法的截面图，并且是元件形成层的截面图；图18A至18D是表示包括天线及能够无线地通信的集成电路的半导体装置的结构例子的图；图19A和19B是表示根据本发明的半导体装置的结构例子的图，并且19A是液晶模块的俯视图，而19B是液晶模块的截面图20A和20B是表示根据本发明的半导体装置的结构例子的图，并且20A是EL模块的俯视图，而20B是EL模块的截面图；图21A至21C是表示根据本发明的半导体装置的结构例子的图，并且21A和21B是电视装置的外观图，而21C是电子书籍的外观图；图22是表示进行剥离试验的样品的叠层结构的截面图；图23是进行剥离试验的样品的平面图；图24是表示剥离试验的结果的曲线图。具体实施方式下面，参照本发明的实施方式。对相同对象附上相同附图标记，并且省略重复说明。此外，本发明可以通过多种不同的方式来实施，所属
技术领域：
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围内可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下的实施方式以及实施例所记载的内容中。当在由高电阻的物质如绝缘物构成的层(也包括衬底)的表面产生静电时，若没有电荷扩散的路径，电荷则留在产生的地方。如果在该状态下进行剥离，并且因产生的电荷而使电位增大时，向容易电通过的路径例如元件形成层内部放电。因此，本发明的半导体装置的制造装置的特征在于具有防止因剥离而产生的电荷引起的放电的单元。具体而言，当从村底分离元件形成层时，向被分离了的两个层(有时层的一方是衬底)之间供应液体，使随着分离元件形成层而露出的表面浸湿或潮湿。首先，说明本发明的剥离装置的原理。因此，参照图1至图9说明剥离元件形成层的方法、以及使用剥离了的元件形成层制造半导体装置的方法。对剥离对象的元件形成层的准备进行说明。如图l所示，在衬底10上形成元件形成层11。为了容易地从衬底10分离元件形成层11，在衬底IO上形成剥离层12，在剥离层12上形成元件形成层11。在元件形成层11内形成有至少一个半导体元件。例如，使用薄膜晶体管、二极管、电阻、电容元件等在元件形成层11内形成集成电路。元件形成层11是半导体装置的结构要素之一，并且在元件形成层11中形成有多个半导体装置的结构要素。在形成元件形成层11之后如图2所示地形成沟槽13。例如，沟槽13形成为围绕元件形成层11中的一个半导体装置的结构要素(例如，一个集成电路)的周围。通过形成沟槽13,当从衬底10分离元件形成层11时可以按每一半导体装置分割元件形成层11。通过照射激光，可以形成沟槽13。此外，也能够以围绕形成于衬底10上的所有半导体装置的结构要素的周围的方式形成沟槽13。剥离层12例如可以使用金属或合金形成。金属是钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铌(Nb)、镍(Ni)、钴(Co)、锆(Zr)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(0s)、或者铱(Ir)等。合金是选自这些金属元素的多个金属元素的合金如钨和钼的合金等。这种金属膜和合金膜可以通过溅射法形成。此外，成为剥离层12的金属膜或合金膜的厚度优选在20nm以上且100nm以下的范围内。此外，使作为剥离层12而形成的金属膜或合金膜的表面氧化，以使在元件形成层11和剥离层12之间优先地产生剥离。通过这样进行氧化且形成沟槽13,可以使在由沟槽13而露出的剥离层12和元件形成层11的界面产生剥离。作为使剥离层12的表面氧化的方法，有热氧化方法、使用氧气或N20等离子体处理表面的方法、以及使用氧化力强的溶液如臭氧水等处理表面的方法等。另外，作为其他方法，有如下方法当形成元件形成层11时，在元件形成层11和剥离层12的界面形成氧化物。例如，通过'减射法形成硅氧化物，可以当在金属膜或合金膜表面淀积硅氧化物时，使其表面氧化。并且，也可以通过等离子体处理或热处理来实现氮化，而代替使金属膜或合金膜氧化。此外，剥离层12也可以由单层或多层形成。例如，剥离层12也可以为由无机材料如硅氧化物、硅氧氮化物构成的绝缘膜和金属膜(或合金膜)的多层膜，以免在衬底IO和剥离层12的界面产生剥离。衬底IO是用于形成元件形成层11及剥离层12的村底，并且优选是刚体。衬底10例如是玻璃衬底、石英衬底、金属衬底、不锈钢衬底、表面形成有绝缘层的硅晶片等。在形成沟槽13之后，如图3所示，在元件形成层11上固定支持基体材料14。支持基体材料14是用来从衬底10分离元件形成层11之后很容易处理该元件形成层11的构件。此外，支持基体材料14也是用来从衬底10分离元件形成层11时改变元件形成层11的形状的构件。支持基体材料14不是半导体装置的部件，在半导体装置的制造过程被去除的，因此，作为支持基体材料14使用可以分离元件形成层11但却不损伤到其的基体材料。此外，支持基体材料14优选为挠性的薄膜，以使元件形成层ll变形。例如，作为支持基体材料14，优选使用能够通过弱小的力量就剥离的剥离薄膜。并且，在将支持基体材料14用作半导体装置的构件的情况下，当使用挠性薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等构成)形成支持基体材料14时，在图3的结构中，将此通过粘合剂如环氧树脂等粘合到元件形成层11。