封装衬底、其制造方法和包括该封装衬底的封装器件与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年1月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2016-0001002的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

本发明构思的示例实施例涉及封装衬底，并且更具体地说，涉及包括执行了表面处理工艺的嵌入式铝焊盘的封装衬底、制造该封装衬底的方法，以及包括该封装衬底的封装器件。

背景技术：

随着电子元件的密度增大，已开发了对印刷电路板(pcb)的表面进行处理的各种技术。例如，使用金属镀覆技术来处理pcb的表面。金属镀覆技术可包括化学沉积技术、金属溅射技术、电镀技术和无电镀金属镀覆技术。为了应对对于薄镀覆、高密度的pcb的需求，将pcb的表面进行镀覆或无电镀处理，以简化制造pcb的工艺并减轻或去除来自pcb的噪声。

此外，随着电子元件的密度增大，已执行了针对减小pcb的厚度的研究。可在无芯pcb上形成绝缘层和图案以制造薄pcb，并且可将薄pcb应用于小电子元件。此外，已执行了针对减小pcb中的间距的研究。可通过缩小间距来减小pcb的总面积。因此，正在对诸如掩蔽工艺、半加添加艺(sap)和改良半添加工艺(msap)的各种工艺进行研究。

技术实现要素：

本发明构思的一些示例实施例可提供包括插入绝缘层中的嵌入式铝焊盘的封装衬底。

本发明构思的一些示例实施例还可提供用于制造包括不突出至封装衬底以外的铝焊盘的封装衬底的方法。

根据示例实施例，一种封装衬底可包括：绝缘层，其具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面；绝缘层中的至少一个第一铜图案，所述至少一个第一铜图案邻近于绝缘层的顶表面；绝缘层的底表面上的至少一个第二铜图案；以及所述至少一个第一铜图案上的至少一个嵌入式铝焊盘，所述至少一个嵌入式铝焊盘位于绝缘层中，以使得所述至少一个嵌入式铝焊盘的顶表面通过绝缘层暴露出来。

根据示例实施例，一种封装衬底可包括：绝缘层，其具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面；设置在绝缘层中的至少一个第一铜图案，所述至少一个第一铜图案邻近于绝缘层的顶表面；设置在绝缘层中的至少一个第二铜图案，所述至少一个第二铜图案邻近于绝缘层的底表面；第一铜图案上的至少一个第一嵌入式铝焊盘，所述至少一个第一嵌入式铝焊盘位于绝缘层中，所述至少一个第一嵌入式铝焊盘的顶表面通过绝缘层暴露出来；以及第二铜图案上的至少一个第二嵌入式铝焊盘，所述至少一个第二嵌入式铝焊盘位于绝缘层中，所述至少一个第二嵌入式铝焊盘的底表面通过绝缘层暴露出来。

根据示例实施例，一种封装器件可包括：包括至少一个嵌入式铝焊盘的封装衬底以及布置在所述封装衬底上并且通过键合线连接至所述封装衬底的半导体芯片，所述封装衬底包括：具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面的绝缘层；绝缘层中的至少一个第一铜图案，所述第一铜图案邻近于绝缘层的顶表面；以及绝缘层的底表面上的至少一个第二铜图案，所述至少一个嵌入式铝焊盘位于第一铜图案上，所述至少一个嵌入式铝焊盘位于绝缘层中，并且所述至少一个嵌入式铝焊盘的顶表面通过绝缘层暴露出来。

根据示例实施例，一种封装衬底可包括：包括过孔孔洞的绝缘层；填充过孔孔洞的导电过孔；绝缘层中的多个第一金属图案，所述多个第一金属图案邻近于绝缘层的顶表面，所述多个第一金属图案主要包括铜；绝缘层中的多个第二金属图案，所述多个第二金属图案邻近于绝缘层的底表面，所述多个第二金属图案主要包括铜；以及位于所述多个第一金属图案中的至少一个上的至少一个第一嵌入式金属焊盘，所述至少一个第一嵌入式金属焊盘位于绝缘层中，以使得所述至少一个第一嵌入式金属焊盘的顶表面通过绝缘层暴露出来，所述至少一个第一嵌入式金属焊盘主要包括铝。

