本发明涉及一种用于器件的载体、一种载体和一种用于制造载体或器件的方法。
背景技术：
包含多层地构成的载体的器件通常由于在层或载体的彼此邻接的组成部分之间差的附着而具有不足的机械稳定性。
技术实现要素：
一个目的是，提出一种具有高的机械稳定性的载体和器件。此外，提出一种用于制造用于器件的载体或用于制造具有这种载体的器件的成本适宜的方法。
根据用于光电子器件的载体的至少一个实施方式，所述载体具有成型体和至少一个过孔。成型体尤其由电绝缘的成型体材料、例如由塑料、例如由可浇注的聚合物，如树脂、环氧化物或硅树脂构成。过孔尤其由导电材料形成。载体具有前侧和后侧，其中前侧和后侧尤其局部地通过成型体的表面形成。过孔优选构成为，使得所述过孔沿竖直方向穿过成型体，例如从载体的后侧延伸至前侧。过孔由成型体沿横向方向全方位地包围。载体能够具有多个这种过孔。
将竖直方向理解成如下方向，所述方向横向于、尤其垂直于载体的前侧和/或后侧定向。将横向方向理解成如下方向，所述方向大致平行于载体的前侧和/或后侧伸展。竖直方向和横向方向彼此横向地、例如垂直地定向。
根据载体的至少一个实施方式，所述载体具有多个加强纤维。加强纤维优选由电绝缘的材料构成。加强纤维能够是织物纤维(Stofffasern)或玻璃纤维。尤其地，加强纤维促成在成型体和过孔之间的机械连接。这表示，成型体和过孔例如借助于加强纤维彼此机械连接。优选地，加强纤维分别局部地在成型体中并且局部地在过孔中设置。在此不需要的是，全部处于载体中的加强纤维分别局部地设置在成型体中并且局部地设置在过孔中。
通过加强纤维，成型体和过孔彼此机械连接。过孔在此能够直接地邻接于成型体。除了成型体和过孔之间的附着力，通过加强纤维尤其提高在成型体和过孔之间的机械连接，由此在过孔的材料和成型体的材料之间能够出现真正刚性的连接。加强纤维在此能够部分地进入到过孔中或者延伸穿过过孔。
在载体的至少一个实施方式中，所述载体具有成型体、过孔和多个加强纤维，其中成型体由电绝缘的成型体材料形成，过孔由导电材料形成，并且加强纤维通过如下方式促成在成型体和过孔之间的机械连接：加强纤维分别局部地设置在成型体中并且局部地设置在过孔中。
借助于加强纤维的这种设置，能够实现在成型体和过孔之间的机械稳定的、尤其刚性的连接。优选地，成型体包括增附剂，所述增附剂例如针对过孔的材料优化，使得通过附加的附着力提高在成型体和过孔之间的机械连接。
根据载体的至少一个实施方式，成型体邻接于过孔。加强纤维能够延伸穿过由成型体和过孔形成的边界面。因此能够实现在成型体和过孔之间的连接的高的机械负荷性。
根据载体的至少一个实施方式，加强纤维至少局部地彼此机械连接，尤其彼此交联或交织。因此，加强纤维至少局部地形成织物，其例如呈网或编织物的形式。织物优选局部地处于成型体中并且局部地处于过孔中的至少一个过孔中。织物的处于过孔之外的部分能够全方位地包围过孔。加强纤维的这种设计方案引起载体的机械稳定性的提高。替选地，也可行的是，加强纤维局部地或完全地以松散的形式、即不直接彼此机械连接地存在于载体中。在此，加强纤维能够至少局部地形成纤维束，所述纤维束例如局部地处于成型体中并且局部地处于一个过孔中或同时处于多个过孔中。
根据器件的至少一个实施方式，载体构成为，使得加强纤维沿横向方向延伸穿过成型体和过孔。成型体能够具有侧面，所述侧面包含加强纤维。尤其地，侧面能够具有分割痕迹，所述分割痕迹例如可在侧面上的切开的加强纤维处可见。
根据载体的至少一个实施方式，所述载体具有第一过孔和第二过孔。沿横向方向在第一过孔和第二过孔之间设置有中间区域，其中加强纤维例如局部地处于中间区域中并且将第一过孔与第二过孔机械连接。加强纤维在该情况下优选局部地不仅设置在第一过孔中、而且也设置在第二过孔中。沿横向方向，第一和第二过孔彼此横向间隔开，并且例如通过成型体彼此电绝缘。在载体的后侧或前侧的俯视图中，第一和第二过孔沿横向方向能够由成型体全方位地包围。在中间区域中，加强纤维优选地由成型体的成型体材料围绕，使得加强纤维在载体中的位置是固定的。