如图4所示，使在元件形成层11和剥离层12的界面产生剥离。为了产生剥离，可以通过弯曲支持基体材料14来使元件形成层11变形，以在元件形成层11和剥离层12的界面的端部产生剥离。如图4所示，当在元件形成层11和剥离层12的界面的端部产生剥离时，向随着剥离而形成的空隙供应液体15，来浸湿随着剥离而露出的元件形成层11的下表面和剥离层12的上表面。并且，在使衬底IO在下、使支持基体材料14在上时，下表面是指层的衬底10—侧的表面，而上表面是指层的支持基体材料14一侧的表面。如图5所示，在剥离元件形成层11的同时，向剥离的端部(在图5中由虛线围绕的部分17)供应液体15，以便用液体15浸湿随着剥离而逐步露出的元件形成层11的下表面及剥离层12的上表面。通过向将要产生剥离的部分供应液体15，可以在产生剥离的同时，用液体浸湿随着剥离而露出的表面，经过液体15扩散由剥离带电产生的电荷，由此可以消除静电的放电。用来浸湿元件形成层11的液体15优选为不使构成元件形成层11、剥离层12、以及村底10的材料变质的液体。或者优选为不与这些材料反应而产生生成物的液体。这是因为反应生成物有可能污染半导体装置，并且需要清洗反应生成物的步骤。作为液体15，优选不用作元件形成层11、剥离层12、以及衬底10的蚀刻剂的液体。可以使用纯水作为液体15。虽然纯水的电阻率非常高为lMQ.cm以上，但是纯水通过接触到元件形成层11和剥离层12而混合有杂质，从而使电阻降低。因此，通过使用纯水浸湿随着剥离而露出的元件形成层11的下表面和剥离层12的上表面，来将由剥离产生的电荷扩散到元件形成层11的下表面或剥离层12的上表面。从而，即使元件形成层11和剥离层12的表面的材料的电阻高，也可以避免向元件形成层11以及剥离层12的内部放电。此外，作为液体15,可以使用电阻率比纯水低的水溶液。就是说，可以使用以水为溶剂且其中溶解物质的水溶液。水溶液的性质可以为酸性、石咸性、以及中性中的任何一种。例如，可以使用酸、石咸、或者盐(盐可以是酸性盐、碱性盐、正盐中的任一种)溶于其中的水溶液。作为可用作液体15的水溶液，可以具体地举出二氧化碳(C0O的水溶液、氯化氢(HC1)的水溶液(盐酸)、四曱基氢氧化铵的水溶液、氯化铵(NH《1)的水溶液等。作为溶于水中的物质，优选使用在常温(25°C)、大气压下变为气体的分子性物质，例如二氧化碳、氯化氢。此外，在物质是盐的情况下，优选使用起到界面活性剂作用的盐。通过使界面活性剂溶于水中，可以使浸湿变得容易。此外，水和挥发性液体的混合溶液也可以用作液体15。通过对液体15混合挥发性液体，可以省略干燥处理。如果在挥发性液体中以至少0.1%左右的浓度含有水，则可以利用液体15对电荷进行扩散，即获得防止带电的效果。在市场上流通的高纯度乙醇或丙酮等的有机溶剂中就有以0.1%以上的浓度将水作为杂质而含有的商品。这种有机溶剂不需要调节浓度就可以直接用作本发明的水和挥发性液体的混合溶液。此外，为了发挥挥发性液体的长处，挥发性液体的浓度优选为30%以上。因此，纯度低的有机溶剂如作为有机溶剂已经普及的变性乙醇等也不需要调节其浓度而可以直接用作本发明的水和挥发性液体的混合溶液。如图6所示，在完成元件形成层11的剥离时，衬底10与剥离层12—起从元件形成层11分离。如图7所示，使用粘合剂在元件形成层11的下表面固定第一挠性衬底18。接下来，从元件形成层11的上表面剥离支持基体材料14。接下来，如图8所示，与元件形成层11一起分割第一挠性衬底18，以便按每一半导体装置分割第一挠性村底18。通过照射激光来分割即可。接下来，如图9所示，在元件形成层11的上表面固定第二挠性衬底19。第二挠性衬底19根椐需要设置即可。通过以上的制造方法，可以形成图9所示的具有元件形成层11的挠性半导体装置。第一挠性衬底18及第二挠性村底19是能够弯曲的柔性衬底。作为这些挠性衬底18、19的材料，例如可以使用由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜等构成的塑料衬底。此外，可以使用由有机化合物如聚对苯二曱酸乙二醇酯、聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等构成的薄膜。为了将第一挠性衬底18及第二挠性衬底19固定到元件形成层11，而使用通过加热或照射可见光、紫外光等来呈现粘合性，并且冷却后会固化以粘合物体的粘合剂。例如，可以使用粘合剂如热可塑性树脂、光聚合性树脂等。以剥离层12是金属膜或合金膜的情况为例说明了半导体装置的制造方法，但是本发明不局限于该例子。剥离层只要是通过施加机械性外力来可剥离元件形成层的材料即可。此外，以在元件形成层11和剥离层12的界面产生剥离的情况为例说明了半导体装置的制造方法，但是产生剥离的部分不局限于此。例如，也可以通过以硅烷气体为原料、利用等离子体CVD法在衬底10上形成含有氢的非晶硅膜作为剥离层12。在此情况下，也可以从村底10—侧照射紫外光区的激光束如受激准分子激光等来从非晶硅膜放出氢。由此，非晶硅膜和衬底10的紧密性降低，或者非晶硅自身变为脆弱，从而可以使在剥离层12和衬底10的界面或剥离层12内部产生剥离。