本发明涉及一种磁性接触器，更具体地，涉及一种用于磁化磁性接触器的磁性线圈的驱动电路。根据本公开的磁性接触器的磁性线圈驱动电路可以检测磁性接触器内部的温度升高，并防止对磁性接触器和与其连接的电负载的损坏和快速寿命减少。
背景技术：
磁性接触器连接到在电源与从电源供给电功率的电负载(例如电动机)之间的电性电路(以下称为电路)，并且被配置为取决于是否施加切换控制信号而断开或闭合电路。因此，通过将电力电路与负载进行连接或断开，磁性接触器用作用于运行或停止诸如电动机的负载的控制装置。
磁性接触器被配置为根据磁性线圈的磁化或去磁化来磁化或去磁化设置在磁性线圈周围的固定芯，以通过磁力吸引或排斥可移动地安装在面对固定芯的位置处的可移动芯，从而使连接到可移动芯的可移动触点与相应的固定触点接触以用作电路闭合，或将可移动触点与相应的固定触点分离以用作电路断开。
在这样的磁性接触器中，磁性线圈驱动电路是用于使磁性线圈磁化或去磁化的驱动电路，并且被配置为包括各种类型的模拟组件。
也就是说，磁性线圈驱动电路包括各种电气部件，例如磁性线圈、电容器、半导体开关等。
然而，组件在操作时消耗电功率，并且消耗的电功率在磁性接触器内部产生有限的空间，这导致相应组件的劣化问题和对相应组件及其周围组件的损坏的问题。
特别地，用于驱动磁性接触器的磁性线圈的驱动电路可以仅在电子子部件保持其自身的电特性时才精确地执行其功能。
然而，当其中安装了磁性接触器的配电盘内部的温度升高或者当由于过电压被持续施加到磁性接触器的电源输入端子导致磁性接触器内部的温度持续增加时，现有磁性接触器不具有任何保护电路，从而导致磁性接触器的寿命减少或烧坏，并且还存在损坏连接到磁性接触器的负载(例如，电动机)的风险。
技术实现要素：
因此，本公开的一个方面是提供一种用于磁性接触器的磁性线圈驱动电路，其可以保护磁性线圈，以便防止由于磁性接触器内部的温度升高或者从输入电源连续施加过电压导致的磁性线圈的烧坏或快速寿命减少。
为了实现这些和其它优点并根据本公开的目的，如这里具体实施和广泛描述的，提供了一种用于磁性接触器的磁性线圈驱动电路，所述磁性线圈驱动电路包括：
半导体开关，其与磁性线圈串联连接，并且被配置为在导通时使磁性线圈磁化并且在关断时使磁性线圈去磁化；
脉冲宽度调制单元，其连接到半导体开关，并且被配置为向半导体开关输出脉冲信号以作为用于导通或关断半导体开关的控制信号；
控制单元，其连接到脉冲宽度调制单元，并且被配置为输出用于改变脉冲信号的脉冲宽度的控制信号，以便当磁性线圈初始被磁化时执行用于增加流过磁性线圈的电流量的控制并且当维持磁性线圈的磁化时执行用于减少流过磁性线圈的电流量的控制；和
温度检测和保护单元，其连接到半导体开关，并且被配置为：检测磁性接触器内部的温度，当温度超过可允许温度时在高温状态下输出用于关断半导体开关的输出信号，当温度在可允许温度内时在正常状态下由来自脉冲宽度调制单元的脉冲信号控制半导体开关。
根据本公开的另一方面，磁性线圈驱动电路还包括电压检测单元，其被配置为检测被提供给磁性接触器的交流电源的电压，其中控制单元被配置为将由电压检测单元检测的交流电源的电压与参考电压进行比较，并且当交流电源的电压超过参考电压时，向脉冲宽度调制单元输出用于断开磁性接触器的控制信号。
其中温度检测和保护单元包括具有随温度变化而变化的电阻值的至少一个热可变电阻器。
根据本公开的另一方面，温度检测和保护单元包括：至少一个热可变电阻器，其具有随温度变化而变化的电阻值；以及与热可变电阻器并联连接的至少一个可变电阻器。
根据本公开的另一方面，温度检测和保护单元包括：温度检测单元，其被配置为输出随着磁性接触器内部的温度变化而变化的第一电压；以及比较器，其被配置为将从温度检测单元输出的第一电压与作为预定参考电压的第二电压进行比较。
根据本公开的另一方面，温度检测和保护单元包括：温度检测单元，其被配置为输出随着磁性接触器内部的温度变化而变化的第一电压；第一比较器，其被配置为将从温度检测单元输出的第一电压与作为预定参考电压的第二电压进行比较；以及第二比较器，其具有连接到第一比较器的输出端子的第一输入端子和连接到脉冲宽度调制单元的输出端子的第二输入端子，第二比较器被配置为将来自第一输入端子的输入信号与来自第二输入端子的输入信号进行比较，并输出用于控制半导体开关的切换的切换控制信号。