根据载体的至少一个实施方式，成型体包含用于设定载体的热膨胀系数(CTE)的填充颗粒。填充颗粒尤其嵌入成型体材料中。填充颗粒在此与成型体材料相比能够具有更小的或更大的膨胀系数。优选地，填充颗粒是减小CTE的颗粒或球，使得载体例如关于热膨胀系数匹配于设置在载体上的半导体本体。
根据载体的至少一个实施方式，一个过孔或多个过孔以可电接触的方式构成在载体的后侧上。在此也可行的是，一个接触层或一个导电的保护层或多个这种层设置在载体的后侧上，所述层与过孔电接触，并且在此局部地或完全地覆盖过孔。一个或多个过孔同样能够在载体的前侧上是可电接触的。
在器件的至少一个实施方式中，所述器件具有载体和半导体本体，其中半导体本体设置在载体上。器件的载体尤其是在此描述的载体，所述载体具有局部地嵌入成型体中并且局部地嵌入载体的至少一个过孔中的加强纤维。半导体本体优选地具有有源层，所述有源层在器件运行时例如构建成用于检测或产生电磁辐射。器件尤其可经由载体外部电接触，其中半导体本体与至少一个过孔导电地连接。器件尤其是发光二极管。
半导体本体能够具有第一、例如n型传导的传导载体类型的第一半导体层；和第二、例如p型传导的传导载体类型的第二半导体层。第一半导体层也能够p型传导地构成，并且第二半导体层能够n型传导地构成。尤其地，有源层是pn结区。半导体本体能够借助于外延方法例如逐层地施加到生长衬底上。生长衬底随后能够从半导体本体移除，使得器件尤其不具有生长衬底。替选地，也可行的是，生长衬底构成为是辐射可穿透的，并且器件除了载体之外也能够具有辐射可穿透的生长衬底。
半导体本体具有第一主面，所述第一主面例如构成为器件的辐射透射面。此外，半导体本体具有背离第一主面的第二主面，所述第二主面例如朝向载体。载体尤其不可透光地构成。半导体本体的主面能够通过半导体本体的半导体层的表面构成。
根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有布线结构，所述布线结构沿竖直方向尤其局部地设置在半导体本体和载体之间。借助于布线结构，半导体本体能够与载体导电连接。布线结构尤其构建成，使得半导体本体的第一半导体层和第二半导体层借助于布线结构的不同的彼此电绝缘的子区域与载体的第一过孔或第二过孔导电连接。
器件能够具有绝缘结构，所述绝缘结构例如将布线结构的不同的子区域彼此电绝缘。布线结构和绝缘结构能够局部地延伸进入到半导体本体中。布线结构优选地具有贯穿接触部，所述贯穿接触部例如从第二主面穿过第二半导体层和有源层延伸进入到第一半导体层中，以电接触第一半导体层。在此，贯穿接触部能够通过绝缘结构与第二半导体层以及与有源层电绝缘。为了改进电流分布，布线结构也能够具有多个这种贯穿接触部。此外，布线结构能够具有导电的并且反射辐射的镜层，所述镜层例如由金属构成。镜层能够与一个贯穿接触部或与多个贯穿接触部导电连接。
根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有稳定化层，所述稳定化层例如设置在半导体本体和载体之间。在载体的俯视图中，稳定化层能够横向地桥接处于第一过孔和第二过孔之间的中间区域。稳定化层能够构成为布线结构的一部分。例如，稳定化层是导电的金属层，所述金属层与载体的第一过孔或第二过孔导电连接。在横向桥接中间区域的情况下，稳定化层在俯视图中能够与第一过孔、中间区域和第二过孔重叠，并且沿着横向方向尤其在中间区域的范围中机械稳定器件。
根据器件的至少一个实施方式，载体直接在半导体本体上制造。这表示，载体例如不在与半导体本体分开的生产步骤中制造，并且随后固定在半导体本体上，而是直接施加到半导体本体上或布线结构上，进而直接在半导体本体上构成。具有载体和半导体本体的器件因此能够在晶片级上、例如在晶片复合件中简化地制造。通过在晶片复合件中的工艺处理，还不需要的是，单独制造用于器件的载体，和将半导体本体施加在这种单独制造的载体上，并且电连接。能够放弃关于这种单芯片工艺的这种安装步骤，所述单芯片工艺为器件总制造成本的很大份额，由此成本有益地制造器件。