此外，也可以将剥离层12设置为不同材料的多个层的膜，由此，使在构成剥离层的层的界面产生剥离。例如，作为剥离层12,通过溅射法形成鴒膜，并且通过賊射法在该鴒膜上形成二氧化硅膜。当淀积二氧化硅膜时，鴒的氧化物形成于鴒膜和二氧化硅膜的界面。由此，由于鴒膜和二氧化硅膜的界面的接合较弱，从而可以通过向剥离层12施加外力，来使在鴒膜和二氧化硅膜之间产生剥离。本发明的剥离装置可以连续地进行从图3所示的将支持基体材料14固定到元件形成层11的处理到图6所示的从衬底IO分离元件形成层11的处理。以下参照图11说明本发明的剥离装置的结构例子。图11是表示本发明的剥离装置的结构例子的侧面图。此外，图ll还表示元件形成层从衬底剥离而转移(贴附)到支撑村底的样子。图11的薄膜30是相当于图3的支持基体材料14的基体材料。薄膜30的一个表面具有由树脂构成的粘合层。图11所示的剥离装置包括用来供应薄膜30的供应用滚筒31;用来回收转移有元件形成层11的薄膜30的回收用滚筒32;以及对元件形成层11和薄膜30的一对进行加压的加压用滚筒33、34。另外，剥离装置还包括用来供应液体15的液体供应用喷嘴35;以及供应干燥空气36的干燥用喷嘴37。加压用滚筒33和加压用滚筒34之间的空隙夹有薄膜30和衬底10,滚筒31至34协同旋转使得薄膜30移动，薄膜30由供应用滚筒31送出且由回收用滚筒32缠上。此外，以通过加压用滚筒33、34施加压力的地方为支点，由回收用滚筒32向衬底10的上表面的倾斜上方拉伸薄膜30。加压用滚筒33、34进行旋转，由此，衬底10移动。接下来，说明图11的剥离装置的使用方法。使形成有元件形成层11及剥离层12的衬底10和薄膜30经过加压用滚筒33和加压用滚筒34之间的空隙。使衬底10经过，以使衬底10的形成有元件形成层11一侧与加压用滚筒33—侧相对。使薄膜30的粘合剂一侧朝着加热用滚筒34—侧。通过供应用滚筒31和回收用滚筒32向薄膜30的两端之间施加张力，以避免薄膜30松弛。使加压用滚筒33、34旋转来移动衬底10。随着加压用滚筒33、34的旋转，供应用滚筒31和回收用滚筒32也旋转。通过这些滚筒的旋转，元件形成层11在加压用滚筒33和加压用滚筒34之间贴附到薄膜30。在加压用滚筒33、34的回收薄膜30—侧，薄膜30向对置衬底10的移动方向(水平方向)为倾斜的方向被拉伸，薄膜30沿着加压用滚筒33的曲面弯曲。通过使薄膜30弯曲，在元件形成层11和剥离层12之间产生剥离，元件形成层ll转移到薄膜30上。换言之，滚筒32、33、34协同工作，使薄膜30变形，以从衬底10剥离元件形成层ll。在图11的剥离装置中的加压用滚筒33、34的回收薄膜30—側，使用喷嘴35滴下液体15,来向剥离的端部(图5中由虚线围绕的部分17)供应液体15。由此，在产生元件形成层11和剥离层12的剥离的瞬间，随着剥离而露出的表面由液体15浸湿，从而可以立即扩散由剥离产生的电荷。在比供应液体15的部分近于回收薄膜30—侧，由喷嘴3"7吹附干燥空气36，来干燥由液体15浸湿的元件形成层11。在使用不需要干燥处理的液体如挥发性液体和水的混合液等作为液体15的情况下，不需要由喷嘴37干燥处理。虽然在图11的剥离装置中，向元件形成层11和剥离层12之间的空隙滴下液体15,但是也可以改变滴下液体15的位置。图12示出供应液体15的位置与图11不同的剥离装置。喷嘴41是供应液体15的液体供应用喷嘴。在图12所示的剥离装置中，在比图11近于回收薄膜一侧滴下液体15。滴下了的液体15顺着薄膜30及元件形成层ll供应到元件形成层11和剥离层12之间的空隙。图11和图12示出具有滴下液体的单元的剥离装置的结构例。图13示出剥离装置的其他结构例子。在图13所示的剥离装置中，作为液体供应单元具有容纳液体的水槽。以下，参照图13说明剥离装置的结构。图13所示的剥离装置包括用来供应薄膜30的供应用滚筒51;用来回收转移有元件形成层11的薄膜30的回收用滚筒52;用来对元件形成层11和薄膜30加压的加压用滚筒53、54;以及用来移动衬底10的传送带55、56。另外，剥离装置还包括容纳液体15的水槽57;以及喷出干燥空气58的干燥用喷嘴59。加压用滚筒53和传送带55夹着预定空隙地对置。加压用滚筒53和传送带55是用来将薄膜30贴附到元件形成层11的机构，并且布置在水槽57的外侧。加压用滚筒54和传送带56夹着预定空隙地对置。在加压用滚筒54和传送带56之间，元件形成层11从衬底10剥离。为了使元件形成层11中产生剥离的部分在于水槽57内，传送带56在于水槽57内。以由加压用滚筒54加压的部分为支点，由回收用滚筒52向对置衬底10的上表面为倾斜上方的方向拉伸薄膜30。在从加压用滚筒53到加压用滚筒54之间，薄膜30的移动方向和针对薄膜30的张力方向为平行，以避免改变薄膜30的形状。此外，供应用滚筒51、回收用滚筒52、加压用滚筒53、54是移动薄膜30的单元，通过这些滚筒协同旋转，薄膜30从供应用滚筒51送出，由回收用滚筒52缠上。通过传送带55、56旋转，来使衬底IO移动。接下来，说明图13的剥离装置的使用方法。使形成有元件形成层11及剥离层12的村底10和薄膜30经过在加压用滚筒53和传送带55之间的空隙、以及加压用滚筒54和传送带56之间的空隙。使衬底10经过，以使衬底10的形成有元件形成层11一側朝着加压用滚筒53、54。