根据本公开的另一方面，当磁性接触器内部的温度超过可允许温度并且温度状态处于高温状态时，比较器被配置为输出具有逻辑值0的数字信号。
根据本公开的另一方面，第二比较器被配置有与门；并且当磁性接触器内部的温度超过可允许温度并且温度状态处于高温状态时，第一比较器被配置为输出具有逻辑值0的数字信号。
根据本公开的另一方面，第二比较器被配置有与门；当磁性接触器内部的温度在允许温度内并且温度状态处于正常状态时，第一比较器被配置为输出具有逻辑值1的数字信号；并且该半导体开关根据来自脉冲宽度调制单元的脉冲信号而导通或关断。
根据本公开的另一方面，第二比较器被配置有与门；当磁性接触器内部的温度超过可允许温度并且温度状态处于高温状态时，第一比较器被配置为输出具有逻辑值0的数字信号；并且半导体开关独立于来自脉冲宽度调制单元的脉冲信号而关断。
根据下文给出的详细描述，本申请的进一步适用范围将变得更加明显。然而，应当理解，虽然指示本发明的优选实施方式，但是详细描述和具体示例仅以说明的方式给出，因为根据详细的描述在本发明的精神和范围内的各种变化和修改对于本领域技术人员将变得显而易见。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成本公开的一部分，附图示出了示例性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是示意性地示出根据本发明的实施方式的用于磁性接触器的磁性线圈驱动电路的框图；
图2是示出根据本发明的另一实施方式的用于磁性接触器的磁性线圈驱动电路的配置的框图；
图3是更详细地示出根据本发明的实施方式的磁性线圈驱动电路的温度检测和保护电路单元的配置的框图；
图4a和图4b是用于帮助理解图3的温度检测和保护电路单元的操作的波形图；和
图5是通过主电路块、信号波形和表而示出根据本发明实施方式的磁性线圈驱动电路的整个操作的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本公开中公开的示例性实施方式，并且相同或相似的元件用相同的附图标记表示，而不管附图中的数字，并且将省略其重复描述。
下面将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。
图1是根据本发明实施方式的磁性接触器的线圈驱动电路的框图。
参考图1，磁性线圈驱动电路100包括滤波器单元110、整流单元120、电压检测单元130、放电电路单元140、磁性线圈150、控制单元160、脉冲宽度调制单元170、温度检测和保护单元180以及半导体开关190。
滤波器单元110是用于去除可能被并入到交流电源中的噪声信号的电路。例如，滤波器单元110可以被配置有用于去除高频噪声信号的低通滤波器电路。
整流单元120对从滤波器单元110输出的电功率进行整流，并输出dc电功率。整流单元120可以被配置有典型的二极管桥电路。
电压检测单元130检测已经通过滤波器单元110的输入电源的电压电平。也就是说，电压检测单元130检测并输出磁性接触器所连接到的电路上的电压，即，三相电压(r相-s相-t相)。例如，电压检测单元130可以被配置有电压互感器(以下简称为pt)。
放电电路单元140与磁性线圈150的两端并联连接。放电电路单元140被配置为当半导体开关190从导通状态切换到关断状态时，释放在磁性线圈150中充入的电能。
放电电路单元140可以被配置有晶体管开关或续流二极管(flywheeldiode)。
磁性线圈150可以根据是否向其施加电流而被磁化或去磁化，以提供或停止提供磁力，以使磁性接触器的可移动触点(未示出)与相应的固定触点(未示出)接触或将可移动触点与固定触点分离。
例如，当磁性线圈150被流过磁性线圈150的电流磁化时，产生磁性吸引力，以将被组合到可移动芯部(未示出)的可移动触点朝向固定触点移动。可移动触头与固定触头接触。因此，磁性接触器变为电路闭合状态。当通过停止向磁性线圈150施加电流来使磁性线圈150去磁化时，不产生磁吸引力。因此，可移动触头通过由复位弹簧施加的弹力而移动到可移动触头与固定触头分离的位置。因此，磁性接触器转到电路断开状态。
