发光装置和制造发光装置的方法与流程

本技术涉及一种具有诸如半导体激光器的发光元件的发光装置以及制造发光装置的方法。

背景技术：

在相关技术中，作为设置有半导体激光器的发光装置，广泛使用罐封装和框架封装等封装的发光装置。例如，在专利文献1中描述的发光装置中，半导体激光器以平卧姿态(laid posture)安装在第一基板上。具有形成密封空间的凹陷部的第二基板与第一基板连接，以覆盖半导体激光器。第二基板具有开裂(cleavage)，并且其前端面是开裂面。在前端面上形成有用于将来自半导体激光器的光导向外部的导光孔。另外，在前端面上附接有由透明玻璃板构成的光提取窗口。具有该配置，能够实现小型化和高气密化的封装(专利文献1的描述中的[0028]段等)。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开No.2009-289775。

技术实现要素：

技术问题

在如上所述的发光装置中，需要一种能够防止在处理发光装置时发生故障的技术，例如在运输或安装到各种设备上时。进一步地，能够以高生产率制造如上所述的发光装置也是重要的。

鉴于上述情况，本技术的目的是提供一种能够防止在处理时发生故障的发光装置和制造该发光装置的方法。

解决问题的方法

为了实现上述目的，根据本技术的实施方式的发光装置包括基部、发光元件和盖部。

基部包括支持面。

发光元件设置在基部的支持面上。

盖部，包括光透射部和突出部，所述光透射部供从所述发光元件发射的光通过，所述突出部设置在所述光透射部的外围的至少一部分上并且比所述光透射部更突出，所述盖部以覆盖所述发光元件的方式被设置在所述支持面上。

在所述发光装置中，所述突出部设置供从所述发光元件发射的光通过的光透射部的外围。由于突出部保护光透射部，所以可防止在处理时发生故障。

所述突出部可沿着从所述发光元件发射的光的透射方向突出。

结果，能够有效地保护所述光透射部。

所述盖部可包括围绕所述发光元件的多个侧面部。在这种情况下，所述光透射部和所述突出部设置在所述多个侧面部中的第一侧面部上。

例如，在使用端面发光激光器元件作为发光元件的情况下，能够有效地防止处理时发生故障。

所述第一侧面部可包括与所述支持面连接的下边和与所述下边相对的上边。在这种情况下，所述突出部设置在至少与所述上边相邻的上边区域。

结果，可以在所述侧面部的中心处设置光透射部，并且设置在其上方的突出部可有效地保护光透射部。

所述第一侧面部可包括位于所述下边和所述上边之间的两个侧边。在这种情况下，所述突出部可设置在与所述上边区域和两个侧边相邻的两个侧边区域。

结果，例如，设置在侧面部的中心处的光透射部可通过设置在其上侧、左侧和右侧上的突出部被有效地保护。

所述盖部可包括面向所述支持面的上面部。在这种情况下，所述突出部可包括在所述第一侧面部侧上的上面部的端部，所述端部相对于所述光透射面突出。

所述上面部相对于所述光透射面突出，结果，可容易地设置所述突出部。

所述盖部可包括与所述第一侧面部连接的两个第二侧面部。在这种情况下，所述突出部可包括在所述第一侧面部侧上的两个第二侧面部的端部，所述端部相对于所述光透射面突出。

所述两个第二侧面部相对于所述光透射部突出，结果，可容易地设置所述突出部。

所述盖部整体可由相同的材料制成。

结果，可以简略所述盖部的组装步骤等，因此能够简化所述发光装置的制造过程。

所述盖部由玻璃或蓝宝石制成。

结果，能够高效地从发光元件提取光。

所述光透射部和所述突出部可由彼此不同的材料制成。

结果，能够抑制材料成本等。

第一侧面部可包括通孔、所述通孔的外围部和光透射侧构件，所述光透射侧构件包括所述光透射部并且以所述光透射部从所述盖部的内部侧阻挡所述通孔的方式从所述盖部的内部侧连接到所述外围部。

结果，能够使通孔的外围部相对于光透射侧构件的光透射部突出。也就是说，外围部可构成突出部。光透射侧构件是与盖部的其余部分分离的构件，结果可简化制造过程，并且例如可抑制材料成本。