使薄膜30经过，以使薄膜30的粘合层一侧朝着传送带55、56。利用供应用滚筒51和回收用滚筒52向薄膜30的两端之间施加张力，以避免薄膜30松弛。随着加压用滚筒53、54的旋转，传送带55、56、供应用滚筒51、以及回收用滚筒52也旋转，使得与衬底IO—起移动薄膜30。薄膜30在加压用滚筒53和传送带55之间贴附到元件形成层11。并且，衬底10与薄膜30—起移动，送到加压用滚筒54和传送带56之间的空隙。在加压用滚筒54和传送带56的回收薄膜一侧，薄膜30向对置衬底10的移动方向为倾斜的方向被拉伸，薄膜30沿着加压用滚筒54的曲面弯曲。通过使薄膜30弯曲，在元件形成层11和剥离层12之间产生剥离，元件形成层11转移到薄膜30上。换言之，回收用滚筒52、加压用滚筒54、以及传送带56协同工作，使薄膜30变形，以从衬底10剥离元件形成层11。另一方面，衬底10在经过加压用滚筒54和传送带56之间之后，落在水槽57中。在图13的剥离装置中，元件形成层11的产生剥离的部分在于水槽57的液体15中。由此，在产生元件形成层11和剥离层12的剥离的瞬间，随着剥离而露出的表面由液体15浸湿，从而可以立即扩散由剥离产生的电荷。最后，由喷嘴59向转移有元件形成层11的薄膜30吹附干燥空气58,来干燥元件形成层11。在使用不需要千燥处理的液体如挥发性液体和水的混合液等作为液体15的情况下，不需要由喷嘴59干燥处理。并且，在图11、图12所示的剥离装置中，可以将加压用滚筒34改变成传送带。此外，在图13的剥离装置中，可以将传送带55、56的一方或双方改变成加压用滚筒。实施例1在本实施例中，说明利用本发明的剥离装置的能够无接触地输出/输入数据的半导体装置的制造方法。在本实施例中，在元件形成层中形成以13.56MHz的信号进行无线通信且用作IC标签的集成电路。以下参照图1至图10、以及图14至图17说明本实施例。如图1所示，在衬底IO上形成剥离层12，并且在该剥离层12上形成集成电路。以下，参照图14至图17说明剥离层12及元件形成层11的制造方法。作为衬底10,使用将旭玻璃公司制造的玻璃衬底(厚度为0.7mm，商品名为AN100)切断为每边5英寸而形成的衬底。如图14所示，形成氧氮化硅(Si(hNy，x>y)层101a和钨层101b的多层结构作为剥离层12。氧氮化硅层101a利用平行平板型等离子体CVD装置使用SiH"N20作为原料气体形成为200nm的厚度。钨层101b利用溅射装置使用钨靶形成为50nm厚。产生N20的等离子体，对钨层101b的表面进行等离子体处理来使该表面氧化，形成钨氧化物。通过该等离子体处理，在作为剥离层12和元件形成层11的界面的钨氧化物产生剥离。此外，在剥离层12的下层的氧氮化硅层101a是一种阻挡层，该阻挡层用来当通过溅射法形成鴒层101b时，避免杂质从村底10如玻璃衬底等扩散。作为阻挡层，可以使用由其他无机材料如氧化硅、氮化硅等构成的绝缘膜。如图15所示，在剥离层12上形成成为元件形成层11的TFT等半导体元件的基底绝缘层的绝缘层103。作为绝缘层103,形成氧氮化硅(Si0xNy,x<y)层103a和氧氮化硅(SiOxNy,x〉y)层103b的叠层结构。第一层的氧氮化硅层103a利用平行平板型等离子体CVD装置使用SiH"N20、NH3、H2作为原料气体形成。第二层的氧氮化硅层103b利用平行平板型等离子体CVD装置使用SiH"化0作为原料气体形成。如图16所示，在绝缘层103上使用TFT、电容器等半导体元件形成集成电路。在图16中的集成^路的截面图示出由n沟道型TFT104和p沟道型TFT105构成的CMOS电路。并且，在一片衬底10上同时形成以矩阵方式排列的48个(8行x6列)集成电路。为了进行无线通信，形成连接到集成电路(TFT104、105)的天线107。首先，在形成天线107之前，覆盖集成电路(TFT104、105)地形成绝缘膜106。在本实施例中，使用感光性聚酰亚胺形成绝缘膜106,并且在绝缘膜106中形成用来连接天线107的开口部。通过印刷法在绝缘膜106上将银(Ag)膏形成为所希望的形状，来形成天线107。并且，形成在同一衬底10上的48个集成电路中，一半设置有天线107来形成集成电路和天线的叠层结构。此外，另一半使用银膏形成用来连接外部安装的天线的凸块而代替设置天线107。并且，通过溅射法形成如铝等的导电膜，通过蚀刻法将该导电膜加工为所希望的形状，以可以形成天线107或凸块。最后，如图17所示，覆盖天线107地形成密封用的树脂层108。作为树脂层108,形成厚度为30nm的环氧树脂层。通过以上步骤，在衬底IO上形成由剥离层12及元件形成层ll构成的结构物。在衬底10上的元件形成层11中形成有多个集成电路。如图2所示，预先在元件形成层11中形成沟槽13,以便当从衬底10分离元件形成层11时，可以将集成电路一个一个地分开。沟槽13以围绕元件形成层11中的每个集成电路的周围的方式形成。在本实施例中，通过照射波长为266nm、输出为2W的UV激光来形成沟槽13。通过在元件形成层11中形成沟槽13,在由沟槽13露出的元件形成层11和剥离层12的界面稍微产生剥离，使元件形成层11处于沿沟槽13浮出的状态。接下来，使用图11所示的装置进行图3至图6所示的一系列步骤。