在用于制造载体的方法的至少一个实施方式中，提供具有多个嵌入基体材料中的加强纤维的成型体复合件。至少一个开口在成型体复合件中通过部分地且选择性地移除基体材料构成，使得局部地露出加强纤维。加强纤维在开口的区域中例如悬空。为了构成过孔，开口能够用导电材料填充，由此局部地在开口中露出的加强纤维由导电材料围绕，使得加强纤维沿着横向方向进入到过孔中。
尤其地，加强纤维能够沿着横向方向延伸穿过过孔。
在选择性地移除时，仅将由基体材料和加强纤维形成的成型体复合件中的基体材料局部地移除，使得通过移除基体材料局部地露出剩余的加强纤维。基体材料在此能够是可选择性结构化的、例如可选择性刻蚀的材料。基体材料能够选择成，使得处于一个开口或多个开口之外的剩余的基体材料能够形成载体的成型体。换言之，基体材料能够用作为成型体材料。对此，能够将剩余的基体材料硬化，使得由剩余的基体材料构成的成型体是足够机械稳定的，以便能够在使用寿命期间保留在器件上。剩余的基体材料关于其材料优选选择成，使得成型体的或载体的以及半导体本体的热膨胀系数彼此匹配。对此，基体材料能够具有用于调整热膨胀系数的填充颗粒。
替选地可行的是，将加强纤维嵌入到可选择性结构化的、例如可光结构化的材料中。基体材料在该情况中能够是光敏漆，所述光敏漆例如能够通过曝光结构化。在构成一个过孔或多个过孔之后，能够将基体材料完全移除。
根据方法的至少一个实施方式，在构成一个过孔或多个过孔之后，将基体材料移除，以露出加强纤维的其他例如邻接于一个过孔或多个过孔的区域。加强纤维的露出的其他区域能够由电绝缘的成型体材料再次填充。从该意义上讲，在构成过孔之后剩余的基体材料通过电绝缘的成型体材料至少局部地或完全地取代。成型体材料在此能够安置到加强纤维的露出的其他区域上，以构成载体的成型体，使得加强纤维的其他区域由成型体材料围绕，由此加强纤维分别局部地设置在成型体中并且局部地设置在过孔中。在成型体和过孔之间的机械的、尤其刚性的连接因此通过加强纤维形成。
根据方法的至少一个实施方式，成型体复合件在构成一个过孔或多个过孔之前逐层地构成，其中提供由基体材料构成的第一层，并且将加强纤维施加到第一层上或压入到第一层中。随后，将由基体材料构成的另一层施加到第一层或加强纤维上，之后将另外的加强纤维施加到另一层上或压入到另一层中。所述过程能够多次重复，使得构成具有多个基体材料层的成型体复合件，所述基体材料层具有处于其中的加强纤维。
根据方法的至少一个实施方式，加强纤维至少局部地彼此机械连接成织物。例如，加强纤维彼此交联或交织。加强纤维的这种涉及方案简化将加强纤维施加到由基体材料构成的层上，并且同时提高要制造的载体的机械稳定性。加强纤维能够在施加到由基体材料构成的层上之前以网的形式存在。替选地也可行的是，能够以松散的形式提供加强纤维，并且施加到由基体材料构成的层上。
根据用于制造多个器件的方法的至少一个实施方式，提供具有半导体复合件的晶片复合件。半导体复合件能够切割成多个分别具有有源层的半导体本体。为了制造载体或由多个载体构成的载体复合件，将成型体复合件施加到晶片复合件上或者在晶片复合件上逐层地构成。在构成一个过孔或多个过孔之后，能够将晶片复合件和成型体复合件分割成多个器件，使得器件分别具有半导体本体之一，所述半导体本体设置在所属的载体上，其中所属的载体具有电绝缘的成型体、至少一个或多个导电的过孔和加强纤维。加强纤维例如通过如下方式促成在成型体和过孔之间的机械连接：加强纤维分别局部地设置在成型体中并且局部地设置在过孔中。
在上文中描述的方法尤其适合于制造在此描述的载体或在此描述的器件。结合载体或器件描述的特征因此也能够用于制造在此描述的载体或器件的方法，并且反之亦然。此外，在此描述的载体尤其适合作为用于在此描述的器件的载体，使得结合载体描述的特征也能够用于器件，并且反之亦然。
附图说明
载体、器件以及其制造的其他优点和优选的实施方式从下面结合图1A至4B阐述的实施例中得出。
附图示出：