所述盖部可包括面向所述支持面的上面部。在这种情况下，所述第一侧面部具有与所述上面部连接的部分，其横截面积大于与所述支持面连接的部分的横截面积。

结果，能够增强所述盖部的强度。

所述第一侧面部的横截面积可从与所述支持面连接的部分朝向与所述上面部连接的部分增大。

结果，能够增强所述盖部的强度。

所述第一侧面部与所述上面部连接的部分具有弯曲形状。

结果，能够增强所述盖部的强度。

为了实现上述目的，根据本技术的另一实施方式，一种制造发光装置的方法包括将多个发光元件安装在基板上。

在盖构件的主面部上根据所述多个发光元件的位置形成至少一个光透射侧构件，所述光透射侧构件包括供从所述多个发光元件中的每一者发射的光通过的光透射部。

以将所述光透射侧构件连接至与所述基板上的所述多个发光元件相对应的预定位置的方式接合所述基板和所述盖构件。

在所述主面部上切割相对于所述主面部上的所述光透射侧构件的光透射部朝向光透射的方向偏移的位置，由此形成包括所述多个发光元件的多个发光装置。

结果，能够以高生产率制造具有相对于光透射部在光透射方向上突出的突出部的发光装置。

形成所述光透射侧构件的步骤包括使用相同的材料一体形成所述主面部和所述光透射侧构件。

结果，能够简化制造过程。

形成所述光透射侧构件的步骤包括连接与所述主面部分离的光透射侧构件和所述主面部。

结果，例如，能够抑制材料成本等。

发明的有益效果

如上所述，根据本技术，可防止在处理时发生故障。应该注意，本文描述的效果不一定是限制性的，可获得本公开中描述的任何效果。

附图说明

[图1]是示意性示出根据第一实施方式的发光装置的配置实例的立体图。

[图2]是示出拆下图1所示的玻璃盖的状态的图。

[图3]是沿着图1的线A-A和线B-B截取的发光装置的横截面图。

[图4]是示出制造根据第一实施方式的发光装置的方法的实例的流程图。

[图5]是用于说明芯片接合(die bonding)步骤的示意图。

[图6]是用于说明引线接合步骤的示意图。

[图7]是用于说明玻璃盖接合步骤的示意图。

[图8]是用于说明玻璃盖接合步骤的示意图。

[图9]是用于说明切割步骤的示意图。

[图10]是用于说明切割步骤的示意图。

[图11]是示出要在玻璃盖的基底基板上接合的一侧的配置实例的示意图。

[图12]是沿线A-A和线B-B截取的图10的横截面图。

[图13]是示意性示出根据第二实施方式的发光装置的配置实例的立体图。

[图14]是沿线A-A截取的图13的横截面图。

[图15]是用于说明根据第二实施方式的制造发光装置的方法的实例的图。

[图16]是示出根据另一实施方式的发光装置的配置实例的横截面图。

[图17]是示出根据另一实施方式的发光装置的配置实例的横截面图。

[图18]是示出图11所示的玻璃盖的另一配置实例的示意图。

[图19]是示意性地示出根据另一实施方式的发光装置的立体图。

[图20]是示出附接根据本技术的发光装置到引线框的实例的示意图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述本技术的实施方式。

<第一实施方式>

[发光装置的配置]

图1是示意性示出根据本技术的第一实施方式的发光装置100的配置实例的立体图。图2是示出拆下图1所示的玻璃盖30的状态的图。在图1中，用虚线表示与玻璃盖30重叠的部分。在图2中，用虚线表示玻璃盖30的内部空间S。进一步地，在图2中，为了易于理解附图，简化了玻璃盖30的后面部33的配置。

发光装置100包括基底基板10、半导体激光器20和玻璃盖30。基底基板10由具有大致扁平、长形的板状构件制成，并且由例如陶瓷或金属制成。如图2所示，在基底基板10的支持面11上形成用作阳极电极和阴极电极的第一电极12和第二电极13。

半导体激光器20是端面发光激光器元件并且通过辅助安装件(submount)21安装在基底基板10的第二电极13上。如图1和图2所示，半导体激光器20沿着基底基板10的长轴方向(Y方向)延伸。进一步地，从半导体激光器20发射的激光L的发射方向被设定为沿着Y方向。应该注意的是，辅助安装件21的材料不受限制。