作为薄膜30，使用其一个表面附有粘合层的PET(Poly-Ethylene-Terephtalate)薄膜。PET薄膜的厚度(除了粘合层以外)为0.lmm，粘合力为0.39N/25mm。作为液体15使用溶解C02的纯水(以下称为C(h水)。C(h水的电阻率为0.2MQ.cm。加压用滚筒33和加压用滚筒34以0.8mm至0.9mm的间隔配置。使加压用滚筒33和加压用滚筒34旋转，使得薄膜30和衬底10的移动速度为200mm/min。此外，在本实施例中，从喷嘴37吹附干燥空气，来干燥转移到薄膜30的元件形成层11。使用图ll的剥离装置，从喷嘴35喷射C02水的同时，从衬底IO剥离元件形成层11。C(h水浸入到元件形成层11和剥离层12之间的空隙，可以在产生剥离的瞬间浸湿元件形成层11和剥离层12。在元件形成层11粘合到薄膜30的状态(图6的状态)下，利用光学显微镜观察元件形成层11，来确认是否产生因放电而导致的电力破坏(因为放电而产生的热，半导体层、绝缘膜、导电膜等熔化的破坏)。通过光学显微镜的观察的目的在于确认在半导体元件中是否产生看得见的破坏。在本实施例中，通过光学显微镜观察形成在一个衬底10上的48个所有的集成电路。作为比较例子，比较例1示出如下情况当使用图11的装置进行剥离时，使用除电器来除电，而代替供应液体15。在比较例1中使用送风型除电器，而在比较例2中使用软X线射线除电器。这些除电器的性能都为如下为了将离此有15cm且以土5000V带电的物体除电到土100V以下，而需要的时间短于1秒。此外，作为比较例3,示出如下例子在不供应液体且不使用除电器的情况下，使用图11的剥离装置剥离元件形成层11。通过光学显微镜的观察的结果，在供应液体(C02水)剥离了的元件形成层中的集成电路没有产生电力破坏。另一方面，在从衬底10分离元件形成层11而不供应液体15的情况下，有产生了电力破坏的集成电路。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表1示出了通过光学显微镜的观察结果。如表l所示，在没有进行任何静电措施的衬底(比较例3)和用送风型除电器除电的衬底(比较例i)中，可以制造不产生电力破坏的集成电路的比例仅仅是r/。而已。此外，也在用软X射线除电器除电的村底(比较例2)中，可以制造了的不产生静电破坏的集成电路的比例仅仅大约是12%而已。与比较例1至3相比，通过如实施例1那样供应液体，可以不产生电力破坏。在获得图6的状态之后，进行参照图7至图9说明的一系列的步骤，如图9所示，制造具有由第一挠性衬底18和第二挠性衬底19密封的元件形成层11的半导体装置。并且，在包括集成电路中没有连接到天线的电路的元件形成层11上如图IO所示地固定形成有天线的薄膜而代替第二挠性衬底19,来制造半导体装置。使用各向异性导电性粘合剂来粘合薄膜21和元件形成层11，以便集成电路的凸块和薄膜21上的天线的端子电连接。图9及图IO所示的半导体装置可以用作内置在无接触型IC标签等的嵌体(inlet)。并且，本发明的半导体装置除了中间产品如嵌体以外，还包括如图9及图10所示的最终产品如将嵌体内置在塑料卡中、附到密封签条、或者埋入纸中而形成的IC卡、ID签条、以及IC标签等。向通过本实施例的制造方法而完成的图9及图10所示的半导体装置以无线的方式输入信号，来检查其是否进行预定的工作。结果，确认到通过光学显微镜观察的所有半导体装置(光学显微镜的观察对象的包括集成电路的半导体装置)都工作。根据表l的光学显微镜的观察结果，可以认为通过在供应液体的同时从衬底分离元件形成层，可以防止因剥离而造成的静电的放电。换言之，根据本发明的实施例，可以防止因由剥离产生的电荷而破坏包括在半导体装置中的半导体元件并且防止其特性的恶化。并且，在本实施例的结构中，虽然随着剥离而露出的元件形成层11的下表面由电阻高的材料如鵠的氧化物、氧氮化硅构成，但是通过适用本实施例，可以防止集成电路因剥离放电而被破坏。换言之，通过使用本发明的剥离装置，形成元件形成层11的下表面的材料不局限于导电材料，而可以使用绝缘材料形成。就是说，在本发明的剥离装置中，随着剥离而产生的电荷不向分离了的两个层中任何一侧的内部放电，因此即使元件形成层的下表面是绝缘材料，也可以防止包括在元件形成层的半导体元件因由剥离产生的静电而被破坏，并且防止半导体元件的特性恶化。实施例2在本实施例中，参照图18A至18D说明具有天线和能够进行无线通信的集成电路的半导体装置的结构例子。图18A是表示作为本发明的半导体装置的ID签条的结构例子的图。签条衬纸(分离纸)160上形成有多个ID签条161。每个ID签条161包括具有能够进行无线通信的天线和集成电路的嵌体162。ID签条161收纳在容器163内。ID签条161上记有与商品或服务有关的信息(商品名、牌子、商标、商标权人、销售人、制造人等)。另一方面，内置于ID签条161的嵌体162的集成电路存储有该商品(或商品的种类)特定的ID号码。嵌体162的集成电路中存储有在ID签条161上记不完的庞大信息，例如，商品的产地、销售地、品质、原材料、效能、用途、数量、形状、价格、生产方法、使用方法、生产时期、使用时期、食品保质期限、使用说明、有关商品的知识产权信息等。图18B是表示ID标签165的结构例子的图。ID标签165是通过在纸张或塑料标签中内置嵌体162而制成的。