图1A至1F示出用于制造载体或器件的方法的不同的实施例的不同的方法阶段的示意剖面图，
图2A至2D示出用于制造载体或器件的方法的另一实施例的不同的方法阶段的示意剖面图，
图3A至3C示出用于制造多个器件的方法的一个实施例的不同的方法阶段的示意剖面图，并且
图4A至4B示出用于器件的不同的实施例的示意剖面图。
相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图分别是示意图进而不一定是符合比例的。更确切地说或，为了说明能够夸大地示出相对小的元件和尤其层厚度。
具体实施方式
在图1A中提供复合件结构200，所述复合件结构能够是晶片复合件200，例如半成品的晶片复合件200，以制造载体或器件。复合件结构200也能够是辅助载体，在所述辅助载体上制造载体。复合件结构200在同一侧上在其表面上具有第一连接层410和第二连接层420。连接层410和420通过中间区域40沿横向方向彼此间隔开。连接层410和420适当地由导电材料形成。不同于图1A，复合件结构200能够具有多个第一连接层410和/或多个第二连接层420。
在图1B中在复合件结构200上构成成型体复合件50，以构成载体10。成型体复合件50具有多个嵌入基体材料51中的加强纤维52。加强纤维52能够是玻璃纤维或织物纤维，如织造纤维。加强纤维52在成型体复合件50中设置成，使得所述加强纤维在俯视图中局部地与连接层410、420和/或与中间区域40重叠。具有基体材料51和嵌入其中的加强纤维52的成型体复合件50能够单独地制造并且施加，例如层压到复合件结构200上。尤其地，成型体复合件50由光敏的并且借助玻璃纤维强化的电路板材料构成。在图1B中，加强纤维52作为松散的纤维示出。与此不同地，加强纤维52能够彼此机械连接，例如彼此交联或交织。加强纤维52也能够至少局部地是纤维束。
基体材料51优选是关于加强纤维52可选择性地移除的材料。这就是说，基体材料例如能够通过曝光或借助于溶剂、例如刻蚀剂局部选择性地移除，而加强纤维52在此不一起移除或溶解。优选地，基体材料51是光敏漆，所述光敏漆例如可通过有针对性的辐照而结构化。替选地，也可行的是，基体材料51关于其特性选择成，使得基体材料51能够用作为载体10的要构成的成型体5的成型体材料，其中基体材料51和加强纤维52关于其材料选择成，使得基体材料51关于加强纤维52方面可选择性地移除。
在图1C中，通过部分地且选择性地移除基体材料51在成型体复合件50中构成第一开口411和第二开口421。在开口411和421中局部地露出加强纤维52和所属的连接层410或420。尤其地，连接层410和420的露出的表面形成相应的开口411和421的底面。开口411和421因此沿竖直方向延伸穿过成型体复合件50或要制造的成型体5。在相应的开口的区域中，加强纤维52是悬空的。加强纤维52沿横向方向延伸穿过相应的开口，进入到基体材料51中，进而固定在开口的内壁上。换言之，基体材料51固住加强纤维52并且将其沿横向方向以及沿竖直方向越过用于要构成的过孔的露出的体积、即开口411和421固定。开口411和421因此分别由加强纤维52跨过。
根据图1D，为了构成第一过孔41或第二过孔42将第一开口411和第二开口421用导电材料填充。过孔41和42能够借助于电镀方法施加到连接层410和420上。在开口411和421中露出的加强纤维52由此能够由导电材料围绕进而尤其机械刚性地嵌入导电材料中。在构成一个过孔或多个过孔41和42之后，加强纤维52因此进入到相应的过孔中。在此，加强纤维52能够沿着横向方向延伸穿过过孔41和/或42。
在图1D中，要制造的载体10具有朝向复合件结构200的前侧11和与前侧11相对置的后侧12。载体10的前侧11和后侧12局部地通过成型体复合件50或成型体5的表面形成。过孔41和42沿竖直方向延伸穿过成型体复合件50。过孔41和42因此从载体10的后侧12延伸直至前侧11。由此，过孔能够在载体的后侧12和/或前侧11上电接触。在载体10的前侧11上，过孔41和42邻接于第一连接层410或第二连接层420。可行的是，基体材料51构成为，使得所述基体材料关于加强纤维52可选择性地移除并且能够同时用作为成型体5的成型体材料53。