附图说明

基于附图和随附的详细描述，本发明构思将变得更加清楚。

图1是示出根据本发明构思的一些示例实施例的封装衬底的剖视图。

图2a至图2j是示出用于制造图1的封装衬底的方法的剖视图。

图3和图4是图1的区‘iii’的放大剖视图。

图5是示出根据本发明构思的一些示例实施例的封装衬底的剖视图。

图6a至图6f是示出用于制造图5的封装衬底的方法的剖视图。

图7和图8是图5的区‘vii’的放大剖视图。

图9和图10是示出根据本发明构思的一些示例实施例的封装衬底的剖视图。

图11是示出包括根据本发明构思的一些示例实施例的封装衬底的封装器件的剖视图。

具体实施方式

图1是示出根据本发明构思的一些示例实施例的封装衬底的剖视图。

参照图1，封装衬底1可包括绝缘层100、互连图案200、至少一个嵌入式铝焊盘300以及保护层400和450。

绝缘层100可具有顶表面100a和与顶表面100a相对的底表面100b。绝缘层100可包括第一绝缘层110和第二绝缘层120。第一绝缘层110和第二绝缘层120可为预浸片(prepreg)。第一绝缘层110可布置在第二绝缘层120上。

互连图案200可布置在绝缘层100中。互连图案200可包括第一铜图案210、第二铜图案220、第三铜图案230、第一过孔240和第二过孔250。第一铜图案210可布置在第一绝缘层110中，并且可邻近于绝缘层100的顶表面100a。第二铜图案220可布置在第二绝缘层120上(例如，布置在绝缘层100的底表面100b上)。第二铜图案220可具有底表面220a和侧壁220b。第三铜图案230可布置在第二绝缘层120中，并且可布置在第一铜图案210与第二铜图案220之间。第一过孔240可将至少一个第一铜图案210连接至至少一个第三铜图案230。第二过孔250可将至少一个第二铜图案220连接至至少一个第三铜图案230。例如，第一过孔240和第二过孔250可包括铜(cu)。然而，本发明构思的示例实施例不限于互连图案200的特定排列方式。

嵌入式铝焊盘300可布置在第一铜图案210上，并且可与第一铜图案210接触。嵌入式铝焊盘300可在第一绝缘层110的两个边缘部分中的每一个中设置为多个。布置在第一绝缘层110的一个边缘部分中的多个嵌入式铝焊盘300可彼此间隔开，并且布置在第一绝缘层300的另一边缘部分中的多个嵌入式铝焊盘300可彼此间隔开。嵌入式铝焊盘300可插入第一绝缘层110中，并且可不突出至第一绝缘层110以外。嵌入式铝焊盘300可具有通过绝缘层100暴露出来的顶表面300a。在一些示例实施例中，嵌入式铝焊盘300的顶表面300a可与绝缘层100的顶表面100a布置在相同水平。

保护层400和450可包括布置在绝缘层100的顶表面100a上的第一保护层400和布置在绝缘层100的底表面100b上的第二保护层450。第一保护层400可具有暴露出布置在第一绝缘层110的两个边缘部分中的嵌入式铝焊盘300的开口420。如上所述，第二保护层450可布置在绝缘层100的底表面100b上。第二保护层450可覆盖第二铜图案220的侧壁220b，并且可暴露出第二铜图案220的底表面220a。第一保护层400可保护第一铜图案210，并且可减轻或防止在彼此邻近的第一铜图案210之间发生桥接现象。第二保护层450可保护第二铜图案220，并且可减轻或防止在彼此邻近的第二铜图案220之间发生桥接现象。第一保护层400和第二保护层450中的每一个可为绝缘涂层。例如，绝缘涂层可包括环氧树脂。

涂层500可覆盖第二铜图案220的底表面220a，并且可覆盖第二保护层450的一部分。涂层500可减轻或者防止第二铜图案220氧化。例如，涂层500可包括有机化合物，该有机化合物包括氯化物或氟化物之一。