在商品上附加能够进行无线通信的ID标签165，使得商品管理更容易。例如，在商品被偷盗的情况下，可以通过跟踪商品的去处而迅速找出犯人。如上所述，通过附加ID标签可以实现所谓的跟踪能力高的商品的流通。图18C是表示ID卡166的结构例子的图。ID卡166是在两片塑料卡之间夹有嵌体162(未图示)而构成的。作为这种ID卡166，包括各种各样的卡片类，例如，现金卡、信用卡、预付卡、电子车票、电子货币、电话卡、会员卡等。图18D是表示在纸中包括集成电路的半导体装置的结构例子的图，并且表示将本发明应用于无记名债券167的例子。无记名债券167中嵌入有嵌体162。作为所述无记名债券167，包括邮票、车票、入场券等的票、商品票、购书券、文具券、啤酒券、米券、各种礼券、各种服务券等，但是，当然不局限于此。实施例3在本实施例中，参照图19A和19B说明作为本发明的半导体装置的有源矩阵型液晶模块的结构例子。图19A是液晶模块的俯视图，而图19B是沿图19A中的A-A'线切断的截面图。附图标记200是第一挠性衬底，由虛线表示的201是信号线驱动电路，202是像素部，并且203是扫描线驱动电路。在第一挠性衬底200上的元件形成层190中形成有由薄膜晶体管等构成的像素部202、信号线驱动电路201、以及扫描线驱动电路203。通过使用粘合剂将元件形成层190固定到第一挠性衬底200,以构成液晶模块用衬底。液晶模块用衬底通过上述实施方式、实施例l所说明的方法及剥离装置来制造。接下来，参照图19B说明元件形成层190的截面结构。在元件形成层19Q中，半导体元件形成在由绝缘膜构成的基底膜209上。信号线驱动电路201具有组合n沟道型薄膜晶体管211和p沟道型薄膜晶体管212而构成的CMOS电路。像素部202具有开关用薄膜晶体管213和电容元件214。开关用薄膜晶体管213由层间绝缘膜221覆盖。在层间绝缘膜221上形成有像素电极222。像素电极222电连接到开关用薄膜晶体管213。覆盖开关用薄膜晶体管213的布线、像素电极222、以及n沟道型薄膜晶体管211及p沟道型薄膜晶体管212的布线地形成有保护膜223。保护膜223可以防止杂质侵入到薄膜晶体管的激活层、层间绝缘膜221等。在保护膜223上形成有取向膜224。并且，取向膜224根据需要而形成。元件形成层190内的布线210是用来传送输入到信号线驱动电路201及扫描线驱动电路203的信号等的布线，并且连接作为外部输入端子的FPC(柔性印刷电路)208。并且，本发明的液晶模块包括只安装有FPC208的方式和安装有FPC208及PWB的双方的方式。本实施例的液晶模块包括具有第一挠性衬底200和元件形成层190的液晶模块用衬底、使用了第二挠性衬底230的对置衬底、密封材泮牛205、液晶240、以及FPC(柔性印刷电路)208，并且可以弯曲。关于对置衬底，在第二挠性衬底230上形成有滤色器231、黑矩阵(BM)232、对置电极233、以及取向膜234。滤色器231也可以设置在第一挠性衬底200—侧。此外，可以将对置电极233设置在第一挠性衬底200的元件形成层190上，来构成IPS方式的液晶模块。利用密封材料205与第一挠性衬底200对置地固定第二挠性衬底230，并且液晶240由密封材料205密封在第一挠性衬底200和第二挠性衬底230之间。虽然在本实施例中示出了在元件形成层190中形成信号线驱动电路201及扫描线驱动电路203的例子，但是也可采用如下结构在元件形成层190中只形成像素部202,并且信号线驱动电路201及扫描线驱动电路203由使用硅片的IC芯片构成并通过COG法或TAB法电连接到第一挠性衬底200上的像素部202。实施例4在本实施例中，参照图20A和20B说明作为本发明的半导体装置的有源矩阵型EL模块的结构例子。图20A是EL模块的俯视图，而图20B是沿图20A中的A-A'线切断的截面图。图20A和20B所示的BL模块可以弯曲，并且具有如下结构形成在元件形成层内的晶体管及发光元件通过在第一挠性衬底301和第二挠性衬底306之间形成的密封剂305来密封。在第一挠性衬底301上通过粘合剂固定包括像素部302、信号线驱动电路303、以及扫描线驱动电路304的元件形成层300,来构成EL模块用衬底。EL模块用衬底通过上述实施方式、实施例1所说明的方法及剥离装置来制造。通过使用密封剂305和第二挠性衬底306密封EL模块用衬底，来构成EL模块。在本实施例的EL模块中，由EL模块用衬底、密封剂305、以及第二挠性衬底306封闭的空间中填充有填充剂307。作为填充剂307,除了氮或氩等惰性气体以外，还可以使用紫外线固化树脂或热固化树脂，并且可以使用聚氯乙烯、丙烯、聚酰亚胺、环氧树脂、硅树脂、聚乙烯醇缩丁醛、乙烯-醋酸乙烯酯。以下说明元件形成层300的结构。像素部302、信号线驱动电路303、以及扫描线驱动电路304分别具有多个薄膜晶体管。在图20B中仅仅示出了包括在信号线驱动电路303中的薄膜晶体管308和包括在像素部302中的薄膜晶体管310。像素部302具有发光元件311,并且该发光元件311与薄膜晶体管310电连接。引绕布线314是用来从外部给元件形成层300内的电路供应信号或电源的布线。引绕布线314通过引绕布线315a、引绕布线315b连接到两层结构的连接端子316。连接端子316通过各向异性导电膜319电连接到柔性印刷电路(FPC)318所具有的端子。