如图2所示，用金属引线22a连接第一电极12和半导体激光器20。进一步地，利用引线22b通过辅助安装件21连接第二电极13和半导体激光器20。当电力被提供给第一电极12和第二电极13时，沿着Y方向发射激光L。半导体激光器20的具体配置、要发射的激光的波长范围等不受限制。因此，可使用任何端面发光激光器元件。

玻璃盖30具有大致长方体形状的轮廓，并且被接合到基底基板10的支持面11以覆盖半导体激光器20。通过玻璃盖30的内部空间S，半导体激光器20被高气密地密封。在下文中，内部空间S可被称为具有相同符号S的密封空间S。

在该实施方式中，玻璃盖30对应于盖部。盖部可由与玻璃材料不同的材料制成，例如蓝宝石。使用玻璃或蓝宝石作为盖部的材料，能够高效率地提取激光L。应该注意，构成覆盖部的材料不受限制，并且可使用其他材料。

如图1和图2所示，玻璃盖30包括上面部31、前面部32、后面部33以及两个侧面部34a和34b。使得从半导体激光器20发射的激光L通过前面部32并且出射到发光装置100的外部。

应该注意的是，以基底基板10的支持面11为参考来设定将在下面描述的上面部31与上边45和下边46之间的竖直位置关系。也就是说，更靠近支持面11的一侧被设定为下侧，并且远离支持面11的一侧被设定为上侧(Z方向对应于垂直方向)。当然，在空间的实际使用中，例如，根据使用发光装置100中的取向，上面部31可位于比支持面11更靠下侧。

当从前面看时，上面部31、前面部32、后面部33和两个侧面部34a和34b各自具有矩形形状。在该实施方式中，前面部32、后面部33以及两个侧面部34a和34b对应于多个侧面部。进一步地，前面部32对应于第一侧面部，并且两个侧面部34a和34b对应于两个第二侧面部。

图3A是沿着图1的线A-A截取的发光装置100的横截面图，并且图3B是沿着图1的线B-B截取的发光装置100的横截面图。如图1至图3所示，前面部32具有光透射面40，该光透射面40使从半导体激光器20发射的激光L通过。进一步地，前面部32具有设置在光透射面40的外围上的突出部41。突出部41沿着激光L的透射方向相对于光透射面40突出。

如图1和图2所示，在该实施方式中，在前面部32的大致中心附近设置光透射面40。进一步地，在围绕光透射面40的上侧和左右侧三个方向上的区域设置突出部41。也就是说，突出部41设置在与前面部32的上边45相邻的上边区域48和与两个侧边47a和47b相邻的两个侧边区域49a和49b上。

应该注意的是，上边45是与前面部32的支持面11连接的下边46(见图2)相对的一边。进一步地，两个侧边47a和47b设置在下边46和上边45之间。如图1和图2所示，在沿着Y方向从前方观察前面部32的情况下，光透射面40的形状是矩形的，并且突出部41的形状基本上是倒U形。应该注意的是，在该实施方式中，光透射面40对应于光透射部。

如图3A所示，在该实施方式中，前面部32侧的上面部31的端部相对于光透射面40突出突出量t4。利用该配置，实现上边区域48的突出部41。进一步地，前面部32侧的两个侧面部34a和34b的端部以相同的方式相对于光透射面40突出突出量t4。利用这种配置，实现了两个侧边区域49a和49b的突出部41。

如上所述，上面部31和两个侧面部34a和34b相对于光透射面40突出，结果是不需要执行将另一构件等接合到例如，前面部32的步骤。因此，能够容易地设置突出部41。应该注意，突出部41的上边区域48与侧边区域49a和49b重叠的部分是与上面部31和侧边部分49a或49b共有的端部。

如图3A和3B所示，发光装置100在X方向上的尺寸t1大约为1000至1500μm。发光装置100在Y方向上的尺寸t2大约为2000至3000μm。发光装置100在Z方向上的尺寸t3大约为1000至1500μm。突出部41从光透射面40突出的突出量t4大约为50至100μm。应该注意的是，尺寸和数量不限于这些值，并且可任意设计。

如图1B和图3A所示，玻璃盖30的后面部33具有与前面部32的配置基本相同的配置。也就是说，在后面部33上，矩形凹陷部37具有与前面部32的光透射面40基本相同的尺寸。凹陷部37的深度基本上等于突出部41的突出量t4。