根据本发明构思的一些示例实施例，嵌入式铝焊盘300可不突出至第一绝缘层110以外，而是可布置在第一绝缘层110中。通常，封装衬底可具有向外突出的焊盘。根据本发明构思的嵌入式铝焊盘300之间的距离可大于一般的焊盘之间的距离。因此，嵌入式铝焊盘300可不彼此接触，并在封装衬底1的引线键合工艺中可提高可靠性。

根据本发明构思的一些示例实施例，可利用铝(al)作为焊盘来执行表面抛光工艺。铝(al)可具有期望的电导率，并且会较便宜。因此，可用铝(al)来替换无电镀镍/浸金(enig)工艺中的金(au)。因此，可显著降低封装衬底1的制造成本。

图2a至图2j是示出制造图1的封装衬底的方法的剖视图。

参照图2a，可设置承载衬底10。可在承载衬底10的两个表面(例如，顶表面和底表面)中的每一个上按次序堆叠铜箔11和脱模层12。可在承载衬底10的脱模层12上设置铝种层380。可在脱模层12与铝种层380之间布置诸如铜的薄阻挡金属，以减轻imc形成和选择性蚀刻。承载衬底10可具有其中可堆叠有多个绝缘材料层的结构。绝缘材料层中的每一个可包括树脂或玻璃纤维。脱模层12可包括合金或有机化合物。可通过例如沉积工艺或者镀覆工艺形成铝种层380。可在铝种层380上沉积或镀覆较薄的种cu以改进镀覆。

参照图2b，可在铝种层380中的每一个上设置暴露出铝种层380的一个或多个部分的掩模图案20。将相对于承载衬底10对称地在承载衬底10的两个表面(例如，顶表面和底表面)上执行后续处理。

参照图2c，可利用铝种层380上的掩模图案20形成一个或多个第一铜图案210。可在位于承载衬底10的所述两个表面中的每一个上的铝种层380上形成第一铜图案210。可通过镀覆工艺形成第一铜图案210。

参照图2d，可利用第一铜图案210作为蚀刻掩模对铝种层380进行蚀刻以形成初始铝焊盘330。在蚀刻工艺中使用的蚀刻溶液可包括不与铜(cu)反应但与铝(al)反应的材料。例如，蚀刻溶液可包括：包括氢氧化钠(naoh)的碱性蚀刻溶液，或者有机酸与磷酸(h3po4)和硫酸(h2so4)混合的酸性蚀刻溶液。通过蚀刻工艺形成的初始铝焊盘330的宽度可与第一铜图案210的宽度相似。铜箔11和脱模层12也可通过蚀刻工艺被图案化。尽管铜箔11由铜形成，但是因为铜箔11具有非常薄的厚度，所以也可通过蚀刻工艺去除铜箔11的一部分。

参照图2e，可形成第一绝缘层110以覆盖第一铜图案210和初始铝焊盘330。如图2e所示，第一绝缘层110可形成在承载衬底10的两个表面中的每一个上。第一绝缘层110可在第一绝缘层110的一个表面上与脱模层12接触，并且金属层30可设置在第一绝缘层110的另一表面上。第一绝缘层110可为预浸片。

参照图2f，第一过孔孔洞245可形成为暴露出第一铜图案210。第一过孔孔洞245可穿过布置在金属层30与第一铜图案210之间的第一绝缘层110的一部分。此外，第一过孔孔洞245也可穿过与第一铜图案210重叠的金属层30。可通过激光钻孔工艺形成第一过孔孔洞245。

参照图2g，可执行镀覆工艺以形成第一过孔240和第三初始铜图案235。第一过孔240可填充第一过孔孔洞245。第三初始铜图案235可形成在第一绝缘层110上。可用相同的金属材料镀覆第一过孔240和第三初始铜图案235。例如，金属材料可为铜(cu)。

参照图2h，可蚀刻第三初始铜图案235以形成第三铜图案230。在蚀刻工艺中使用的蚀刻溶液可包括氢氧化铵和过氧化氢的混合溶液或者过氧化氢和硫酸的混合溶液。多个第三铜图案230可在第一绝缘层110上彼此间隔开。