实施例5本发明的半导体装置包括在其显示部具备实施例3所说明的液晶模块或实施例4的EL模块的电子设备。以下，将液晶模块和EL模块综合称作"显示模块"。作为这种电子设备，可以举出计算机用的监视器、电视装置(简单地称为电视或电视接收机)、影像拍摄装置如数字照相机及数字摄像机等、便携式电话装置(简单地称为便携式电话机、手机)、便携式信息终端如PDA(个人数码助理)等、笔记本式计算机、汽车音响、导航系统、数字音乐播放器、便携式DVD再现装置、便携式游戏机、以及商用游戏机等。对这些具体例子，参照图21A至21C进行说明。1图21A和21B是电视装置。其内置的显示模块的结构包括只有像素部形成在元件形成层内，而扫描线侧驱动电路及信号线侧驱动电路安装在衬底上的结构；像素部和扫描线侧驱动电路形成在元件形成层内，而信号线侧驱动电路使用另行安装在衬底上的驱动器IC的结构；以及像素部、信号线侧驱动电路、以及扫描线侧驱动电路形成在元件形成层内的结构等。本发明的显示模块可以采用上述中的任何结构。并且，将扫描线侧驱动电路及信号线侧驱动电路安装在衬底上是通过TAB方式、C0G方式等安装方式进行的。作为显示模块以外的外部电路，电视装置在影像信号的输入一侧包括在由调谐器接收的信号中，放大影像信号的影像信号放大电路；将其输出的信号变换为对应于红、绿、蓝的各种颜色的颜色信号的影像信号处理电路；以及将其影像信号变换为驱动器IC的输入规格的控制电路等。控制电路向扫描线一側和信号线一侧分別输出信号。在为数字驱动的情况下，其结构也可以是在信号线一侧设置信号分割电路，将输入数字信号分割为多个而供应。在由调谐器接收的信号中，声音信号被送到声音信号放大电路，其输出经过声音信号处理电路供应到扬声器。控制电路从输入部接收接收站(接收频率)或音量的控制信息，并将信号送出到调谐器或声音信号处理电路。如图21A和21B所示，在电视装置中，显示模块组装在机箱中。由显示模块形成主屏面403，作为其他附属设备还具有扬声器部409、操作开关等。根据上述步骤，可以制作电视装置。如图21A所示，在机箱401中组装液晶模块402。由接收机405除了进行一般电视广播的接收以外，还可以通过调制解调器404与有线或无线方式的通信网络连接，进行单向(由发送者到接收者)或双向(在发送者和接收者之间，或者在接收者之间)的信息通信。电视装置的操作可以由组装在机箱中的开关或另行提供的遥控操作机406来进行。该遥控装置也可以设置有显示输出信息的显示部407。此外，电视装置还可以附加有如下结构使用第二显示用面板形成主屏面403以外的副屏面408,以显示频道或音量等。在这种结构中，优选采用视角优异的EL模块形成主屏面403，而采用能够以低耗电量进行显示的液晶模块来形成副屏面408。此外，当要优先低耗电量时，优选采用如下结构使用液晶模块来形成主屏面403,使用EL模块形成副屏面408，并且副屏面408能够开关。图21B为例如具有20至80英寸的大型显示部的电视装置，包括机箱410、作为操作部的键盘部412、显示部411、以及扬声器部413等。显示模块适用于显示部411。图21B的显示部411使用了可弯曲的显示模块，因此制造为显示部411弯曲了的电视装置。像这样，通过使用挠性显示模块，显示部411的形状不局限于平面，而可以制造各种形状的电视装置。根据本发明，可以提高显示模块的成品率，从而还可以降低成本。因此，采用了本发明的电视装置即使具有较大屏面的显示部也可以以低成本制造。当然，本发明的模块不局限于电视装置，除了个人计算机的监视器以外，还可以适用于铁路的车站或飞机场等中的信息显示屏、街头的广告显示屏等大面积显示媒体的各种用途。本发明的显示模块可以适用于手机、数字照相机等各种便携式器具的显示部。作为便携式器具的一个例子，图21C示出电子书籍的结构例子。电子书籍包括主体421、显示部422及423、存储媒体424、操作开关425、以及天线426等。通过将挠性显示模块用于显示部422，可以实现便携式器具的轻量化。实施例6在本实施例中，说明通过在供应液体的同时从村底分离元件形成层，可以减弱为剥离而需要的外力，并且避免在元件形成层中产生破碎或裂缝等损伤。首先，说明进行剥离试验的样品的制造方法。图22是说明进行剥离试验的样品的叠层结构的图。准备玻璃衬底500。作为玻璃村底500使用旭玻璃公司制造的无碱玻璃(商品名为AN-100)。其厚度为0.7歷，大小为100匪xl20匪。通过等离子体CVD装置在玻璃衬底500上将氧氮化硅(SiOxNy，x>y)膜501形成为100nm厚。作为形成氧氮化硅膜501的工艺气体使用SiH4及N20。通过溅射装置在氧氮化硅膜501上将鴒膜502形成为50nm厚。作为耙使用鴒，而作为放电用气体使用氩。鴒膜'502用作剥离层。在鴒膜502上形成绝缘膜和半导体膜的叠层膜当作元件形成层。首先，通过等离子体CVD装置将氧氮化硅(Si0xNy,x")膜503形成为600nm厚。作为形成氧氮化硅膜503的工艺气体使用Si^及N2()。此外，在鵠膜502上淀积氧氮化硅膜503之前，向形成氧氮化硅膜503的室内仅供应N20气体，激发该N20气体来使其等离子体化，以使钨膜502的表面氧化形成鴒氧化物。该等离子体处理是用来使在钨膜502和氧氮化硅膜503的界面比其他界面优先地产生剥离的处理。