如图3A和3B所示，在本实施方式中，在玻璃盖30的密封空间S的内表面和前面部32的光透射面40上，形成AR涂层(抗反射涂层)50。利用该配置，能够防止激光L在玻璃盖30的表面上的反射，并且可将激光L有效地提取到外部。应该注意，AR涂层50可仅形成在激光L透射的部分上。在该实施方式中，不仅在密封空间S的内表面上，而且在后面部33等上形成AR涂层50。这一点将在后面描述。

例如，根据从半导体激光器20发射的激光L的波长等适当地设定AR涂层50的具体配置。例如，形成五氧化二钽、二氧化硅等的电介质膜作为AR涂层50。

[发光装置的制造方法]

图4是示出发光装置100的制造方法的实例的流程图。图5至图10是用于说明各步骤的图。

首先，进行芯片接合(步骤101)。如图5所示，在具有大直径的基底基板10’上，多个半导体激光器20通过辅助安装件21以矩阵模式安装(芯片安装)。应该注意的是，在基底基板10’上形成第一电极12’和第二电极13’。

例如通过使用诸如金锡的焊膏(solder paste)进行焊料接合、金属接合、何其他晶片接合方法等执行半导体激光器20和辅助安装件21的接合以及辅助安装件21和基底基板10’的接合。

在图5中，安装了X方向上的六个半导体激光器20和Y方向上的四个半导体激光器20，即总共24个半导体激光器20，但是数量不限于此。可一次安装更多的半导体激光器20。

应该注意的是，半导体激光器20可在没有辅助安装件21的情况下安装在基底基板10’上。例如，在半导体激光器20以结向下(junction-down)方式安装的情况下，发光点位于芯片的下部，因此使用辅助安装件21。另一方面，在半导体激光器20以结向上(junction-up)的方式安装的情况下，半导体激光器20被安装在基底基板10’上而不使用辅助安装件21。当然，安装方式不限于那些。

执行引线接合(步骤102)。如图6所示，对于多个半导体激光器20中的每一个，利用引线22a和22b将第一电极12’和第二电极13’与半导体激光器20连接。

如图7和图8所示，将玻璃盖30’接合到基底基板10’(步骤103)。如上所述，玻璃盖30’的接合通过焊料接合、金属接合等来进行。例如，可使用银膏(Ag paste)、低熔点玻璃等作为粘合剂。

图11是示出与基底基板10’接合的玻璃盖30’侧的配置实例的示意图。图11中的虚线表示在随后的切割步骤中沿其进行切割的切割线O、P和Q。

图12A是沿着线A-A截取的图10的横截面图，并且图12B是沿线B-B截取的图10的横截面图。由于空间的限制，在图12A中，示出了来自图11所示的顶点K的三个发光装置100(发光封装)。

如图11和图12所示，玻璃盖30’包括主面部60、光透射侧构件61、后侧构件62和横向侧构件63。主面部60是与图1等所示的上面部31对应的部分，并且在与基底基板10’接合时与基底基板10’相对。也就是说，主面部60是接合时平面方向与XY平面方向平行的部分。

光透射侧构件61是与包括图1等所示的光透射面40的前面部32相对应的部分。如图11和图12所示，光透射侧构件61在与主面部60正交的方向(Z方向)上突出并且沿X方向延伸。

设置在图11右端的光透射侧构件61a形成在从主面部60的右端部60a向内侧偏移突出量t4(参照图3)的位置。在右端的光透射侧构件61a的左侧，以与一个光源设备100的大小对应的间隔形成有多个光透射侧构件61。应该注意的是，多个光透射侧构件的位置与基底基板10’上的多个半导体激光器20的位置对应。

后侧构件62是与图1等所示的后面部33相对应的部分。后侧构件62具有与光透射侧构件61基本相同的配置，并且在光透射侧构件61的左侧上以密封空间S的尺寸形成间隔。设置在图11中的左端的后侧构件62a形成在从主面部60的左端部分60b向内偏移凹陷部37的深度(大致等于突出量t4的尺寸)的位置上。

横向侧构件63是与图1等所示的侧面部34a和34b对应的部分。横向侧构件63在Z方向上从主面部60突出以沿Y方向延伸。如图11所示，多个横向侧构件63以密封空间S的尺寸的间隔形成。在上下端的横向侧构件63a和63b宽度等于侧面部34a和34b的宽度。其他横向侧构件63的宽度大致是侧面部34a和34b的两倍宽度。

