1.生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱。
2.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述铝金属层厚度为150～200μm。
3.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述银金属层的厚度为100～300nm。
4.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为5～50nm。
5.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为50～80nm。
6.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述非掺杂GaN层的厚度为200～300nm。
7.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，所述InGaN/GaN量子阱为7～10个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为2～3nm；GaN垒层的厚度为10～13nm。