如果基体材料51不适合于用作为成型体材料，那么基体材料51能够在构成过孔41和42之后移除以露出加强纤维52的其他区域，并且例如在随后的方法步骤中由电绝缘的成型体材料53取代。
根据图1E，在构成过孔41和42之后，能够将这种基体材料51完全地并且尤其选择性地移除。优选地，基体材料51在该情况下是光敏漆，所述光敏漆例如可通过曝光结构化或移除。剩余的加强纤维52在过孔41和42之外悬空。在此，所述加强纤维局部地进入到第一过孔41和/或第二过孔42中。加强纤维52因此局部地设置在第一过孔41中和/或在第二过孔42中，从而由过孔固住或固定。在图1E中多个加强纤维52跨过中间区域40进而将第一过孔41与第二过孔42连接。
在图1F中将成型体材料53施加到加强纤维52的露出的其他区域上，使得加强纤维52的其他露出的区域由成型体材料围绕以构成载体10的成型体5。成型体材料53在此能够直接邻接于过孔41和42，其中过孔41和42能够沿横向方向由成型体材料53全方位地围绕。在构成成型体5之后，加强纤维52分别局部地设置在成型体5中并且局部地设置在至少一个过孔41和42中，使得在成型体5和一个过孔或多个过孔41和42之间通过加强纤维52形成机械连接。
成型体5能够包含填充颗粒54，用于设定要制造的载体10的热膨胀系数，其中填充颗粒54嵌入成型体5的成型体材料53中。尤其地，填充颗粒54关于其材料选择成，使得成型体5的和复合件结构200的、例如复合件结构200的半导体本体的和/或过孔41和42的热膨胀系数彼此配合。然而在加强纤维52的浓度相应高的情况下，加强纤维52关于其材料选择成，使得能够放弃附加的填充颗粒54。这例如扩展了可行的成型体材料53的选择。加强纤维52和/或填充颗粒54关于其材料优选地选择成，使得在存在加强纤维52和/或填充颗粒54的情况下减小载体10的整体热膨胀系数。
成型体材料53可能还有填充颗粒54能够借助于浇注法尤其在压力影响下固定在加强纤维52上和过孔41和42上。通常将浇注方法理解成如下方法，借助所述方法能够将模塑料优选在压力作用下根据预设的形状构成并且在需要时硬化。尤其地，术语“浇注法”至少包括浇注(molding)、注塑成型(injection molding)、压铸成型(transfer molding转送成型)和模压成型(compression molding压缩成型)。
图2A至2D示出用于在复合件结构200上构成成型体复合件50或成型体5的实施例。在此，在构成过孔41和42之前逐层地在复合件结构200上构成具有基体材料51的成型体复合件50。成型体复合件50或成型体5因此不单独地、而是直接在复合件结构200上制造。
在图2A中示出将由基体材料51构成的第一层施加到复合件结构200上。在俯视图中，连接层410和420由基体材料51构成的第一层完全覆盖。基体材料51在此能够是处于液态的或膏状的状态的光刻胶。由基体材料构成的第一层例如能够以光刻胶膏的形式或通过喷射涂漆例如连同随后的干燥在复合件结构200上构成。在随后的方法步骤中，将加强纤维52施加到第一层上，例如通过铺放和按压来施加，或者压入到第一层中(图2B)。加强纤维52在此能够松散地存在或者彼此机械连接，例如彼此交联或交织。能够考虑的是，基体材料51能够用作为要制造的成型体5的成型体材料53。
在图2C中将由基体材料51构成的另一层施加到第一层或加强纤维52上。施加由基体材料51构成的另一层例如能够通过喷射涂漆连同随后的干燥进行。这能够确保加强纤维52的完全嵌入，而加强纤维52不丧失其局部位置。能够将其他加强纤维52施加到另一层上或者压入到另一层中，之后将由基体材料51构成的可能具有加强纤维52的附加的层施加到另一层上。施加由基体材料51构成的层和具有加强纤维52或由加强纤维52构成的层因此交替逐层地进行。