例如，在图4的步骤104中通过使用模具或蚀刻进行压制来制造玻璃盖30’。在该实施方式中，玻璃盖30’整体由相同的玻璃材料整体制成。也就是说，主面部60和光透射侧构件61一体地形成。

通过该配置，例如，能够简略将光透射侧构件61等组装到主面部60的步骤，并且因此可简化发光装置100的制造过程。应该注意的是，在切割步骤之前的玻璃盖30’对应于本实施方式中的覆盖构件。

当制造玻璃盖30’时，AR涂层50形成在整个主面部60上。例如，诸如五氧化二钽(tantalum pentoxide)和二氧化硅的介电膜单独沉积或多个膜交替沉积，从而形成AR涂层50。应该注意，沉积方法不受限制，并且可适当地使用溅射(sputtering)、蒸镀(evaporation)等。

在步骤103中的接合步骤中，以将光透射侧构件61连接至与基底基板10’上的多个半导体激光器20相对的预定位置的方式接合基底基板10’和玻璃盖30’，即与半导体激光器20的出射面相对的位置。

如图9和图10所示，通过切割来分离多个发光装置100(步骤105)。切割沿着图9、图11和图12中所示的切割线O、P和Q进行。应该注意，在图12中，由相同的符号表示要切割的整个区域。

切割线O被设置在：相对于主面部60上的光透射侧构件61的光透射面40朝向光透射的一侧偏移突出量t4的位置。在图11中，右侧对应于光透射侧。而且，在图12A中，右侧对应于光透射侧。

如图12A所示，沿着切割线O切割主面部60和基底基板10’。利用这种配置，可容易地实现具有图1等所示的光透射面40和突出部41的前面部32。应该注意的是，切割的方法不受限制，并且可使用切割刀片、激光等的任何切割技术。

切割线P被设置在与主面部60的后侧构件62的光透射方向相反的方向上的凹陷部37的尺寸(大致等于突出量t4的尺寸)的位置处。如图12A所示，沿着切割线P，仅切割主面部60。在相对于基底基板30’的后侧构件62的后侧上形成第一电极12’和第二电极13’。

切割线Q设置在横向侧构件63的大致中央。沿着切割线Q切割横向侧构件63和基底基板10’。在沿着切割线O、P和Q切割之后，例如，通过延伸支持基底基板10’的切割带等，将多个发光装置100分割成多个片段。

如上所述，在根据该实施方式的发光装置100中，在来自半导体激光器20的激光L透过的光透射面40的周围设置突出部41。突出部41保护光透射面40。因此，例如，能够防止在处理时发生诸如光输出减少和由于裂纹引起的分散损失等故障。

如图1等所示，在该实施方式中，以包围设置在前面部32的大致中心处的光透射面40的向上、向左和向右方向的这样的方式设置突出部41。利用该配置，能够充分保护光透射面40。

进一步地，如图5至图10所示，多个发光装置100的封装可在晶片级(wafer level)上共同执行。利用该配置，能够以非常高的生产率制造多个发光装置100。进一步地，多个盒形玻璃盖30整体形成，从而能够简化制造过程。进一步地，可容易地制造保护光透射面40的突出部41。

<第二实施方式>

将描述根据本技术的第二实施方式的发光装置。在以下描述中，将简略或简化对在以上实施方式中描述的发光装置100中的配置和操作的类似部分的描述。

图13是示意性示出根据该实施方式的发光装置200的配置实例的立体图。图14是沿着图13的线A-A截取的发光装置200的横截面图。

发光装置200包括盖构件210和板状玻璃构件220。盖构件210具有大致平行六面体形状的轮廓，并且在发射侧面211上具有通孔212，激光L从该通孔被发射。进一步地，在盖部件210的两侧面213a和213b的发射侧面211侧形成有沿Z方向延伸的开口214。开口214形成在与作为通孔212的外围部的外围部215的表面相距突出量t4的位置上。

玻璃构件220装配到形成在两个侧面213a和213b上的开口(cutout)214。因此，玻璃构件220从盖构件210的内侧连接到外围部215以便阻挡通孔212。玻璃构件220的大致中心处的区域是光透射面240，并且激光L从其发射到外部。通孔212外围的外围部215用作保护光透射面240的突出部。

玻璃构件220对应于本实施方式中的光透过侧构件。进一步地，盖构件210和玻璃构件220构成根据该实施方式的盖部。因此，盖部的前面部232包括通孔212、外围部215(突出部)和光透射构件。