作为工艺气体使用SiH"H2、NH3、以及N20,通过等离子体CVD装置在氧氮化硅膜503上形成厚度为100nm的氧氮化硅(SiOxNy，x<y)膜504。作为工艺气体使用Si出及N20，通过等离子体CVD装置在氧氮化硅膜504上形成厚度为lOOnm的氧氮化硅(Si(LNy,x>y)膜505。作为工艺气体使用Si&及H2，通过等离子体CVD装置在氧氮化硅膜505上形成厚度为66nm的非晶硅膜506。氧氮化硅膜504、氧氮化硅膜505、以及非晶硅膜506在等离子体CVD装置的同一室内形成，通过改换供应到室内的工艺气体，而连续地形成这些膜。接下来，作为工艺气体使用SiH"H2、NH3、以及N20，通过等离子体CVD装置在非晶硅膜506上形成厚度为lOOnm的氧氮化硅(Si(LNy，x〈y)膜507。作为工艺气体使用SiH4及N20，通过等离子体CVD装置在氧氮化硅膜507上形成厚度为600nm的氧氮化硅(SiOxNy，x>y)膜508。接下来，向玻璃衬底500—侧照射UV激光来切断形成有膜501至508的玻璃衬底500，以使样品的大小为20mmxl00mm的长条形。图23示出加工为长条形的样品的平面图。接着，为了形成剥离的开端，照射UV激光，如图23所示，在样品中形成到达鴒膜502的沟槽510。通过形成沟槽510,在氧氮化硅膜503和鵠膜502之间产生剥离。通过以上方法，准备好了进行剥离试验的样品。接下来，说明剥离试验的方法。准备幅度为20mm左右的加热剥离胶带。作为加热剥离胶带使用电气化学工业公司制造的ElegripTape(型号为FA1250)。该加热剥离胶带的衬底和粘合层的总和厚度为150nm，粘合层的厚度为50pm。加热剥离胶带的衬底由PET(聚对苯二曱酸乙二醇酯)构成。"将加热剥离胶带贴附到形成有沟槽的样品。加热剥离胶带贴附在氧氮化硅膜508—侧。通过揭下加热剥离胶带，可以从衬底500剥离由膜508至503构成的叠层膜。通过拉伸加热剥离胶带来测定将由膜508至503构成的叠层膜从钨膜502剥离所需要的拉伸力。在剥离试验中，使用岛津制作所制造的小型台式试验机(EZ-TESTEZ-S-50N)。在剥离试验方法中，使用依照日本工业规格UIS)的规格号码JISZ0237的粘合胶带/粘合薄片试验方法。分别测定在向样品供应纯水的同时剥离和不供应纯水的剥离的拉伸力。并且，纯水的供应是通过将样品安装在试验机，然后向剥离部分使用滴管滴下纯水而进行的。图24是表示剥离试验结果的曲线图。在图24中，纵轴表示施加到加热剥离胶带的拉伸力，而横轴表示行程(stroke)。行程表示外力的作用点的位移，即，产生剥离的点的位移。由图24的曲线图可见，供应纯水时的拉伸力是不供应纯水时的1/2以下。根据该剥离试验而确认到通过供应純水，可以使用更小外力进行剥离。此外，在以不供应純水的方式进行剥离试验时，图24的曲线图显示出锯齿形的轮廓。锯齿形的轮廓表示如下的剥离的进展情况当以不供应纯水的方式进行剥离时，与一边供应纯水一边进行剥离的情况相比，更强大的外力施加到作用点，但是随着剥离的进展该外力急剧地减弱。剥离通过反复重复这种施加到作用点的外力的增强和急剧的减弱而得以进展。当观察以不供应纯水的方式进行剥离的样品时，可以确认到在拉伸力急剧减弱的部分产生裂缝。与此相比，在以供应纯水的方式进行剥离试验的样品中没有产生裂缝。如上所述，可以得知一边供应纯水一边进行剥离的方式，可以避免产生裂缝。并且，纯水是极性液体。为了进行比较，进行一边供应媒质为非极性的非极性液体一边剥离的试验。例如，作为液体使用氢氟醚(HFE)。在一边供应HFE—边进行剥离试验时，为了进行剥离而需要比不供应液体时更大的拉伸力。在使用苯时也与使用HFE同样。由以上剥离试验获知如下结果通过在供应极性液体如纯水、水溶液、乙醇、以及丙酮等的同时进行剥离，可以消除因剥离带电而导致的放电，并降低为剥离而需的外力，并且避免在被剥离的对象中产生损伤如裂缝等。'本说明书根据2006年9月29日在日本专利局受理的日本专利申请编号2006-266531而制作，所述申请内容包括在本说明书中。权利要求1.一种从衬底上剥离形成在所述衬底上的包括结构物的层的剥离装置，包括在改变包括所述结构物的层的形状的同时，从所述衬底上剥离所述包括结构物的层的单元；以及向通过剥离包括所述结构物的层而露出的表面供应液体的单元。2.—种从衬底上剥离包括半导体元件且形成在所述村底上的元件形成层的半导体装置的制造装置，包括将挠性衬底贴附到所述元件形成层的单元；移动所述挠性衬底，以改变所述元件形成层的形状的单元；以及向通过剥离所述元件形成层而露出的表面供应液体的单元。3.—种从衬底上剥离包括半导体元件且形成在所述衬底上的元件形成层的半导体装置的制造装置，包括将挠性衬底贴附到所述元件形成层的单元；移动所述挠性衬底，以改变所述元件形成层的形状的单元；以及容纳液体的水槽，其中，在所述水槽内剥离所述元件形成层。全文摘要本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。文档编号H01L21/00GK101154561SQ20071015324公开日2008年4月2日申请日期2007年9月29日优先权日2006年9月29日发明者保坂泰靖,广末美佐子,桥本健一,江口晋吾,谷敦弘,门马洋平申请人:株式会社半导体能源研究所