在图2D中示出的实施例基本上对应于在图1B中示出的实施例。与此不同地，根据图1B，将具有基体材料51和嵌入其中的加强纤维52的成型体复合件50与复合件结构200分开地以预制的方式提供，并且例如通过层压施加到复合件机构200上。根据图2A至2D，然而将成型体复合件50直接在复合件结构200上尤其逐层地构成。交替逐层地施加基体材料层和加强纤维52能够借助常见的光刻胶进行，使得不必单独地制造具有嵌入的加强纤维52的干式胶。
根据图3A，复合件结构200构成为晶片复合件200。晶片复合件200具有生长衬底1，例如外延地将半导体复合件20生长到生长衬底上。半导体复合件20具有朝向生长衬底1的第一、尤其n型传导的半导体层21和背离生长衬底1的第二、尤其p型传导的半导体层22。半导体复合件20此外包含设置在第一半导体层21和第二半导体层22之间的有源层23。半导体复合件20具有朝向生长衬底1的第一主面201和背离生长衬底1的第二主面202。尤其地，主面201和202通过半导体复合件20的半导体层21和22的表面形成。
晶片复合件200在背离生长衬底1的表面上具有多个连接层410和420。不同于图3A，晶片复合件能够具有多排或多列连接层410和420。此外，晶片复合件200具有用于电接触半导体复合件20的布线结构8。布线结构8设置在半导体复合件20和连接层410和420之间。布线结构8能够具有不同的子区域，所述子区域例如彼此电绝缘。
例如，第一半导体层21经由布线结构8的第一子区域与第一连接层410导电连接。布线结构8的第一子区域能够构成为贯穿接触部，所述贯穿接触部例如从第二主面202穿过第二半导体层22和有源层23延伸到第一半导体层21中。第二半导体层22例如能够经由布线结构8的另一子区域与第二连接层420电连接。
如在图3A中示出的，半导体复合件20例如通过构成一个或多个分离沟槽60切割成多个半导体本体2。沿横向方向，分离沟槽60例如穿过第二主面202、第二半导体层22和有源层23延伸进入到第一半导体层21中。与此不同地，分离沟槽60能够构成为，使得分离沟槽60沿竖直方向延伸穿过整个半导体复合件20。
在图3B中由多个加强纤维52和成型体材料53形成成型体复合件50。成型体复合件50的构成能够根据在图1A至2D中示出的用于制造一个或多个载体10或器件100的方法的实施例进行。
在图3C中将生长衬底1与半导体复合件20分离。将半导体复合件20的由此露出的表面结构化。要制造的器件100因此能够具有结构化的辐射透射面101。根据图3C，将呈晶片复合件200和成型体复合件50的形式的复合件结构200分割成多个器件100，使得器件100分别具有半导体本体2之一，其中半导体本体2设置在所属的载体10上。所属的载体10具有电绝缘的成型体5，所述成型体包含成型体复合件50的至少一部分。载体10具有导电的第一过孔41和导电的第二过孔42。此外，载体10具有多个加强纤维52，所述加强纤维通过如下方式促成在成型体5和第一过孔41和/或第二过孔42之间的机械连接：加强纤维52分别局部地设置在成型体5中并且局部地设置在第一过孔41中和/或在第二过孔42中。
根据图3C，将成型体复合件50和复合件结构200例如沿着一个分离沟槽60或沿着多个分离沟槽60分割，其中加强纤维52在分割时能够切开。由此构成的器件100能够分别具有载体10，所述载体的侧面具有切开的加强纤维52的痕迹。
在图3C中示出的器件100能够具有载体10，所述载体具有加强纤维52，其中加强纤维52沿横向方向延伸穿过成型体5和过孔41和/或42。过孔41和42能够在载体10的后侧12上或在器件的后侧102上电接触。器件100因此能够经由后侧102在外部电接触，使得器件100构成为可表面安装的器件。
在图3C中，器件100的半导体本体2具有侧面，所述侧面沿着竖直方向在第一主面201和第二主面202之间延伸。在横向方向上，半导体本体2的侧面由成型体5的成型体材料53至少局部地覆盖或完全地覆盖。