图15是用于说明根据该实施方式的制造发光装置200的方法的实例的图。与图4所示的工艺流程相比，在步骤104中制造玻璃盖改变为制造和组装盖构件210’和玻璃构件220’。进一步地，在步骤103中接合玻璃盖改变为将组装的盖构件210’和玻璃构件220’接合到基底基板的步骤。

图15A是示出接合侧的盖构件210’的配置实例的示意图。在设置图11所示的光透射侧构件61的位置形成有凹槽250。凹槽250也形成在主面部260上(见图14)。例如，盖构件210’通过对诸如硅的半导体材料进行按压或蚀刻而形成。

如图15B所示，在盖构件210’上形成的凹槽250中，与盖构件210’分开设置的作为光透射侧构件的玻璃构件220’被接合。例如，可使用诸如焊料接合的任何接合技术。切割沿着图15B所示的切割线O、P和Q进行。由此制造出图13所示的发光装置200。

如上所述，设置光透射面240的构件和用作突出部的构件可由不同的材料制成。在这种情况下，为了配置盖部，需要组装两个构件的步骤。然而，根据构件的配置、材料等，与玻璃材料被整体加工的情况相比，可简化构件的制造过程。进一步地，对于仅与透过光的光透射面240对应的部分，可使用玻璃、蓝宝石等，其余部分可由硅等制成。因此，能够抑制材料成本。

<其他实施方式>

本技术不限于上述实施方式，并且可实现各种其他实施方式。

图16和图17是各自示出根据另一实施方式的发光装置的配置实例的横截面图。在图16A和16B所示的发光装置300和310中，连接到前面部332的上面部331的部分D1的横截面积S1大于连接到支持面311的部分D2的横截面积S2。也就是说，将形成于与主面部连接的主面上的光透射侧构件的部分的横截面积设定为比与支承面连接的部分的横截面积大。

在图16A所示的前面部332(光透射侧构件)中，横截面积从连接到支持面311的部分D2朝向连接到上面部331的部分D1增大。另一方面，在图16A所示的前面部332(光透射侧构件)中，连接到上面部331的部分D1具有弯曲形状(曲面形状)。这样，通过将连接到上面部331的部分D1的横截面积S1设定得较大，可增强整个玻璃盖330的强度。应该注意，对于在不同的玻璃构件用于前面部332的情况下，也可应用本技术。

如图16A和16B所示，对于后面部333，也可以通过增加连接到上面部331的部分的面积来增强其强度。进一步地，对于两个侧面部，通过使用类似的配置，也能够提高其强度。

在图17A和17B所示的发光装置370和380中，对于两个侧面部334a和334b，连接到上面部331的部分D3的横截面积S3被设定为大于连接到上面部331的部分D4的横截面积S4。在图17A中，横截面积从支持面311侧上的部分D4增加到上面部331侧上的部分D3。在图17B中，上面部331侧的部分D3具有弯曲形状(曲面形状)。利用这种配置，能够增强整个玻璃盖330的强度。

可通过在图4的步骤S104所示的制造玻璃盖的步骤中适当地处理光透射侧构件、后侧构件和横向侧构件的形状来实现图16和图17所示的发光装置。

图18是示出图11所示的玻璃盖的另一个配置实例的示意图。在图18所示的玻璃盖330’中，光透射侧构件361和横向构件363之间的连接部分365的尺寸(体积)以及后侧构件362和横向构件363的连接部分366的尺寸(体积)设定为较大。密封空间S侧的各连结部365，366的形状为弯曲形状(曲面形状)。因此，当从Z方向观察密封空间S时，其四个角部分具有曲面形状。当然，形状不限于此，并且密封空间S侧上的每个连接部分365和366的形状可设定为线性形状(平面形状)。通过设置连接部分365和366的尺寸，能够增强玻璃盖的强度。

图19是示意性地示出根据另一实施方式的发光装置的立体图。在第一和第二实施方式中，突出部设置在光透射面的整个外围上。其配置不限于此。突出部可设置在光透射面的部分外围上。

例如，如图19A所示的发光装置400，可仅在前面部432的上边区域448上设置突出部441。这样，通过在光透射面440的上面区域配置突出部441，能够保护光透射面440。进一步地，与图19B所示的发光装置410同样地，可在上边区域448的部分上设置突出部441。