参照图2i，可形成第二绝缘层120、第二铜图案220和第二过孔250。此外，第二绝缘层120可覆盖第三铜图案230，并且可与第一绝缘层110接触。第二绝缘层120可为预浸片。与图2g相似，暴露出第三铜图案230的第二过孔孔洞255可形成为穿过第二绝缘层120的一部分。可通过激光钻孔工艺形成第二过孔孔洞255。可执行镀覆工艺以形成填充布置在第二绝缘层120上的第二过孔孔洞255的第二过孔250以及第二铜图案220。第二过孔250可将第二铜图案220连接至第三铜图案230。第一铜图案210、第二铜图案220、第三铜图案230、第一过孔240和第二过孔250可由相同金属材料形成。例如，金属材料可为铜(cu)。第二铜图案220可形成为多个，并且所述多个第二铜图案220可在第二绝缘层120上彼此间隔开。

参照图2j，可去除承载衬底10、铜箔11和脱模层12。可在绝缘层100(其包括第一绝缘层110和第二绝缘层120)的顶表面100a上形成第一保护层400，并且可在绝缘层100的底表面100b上形成第二保护层450。因为脱模层12容易与初始铝焊盘330分离，所以可容易地去除承载衬底10、铜箔11和脱模层12。

第一保护层400可形成为覆盖绝缘层100的顶表面100a。第一保护层400可具有开口420，其暴露出布置在第一绝缘层110的边缘处的初始铝焊盘330的顶表面300a。可将通过开口420和第一绝缘层110暴露出来的初始铝焊盘330定义为嵌入式铝焊盘300。可不去除被第一保护层400覆盖的未暴露的初始铝焊盘330。因为未暴露的初始铝焊盘330的厚度比第一铜图案210的厚度小得多，所以即使未去除未暴露的初始铝焊盘330也不会影响封装衬底1的电气特性。例如，初始铝焊盘330的厚度可在从0.1μm至1μm的范围内。此外，因为第一保护层400容易粘合至初始铝焊盘330，所以第一保护层400可通过初始铝焊盘330容易地固定在第一绝缘层110上。

第二保护层450可暴露出第二铜图案220的底表面220a，并且可覆盖第二铜图案220的侧壁220b和绝缘层100的底表面100b。可在第二铜图案220的底表面220a上形成涂层500。例如，涂层500可包括有机化合物，该有机化合物包括氯化物或氟化物之一。此外，可通过该有机化合物与第二铜图案200的一部分之间的取代反应形成涂层500，或者可通过利用该有机化合物的涂布工艺形成涂层500。可形成涂层500以制造封装衬底1。

根据当前示例实施例，可将铝(al)用作用于形成第一铜图案210的镀覆工艺的种层。用作该种层的铝(al)可不被去除，而是可在后续工艺中用作封装衬底1的焊盘。因此，可简化制造封装衬底1的工艺。此外，因为不需要第一铜图案210的额外表面处理工艺，所以封装衬底1的制造成本可降低。

图3和图4是图1的区‘iii’的放大剖视图。下文中，为了易于和方便解释，将省略或简单提及对与上述相同的技术特征的描述。

参照图1和图3，各个嵌入式铝焊盘300可分别布置在第一铜图案210上。嵌入式铝焊盘300可在第一绝缘层110的两个边缘部分中的每一个中设置为多个。第一铜图案210和嵌入式铝焊盘300可具有相同宽度w0。第一铜图案210可彼此间隔开第一距离d1。嵌入式铝焊盘300可彼此间隔开第二距离d2。第一距离d1可等于第二距离d2。

因为嵌入式铝焊盘300插入第一绝缘层110中，所以封装衬底1可制造为使得嵌入式铝焊盘300之间的第二距离d2均匀。此外，根据本发明构思的嵌入式铝焊盘300之间的距离可大于从普通封装衬底中的绝缘层突出的焊盘之间的距离。因此，可提高将半导体芯片键合至封装衬底1的处理的可靠性。