控制单元160位于电压检测单元130的输出端子和脉冲宽度调制单元170的输入端子之间。
控制单元160将由电压检测单元130检测到的ac电源的ac输入电压与考虑到来自额定电压的可允许范围的预定参考电压进行比较，并且当检测到超过参考电压的ac输入电压时将用于断开磁性接触器的控制信号发送到脉冲宽度调制单元170。
此外，为了执行在磁性线圈150被初始驱动时增加流过磁性线圈150的电流量以及在磁性线圈150保持磁化时减小流过磁性线圈150的电流量的控制，控制单元160向脉冲宽度调制单元170输出控制信号以改变用于导通或关断半导体开关190的脉冲信号(脉冲控制信号)的脉冲宽度。
此外，考虑到将可移动触头(未示出)移动到可移动触头最初与固定触头(未示出)接触的位置所需的磁性线圈150的磁力不同于使可移动触点保持与固定触点接触所需的流过磁性线圈150的电流的大小(即，维持所需的电流的大小小于移动到初始接触位置时所需的电流的大小)，控制单元160执行控制。也就是说，控制单元160可以在磁性接触器保持接触状态的同时(即，电路闭合状态或导通状态)(即，在磁性线圈150保持磁化的同时)向脉冲宽度调制单元170输出用于缩短半导体开关190被导通所处的脉冲宽度并且加长半导体开关190被关断所处的脉冲宽度的控制信号，并且可以在到初始接触的移动时(即，磁性线圈150被第一次磁化)向脉冲宽度调制单元170输出用于加长半导体开关190被导通所处的脉冲宽度的控制信号。
因此，控制单元160向脉冲宽度调制单元170输出用于控制半导体开关190的切换操作使得所需的电流大小流过磁性线圈150的控制信号。
脉冲宽度调制单元170向半导体开关190输出以对应于由控制单元160发送的控制信号的高电平或低电平脉冲信号构成的切换控制信号。
根据本发明的温度检测和保护单元180根据磁性接触器内部的温度来处理从脉冲宽度调制单元170接收的切换控制信号，并将处理后的切换控制信号输出到半导体开关190。
更详细地，温度检测和保护单元180检测磁性接触器内部的温度，并根据检测到的温度产生温度检测信号。基于从脉冲宽度调制单元170接收的切换控制信号和温度检测信号的组合，温度检测和保护单元180最终生成并输出用于控制半导体开关190的切换的最终切换控制信号。
例如，当由于磁性接触器的环境温度的增加或者输入到磁性接触器的ac电源的输入电压的过度增加而使得磁性接触器内的检测到的温度超过预定可允许范围时，半导体开关190可以被关断以使磁性线圈150去磁化，从而保护磁性接触器免于快速的寿命缩短或烧坏。
另一方面，当检测到的温度在预定可允许范围内时，由脉冲宽度调制单元170产生的切换控制信号简单地通过温度检测和保护单元180，即，变为最终切换控制信号以控制导通或关断半导体开关190的操作。也就是说，当检测到的温度在预定可允许范围内时，切换控制信号不被温度检测和保护单元180改变，并且来自脉冲宽度调制单元170的切换控制信号被输出到半导体开关190作为最终切换控制信号。
半导体开关190根据温度检测和保护单元180的最终切换控制信号而导通或关断，以允许电流流过磁性线圈150或者中断电流的流动。也就是说，半导体开关190根据温度检测和保护单元180的输出信号执行切换，以执行使磁性线圈150磁化或去磁化的控制。
半导体开关190可以被配置作为其切换可以被控制的半导体开关，诸如晶体管、绝缘栅双极晶体管(igbt)、晶闸管等。
这里，为了操作半导体开关190，根据本发明的磁性接触器的磁性线圈驱动电路可以包括比图1所示的更多的电路部件。
例如，图1所示的放电电路单元140可以另外包括电阻器、半导体开关、电容器和多个二极管，以便当半导体开关190从导通状态切换到关断状态时有效地释放充入磁性线圈中的电能。
作为另一示例，可以进一步包括恒压电路部分(未示出)，用于即使当来自ac电源的输入电压改变时也向控制单元160提供恒定的参考电压(例如，dc16v)。
图2是根据本发明另一实施方式的包括温度检测和保护单元的磁性线圈驱动电路的电路图。