图20是示出附接根据本技术的发光装置500到引线框架600的实例的示意图。引线框架600包括由诸如铜的金属材料制成的基底框架610、由树脂材料制成的支持框架620以及用于阳极和阴极的两个引线630a和630b。

如图20A所示，在由支持框架620围绕的基底框架610上的附接位置处附接发光装置500。通过两条引线640a和640b以及两个焊盘650a和650b，连接发光装置500中的引线630a和630b以及第一和第二电极512和513。以这样的方式，在进行安装和封装引线框架600的情况下，突出部541也能够充分保护光透射面540。因此，能够有效地防止发生故障。

在根据上述本技术的特征部件中，可组合至少两个特征部件。也就是说，实施方式中描述的各个特征部件可被任意组合，而与实施方式无关。进一步地，上述各种效果仅仅是实例并且不受限制，并且可发挥其他效果。

应该注意，本技术可采取以下配置。

(1)一种发光装置，包括：

基部，包括支持面；

发光元件，设置在所述基部的支持面上；

盖部，包括光透射部和突出部，所述光透射部供从所述发光元件发射的光通过，所述突出部设置在所述光透射部的外围的至少一部分上并且比所述光透射部更突出，所述盖部以覆盖所述发光元件的方式被设置在所述支持面上。

(2)根据(1)所述的发光装置，其中，

所述突出部沿着从所述发光元件发射的光的透射方向突出。

(3)根据(1)或(2)所述的发光装置，其中，

所述盖部包括围绕所述发光元件的外围的多个侧面部，并且

所述光透射部和所述突出部设置在所述多个侧面部中的第一侧面部上。

(4)根据(3)所述的发光装置，其中，

所述第一侧面部包括与所述支持面连接的下边和与所述下边相对的上边，并且

所述突出部设置在至少与所述上边相邻的上边区域。

(5)根据(4)所述的发光装置，其中，

所述第一侧面部包括位于所述下边和所述上边之间的两个侧边，并且

所述突出部设置在与所述上边区域和所述两个侧边的每一个相邻的两个侧边区域。

(6)根据(3)至(5)中任一项所述的发光装置，其中，

所述盖部包括面向所述支持面的上面部，并且

所述突出部包括所述上面部上的所述第一侧面部一侧的端部，所述端部比光透射面更突出。

(7)根据(3)至(6)中任一项所述的发光装置，其中，

所述盖部包括与所述第一侧面部连接的两个第二侧面部，并且

所述突出部包括所述两个第二侧面部的每一个上的所述第一侧面部一侧的端部，所述端部比光透射面更突出。

(8)根据(1)至(7)中任一项所述的发光装置，其中，

所述盖部整体由相同的材料制成。

(9)根据(8)所述的发光装置，其中，

所述盖部由玻璃或蓝宝石制成。

(10)根据(1)至(7)中任一项所述的发光装置，其中，

所述光透射部和所述突出部由彼此不同的材料制成。

(11)根据(10)所述的发光装置，其中，

第一侧面部包括通孔、所述通孔的外围部和光透射侧构件，所述光透射侧构件包括所述光透射部并且以所述光透射部从所述盖部的内部侧阻挡所述通孔的方式从所述盖部的内部侧连接到所述外围部。

(12)根据(3)至(11)中任一项所述的发光装置，其中，

所述盖部包括面向所述支持面的上面部，并且

所述第一侧面部与所述上面部连接的部分的横截面积大于所述第一侧面部与所述支持面连接的部分的横截面积。

(13)根据(12)所述的发光装置，其中，

所述第一侧面部的横截面积随着从与所述支持面连接的部分靠近与所述上面部连接的部分而增大。

(14)根据(12)所述的发光装置，其中，

所述第一侧面部与所述上面部连接的部分具有弯曲形状。

参考标记列表

10 (10’)基底基板

11 支持面

20 半导体激光器

30 (30’)玻璃盖

32，232，332，432 前面部

34a，34b 侧面部

40，240，440，540 光透射面

41，441，541 突出部

45 上边

46 下边

47a，47b 侧边

48 上边区域

49a，49b 侧边区域

60 主面部

61 光透射侧构件

100，200，300，310，400，410，500 发光装置

210 (210’)盖构件

212 通孔

215 外围部

220 (220’)玻璃构件

250 凹槽

600 引线框架。