参照图1和图4，可在嵌入式铝焊盘300中的每一个上设置氧化铝层310，并且可在嵌入式铝焊盘300中的每一个与对应的一个第一铜图案210之间布置阻挡层320。因为嵌入式铝焊盘300与空气接触，所以可自然地形成氧化铝层310。氧化铝层310可减轻或者防止嵌入式铝焊盘300的额外氧化和颜色改变。氧化铝层310可具有暴露于第一绝缘层110以外的顶表面310a，并且氧化铝层310的顶表面310a可与绝缘层100的顶表面100a布置在相同水平。例如，氧化铝层310可由氧化铝(al2o3)形成。阻挡层320可减轻或防止铜(cu)从第一铜图案210扩散至嵌入式铝焊盘300中。如果铜(cu)扩散至嵌入式铝焊盘300中，则嵌入式铝焊盘300的电导率会降低。根据当前示例实施例，可通过阻挡层320保持嵌入式铝焊盘300的电导率。例如，阻挡层320可包括镍(ni)、钛(ti)、钽(ta)、氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、金(au)、银(ag)或者钨(w)中的至少一个。在一些示例实施例中，阻挡层320可包括镍(ni)。

第一铜图案210可彼此间隔开第一距离d1。嵌入式铝焊盘300可彼此间隔开第二距离d2，氧化铝层310可彼此间隔开第二距离d2，并且阻挡层320可彼此间隔开第二距离d2。第一距离d1可等于第二距离d2。

图5是示出根据本发明构思的一些示例实施例的封装衬底的剖视图。下文中，为了易于和方便解释，将省略或简单提及对与图1的示例实施例中的相同的元件的描述。

参照图5，封装衬底1可包括绝缘层100、互连图案200、嵌入式铝焊盘300以及保护层400和450。

绝缘层100可包括第一绝缘层110和第二绝缘层120。第一绝缘层110可具有在从绝缘层100的顶表面100a朝着绝缘层100的底表面100b的方向上凹进的凹进区150。凹进区150可设置为多个。

互连图案200可布置在绝缘层100中。互连图案200可包括第一铜图案210、第二铜图案220、第三铜图案230、第一过孔240和第二过孔250。

嵌入式铝焊盘300可布置在第一铜图案210上。嵌入式铝焊盘300的宽度可小于第一铜图案210的宽度。相似地，凹进区150的宽度可小于第一铜图案210的宽度。

保护层400和450可包括布置在绝缘层100的顶表面100a上的第一保护层400和布置在绝缘层100的底表面100b上的第二保护层450。第一保护层400可包括从绝缘层100的顶表面100a朝着绝缘层100的底表面100b向下突出以与被第一保护层400覆盖的第一铜图案210接触的至少一个突起410。换句话说，突起410可布置在凹进区150中。突起410的宽度可小于第一铜图案210的宽度。第一保护层400可具有暴露出布置在第一绝缘层110的两个边缘部分中的嵌入式铝焊盘300的开口420。如上所述，第二保护层450可布置在绝缘层100的底表面100b上。第二保护层450可覆盖第二铜图案220的侧壁220b，并且可暴露出第二铜图案220的底表面220a。第一保护层400可保护第一铜图案210，并且可减轻或防止在邻近的第一铜图案210之间发生桥接现象。第二保护层450可保护第二铜图案220，并且可减轻或防止在邻近的第二铜图案220之间发生桥接现象。第一保护层400和第二保护层450中的每一个可为绝缘涂层。例如，绝缘涂层可包括环氧树脂。

图6a至图6f是示出用于制造图5的封装衬底的方法的剖视图。在当前示例实施例中，为了易于和方便解释，将省略或简单提及对与图2a至图2j的示例实施例中的相同的元件或技术特征的描述。

参照图6a，铜箔11、脱模层12和铝种层380可设置在承载衬底10的两个表面中的每一个上。可通过镀覆工艺在铝种层380中的每一个上形成第一铜图案210。

参照图6b，可通过蚀刻工艺形成初始铝焊盘330。在蚀刻工艺中使用的蚀刻溶液可不与铜(cu)反应但可与铝(al)反应。然而，因为铜箔11具有非常薄的厚度，所以可通过蚀刻工艺去除铜箔11的一部分。可通过蚀刻工艺蚀刻初始铝焊盘330，以使得初始铝焊盘330的宽度小于第一铜图案210的宽度。

