技术特征：
技术总结
本发明提供了用于在650℃或更高的一个或多个温度下以原子层沉积工艺沉积氧化硅薄膜的方法和组合物。一方面，提供了一种沉积氧化硅薄膜或材料的方法，包括以下步骤：在反应器中提供衬底；将至少一种选自具有本文描述的式I和II的化合物的卤代硅氧烷前体引入所述反应器中；用吹扫气体吹扫反应器；将氧源引入所述反应器中；和用吹扫气体吹扫反应器；且其中重复步骤直到沉积所需厚度的氧化硅；和所述方法在约650‑1000℃的一个或多个温度下进行。
技术研发人员：王美良;雷新建;A·麦利卡尔珠南;H·钱德拉;韩冰
受保护的技术使用者：弗萨姆材料美国有限责任公司
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2017.07.28