在图4A中，示意地示出器件100的实施例。该实施例基本上对应于在图3C中示出的器件实施例。与此不同地，布线结构8大致更详细地示出。在图4A中也示出器件的绝缘结构9。此外，在图4A中示出的器件100具有稳定化层3，所述稳定化层设置在半导体本体2和载体10之间。在载体10的俯视图中，稳定化层3沿着横向方向桥接处于第一过孔41和第二过孔42之间的中间区域40。
稳定化层3尤其连贯地构成。例如，稳定化层3沿竖直方向具有在5μm和50μm之间、例如在5μm和30μm之间或在5μm和20μm之间的层厚度，其中包括边界值。优选地，层厚度至少为10μm。通过稳定化层3，将器件100在中间区域40中附加地机械加强。然而也能够考虑的是，器件100不具有这种稳定化层3。在所述情况下，器件100优选地构成为，使得载体10在中间区域40中具有足够大数量的加强纤维52，以至于在中间区域40的部位上通过加强纤维52和其与过孔41和42的机械连接也达到器件100的足够的机械稳定性。
布线结构8具有电流扩展层80、导电层81和贯穿接触部82。第一过孔41经由第一连接层410、稳定化层3、导电层81和贯穿接触部82与半导体本体2的第一半导体层21导电连接。第二过孔42经由第二连接层420和电流扩展层80与第二半导体层22导电连接。通过绝缘结构9，将稳定化层3与第二连接层200电分离。电流扩展层80能够同时构成为扩散阻挡层并且例如完全地覆盖绝缘层9的开口，第二连接层420延伸穿过所述开口。电流扩展层80和绝缘结构9在图4A中具有共同的开口，贯穿接触部82例如穿过所述共同的开口从导电层81延伸至半导体本体2。
导电层81优选构成为镜层。导电层81在此在俯视图中至少局部地覆盖有源层23。沿着竖直方向，导电层81能够在半导体本体2的侧向延伸至，使得所述导电层横向地包围第二半导体层22或有源层23。侧向地或经由第二主面202离开半导体本体2的电磁辐射因此能够再次朝向有源层23的方向或朝向器件100的辐射穿透面101的方向向回反射，由此提高器件100的效率。
在图4B中示意地示出器件100的另一实施例。所述实施例基本上对应于在图4A中示出的器件100的实施例。与此不同地，贯穿接触部82延伸穿过稳定化层3。在此，稳定化层3和绝缘结构9具有共同的开口，贯穿接触部82延伸穿过所述共同的开口进而与稳定化层3电绝缘。根据图4A的导电层81连贯地构成，而根据图4B的导电层81分成第一子层811和第二子层812，其中子层811和812例如在中间区域40的范围中彼此横向间隔进而彼此电分离。子层811和812与第一连接层410或第二连接层420导电连接，进而所属于器件100的不同的电极性。根据图4B，第二子层812与连贯的稳定化层3电连接，而第一子层811与稳定化层3电绝缘。稳定化层3在此沿横向方向由绝缘结构9完全围绕。
本申请要求德国专利申请10 2015 115 722.5的优先权，其公开内容借此通过参考并入本文。
本发明不通过根据实施例对发明的描述局限于此。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合本身没有明确地在权利要求中或在实施例中给出时也如此。
附图标记列表
100 器件
101 辐射穿透面
102 器件的后侧
1 生长衬底
10 载体
11 载体的前侧
12 载体的后侧
2 半导体本体
20 半导体复合件
200 复合件结构/晶片复合件
201 半导体本体的第一主面
202 半导体本体的第二主面
21 第一半导体层
22 第二半导体层
23 有源层
3 稳定化层
40 中间区域
410 第一连接层
420 第二连接层
411 第一开口
421 第二开口
41 第一过孔
42 第二过孔
5 成型体
50 成型体复合件
51 基体材料
52 加强纤维
53 成型体材料
54 填充颗粒
60 分离沟槽
8 布线结构
80 电流扩展层/扩散阻挡件
81 导电层
811 导电层的第一子层
812 导电层的第二子层
82 贯穿接触部
9 绝缘结构