参照图6c，第一绝缘层110可形成为覆盖第一铜图案210和初始铝焊盘330。可对第一绝缘层110钻孔以形成暴露出第一铜图案210的一部分的第一过孔孔洞245。

参照图6d，可执行镀覆工艺以形成填充第一过孔孔洞245的第一过孔240和布置在第一绝缘层110上的第三铜图案230。

参照图6e，可形成第二绝缘层120、第二铜图案220和第二过孔250。然后，可去除与第一绝缘层110和初始铝焊盘330接触的承载衬底10、铜箔11和脱模层12，并且可去除初始铝焊盘330中的一个或一些。可通过蚀刻工艺去除初始铝焊盘330中的一个或一些。在去除初始铝焊盘330中的一个或一些的蚀刻工艺中使用的蚀刻溶液可包括：例如，氢氧化铵和过氧化氢的混合溶液或者过氧化氢和硫酸的混合溶液。通过去除初始铝焊盘330中的一个或一些形成的空间可定义为凹进区150。凹进区150可在从绝缘层100的顶表面100a朝着绝缘层100的底表面100b的方向上凹进或凹陷。

参照图6f，可在绝缘层100的顶表面100a上形成第一保护层400，并且可在绝缘层100的底表面100b上形成第二保护层450。第一保护层400可形成为覆盖绝缘层100的顶表面100a和凹进区150。第一保护层400可具有暴露出未被去除的至少一个初始铝焊盘330的开口420。通过开口420暴露的初始铝焊盘330可定义为嵌入式铝焊盘300。嵌入式铝焊盘300可在第一绝缘层110的两个边缘部分中的每一个中设置为多个。第一保护层400可形成为覆盖绝缘层100的顶表面100a，并且第二保护层450可形成为覆盖绝缘层100的底表面100b。第一保护层400可具有至少一个突起410，并且该突起410可填充凹进区150。

图7和图8是图5的区‘vii’的放大剖视图。

参照图5和图7，第一铜图案210可具有第一宽度w1，嵌入式铝焊盘300可具有第二宽度w2。第一铜图案210可具有比嵌入式铝焊盘300更大的宽度。换句话说，第一宽度w1可大于第二宽度w2。

嵌入式铝焊盘300可在第一绝缘层100的两个边缘部分中的每一个中设置为多个。所述多个嵌入式铝焊盘300可分别布置在多个第一铜图案210上。第一铜图案210可彼此间隔开第一距离d1，并且嵌入式铝焊盘300可彼此间隔开第三距离d3。第三距离d3可大于第一距离d1。

参照图5和图8，氧化铝层310可设置在嵌入式铝焊盘300中的每一个上，并且阻挡层320可布置在第一铜图案210中的每一个与对应的一个嵌入式铝焊盘300之间。氧化铝层310可具有暴露于第一绝缘层110之外的顶表面310a，并且氧化铝层310的顶表面310a可与绝缘层100的顶表面100a布置在相同水平。例如，氧化铝层310可包括氧化铝(al2o3)，并且阻挡层320可包括镍(ni)、钛(ti)、钽(ta)、氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、金(au)、银(ag)或钨(w)中的至少一个。在一些示例实施例中，阻挡层320可包括镍(ni)。

第一铜图案210可彼此间隔开第一距离d1。嵌入式铝焊盘300可彼此间隔开第三距离d3，氧化铝层310可彼此间隔开第三距离d3，并且阻挡层320可彼此间隔开第三距离d3。第三距离d3可大于第一距离d1。

图9和图10是示出根据本发明构思的一些示例实施例的封装衬底的剖视图。下文中，为了易于和方便解释，将省略或简单提及对与图1的示例实施例中的相同的元件的描述。

参照图9，绝缘层100可具有顶表面100a和与顶表面100a相对的底表面100b。朝着底表面100b凹进或凹陷的第一凹进区150可设置在绝缘层100的顶表面100a，朝着顶表面100a凹进或凹陷的第二凹进区160可设置在绝缘层100的底表面100b。

互连图案200可包括邻近于绝缘层100的顶表面100a的第一铜图案210和邻近于绝缘层100的底表面100b的第二铜图案220。过孔260可将至少一个第一铜图案210连接至至少一个第二铜图案220。

第一嵌入式铝焊盘300可布置在第一铜图案210上，第二嵌入式铝焊盘350可布置在第二铜图案220上。第一嵌入式铝焊盘300和第二嵌入式铝焊盘350可布置在绝缘层100中。第一嵌入式铝焊盘300可具有暴露于绝缘层100之外的顶表面300a，并且第二嵌入式铝焊盘350可具有暴露于绝缘层100之外的底表面350a。第一嵌入式铝焊盘300的顶表面可与绝缘层100的顶表面100a布置在相同水平，并且第二嵌入式铝焊盘350的底表面350a可与绝缘层100的底表面100b布置在相同水平。换句话说，第一嵌入式铝焊盘300和第二嵌入式铝焊盘350可不突出至绝缘层100以外。

布置在绝缘层100的顶表面100a上的第一保护层400可具有在从绝缘层100的顶表面100a朝着绝缘层100的底表面100b的方向上突出的第一突起410，并且可具有暴露出至少一个第一嵌入式铝焊盘300的第一开口420。布置在绝缘层100的底表面100b上的第二保护层450可具有在从绝缘层100的底表面100b朝着绝缘层100的顶表面100a的方向上突出的第二突起460，并且可具有暴露出至少一个第二嵌入式铝焊盘350的第二开口480。第一突起410可填充第一凹进区150，第二突起460可填充第二凹进区160。

参照图10，嵌入式铝焊盘300可不同地布置。在一些示例实施例中，嵌入式铝焊盘300可设置在绝缘层100的两个边缘部分中，并且在绝缘层100的两个边缘部分中的每一个中可设置一个嵌入式铝焊盘300。嵌入式铝焊盘300的排列方式可根据安装在封装衬底1上的半导体芯片(未示出)不同地修改。

图9和图10的封装衬底1可通过与参照图2a至图2j描述的制造方法相似的方法制造。

图11是示出包括根据本发明构思的一些示例实施例的封装衬底的封装器件的剖视图。下文中，为了易于和方便解释，将省略或简单提及对与图1的示例实施例中的相同的元件的描述。

参照图11，半导体封装件(或者封装器件)1000可包括封装衬底1、半导体芯片500和模制层700。

半导体芯片500可布置在封装衬底1上。半导体芯片500可布置在封装衬底1的第一保护层400上。半导体芯片500可为逻辑芯片、存储器芯片或者它们的组合。粘合剂层550可设置在半导体芯片500与封装衬底1之间。

键合线600可将封装衬底1电连接至半导体芯片500。例如，键合线600可由铜(cu)或金(au)形成。键合线600可将半导体芯片500电连接至封装衬底1的嵌入式铝焊盘300。铝(al)可具有优秀电导率，并且会具有氧化特性。键合线600可通过针脚式键合工艺穿过氧化铝层310，以直接连接至嵌入式铝焊盘300。

模制层700可覆盖半导体芯片500。模制层700可包括诸如环氧模制化合物(emc)的绝缘聚合物材料。

根据本发明构思的一些示例实施例，封装衬底的焊盘可由低价的铝形成，从而降低封装衬底的制造成本。

根据本发明构思的一些示例实施例，利用铝对其进行表面处理的封装衬底可通过键合线键合至半导体芯片。键合线可穿过形成在嵌入式铝焊盘上的氧化层以将嵌入式铝焊盘电连接至半导体芯片。

根据本发明构思的一些示例实施例，铝焊盘可不突出至封装衬底以外，并因此，可减小封装衬底的厚度。此外，多个嵌入式铝焊盘可插入绝缘层中，以使得邻近的嵌入式铝焊盘之间的距离增大。因此，可提高引线键合工艺的可靠性。

虽然已经参照一些示例实施例描述了本发明构思，但是本领域技术人员应该清楚，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可做出各种变化和修改。因此，应该理解，以上示例实施例非限制性而是示意性的。因此，本发明构思的范围应该通过对所附权利要求及其等同物的最宽允许解释来确定，而不应受到以上描述的约束或限制。