根据本发明的另一实施方式的磁性接触器的线圈驱动电路200可以包括滤波器单元210、整流单元220、电压检测单元230、放电电路单元240、磁性线圈250、控制单元260、脉冲宽度调制单元270和温度检测和保护单元280，它们具有与图1的相应元件相同或不同的电功能。
为了避免重复的描述，仅描述与图1所示的实施方式不同的元件。
温度检测和保护单元280接收由电压检测单元230输出的ac电源的输入电压检测信号。此外，温度检测和保护单元280检测磁性接触器内部的温度。温度检测和保护单元280生成与在磁性接触器内部的检测到的温度相对应的温度检测信号，并且基于所生成的温度检测信号和所接收的输入电压检测信号的组合来输出用于第一半导体开关290a的切换控制信号。
详细地，稍后将参考图3描述温度检测和保护单元280如何测量温度，将测量的温度转换为相应的电信号，然后产生与电信号相对应的输出信号。
再次参考图2，控制单元260可以从电压检测单元230接收输入信号，输出与接收的输入信号相对应的控制信号，并将控制信号发送到脉冲宽度调制单元270。
脉冲宽度调制单元270输出脉冲信号作为具有与由控制单元260发送的控制信号相对应的脉冲宽度的高电平或低电平切换控制信号，以控制第二半导体开关290b的切换(打开或闭合)。
这里，第一半导体开关290a、第二半导体开关290b和磁性线圈150彼此串联连接。当第一半导体开关290a和第二半导体开关290b中的至少一个被转到断开状态时，来自整流单元220的dc电功率停止提供给磁性线圈250。
温度检测和保护单元280、第一半导体开关290a、控制单元260、脉冲宽度调制单元270和第二半导体开关290b的布置示出了以下配置特性，其中由控制单元260、脉冲宽度调制单元270和第二半导体290b对提供给磁性线圈250的dc电功率的控制、以及由温度检测和保护单元280和第一半导体开关290a对提供给磁性线圈250的dc电功率的控制可以独立地彼此执行。
根据该配置特性，当磁性接触器内部的温度在预定可允许温度内时，连接到温度检测和保护单元280的第一半导体开关290a保持导通，并且脉冲宽度调制单元270根据由第二半导体开关290b输出的控制信号而输出具有对应的脉冲宽度的脉冲信号，以初始导通第二半导体开关290b，然后交替地执行用于导通或关断第二半导体开关290b的控制，从而将从电源供应的电功率通过磁性接触器提供给负载设备。
当磁性接触器内部的温度超过预定可允许温度时，温度检测和保护单元280执行用于关断第一半导体开关290a的控制以使磁性线圈250去磁化。因此，磁性接触器转到断开状态(关断)。因此，独立于第二半导体开关290b的切换操作，从电源通过磁性接触器提供给负载的电功率被关断(中断)。
将参考图3描述温度检测和保护单元280如何测量温度，将测量的温度转换为相应的电信号，然后产生与电信号相对应的输出信号。图3是示出根据本发明的温度检测和保护单元300的详细配置的电路框图。
在图3中，控制单元100a、脉冲宽度调制单元200a、半导体开关400a和磁性线圈500a具有与控制单元160、脉冲宽度调制单元170和半导体开关190(其为图1中描述的对应元件)相同的功能。因此，为了避免重复，将省略其描述。
参考图3，温度检测和保护单元300包括温度检测单元310，其被配置为检测磁性接触器内部的温度，并输出电压信号作为指示检测到的温度的温度检测信号；以及比较单元320，其被配置为接收由温度检测单元310输出的电压信号(温度检测信号)，并且控制导通或关断半导体开关400a的导通或关断的操作。
这里，温度检测单元310包括彼此并联连接的至少一个可变电阻器311和至少一个热可变电阻器312。
热可变电阻器312是一种电阻器。优选地，热可变电阻器312具有其中电阻值随着感测到的温度变化而线性地变化的特性。热可变电阻器312可以用具有用户期望的另一电特性的热可变电阻器代替。
可变电阻器311可以被调整并设置为具有用户期望的电阻值。此外，根据取决于热可变电阻器器312的温度变化而变化的电阻值与可变电阻器311的电阻值的组合，考虑到温度检测单元310如何灵敏地输出相应的电压信号(温度检测信号)的大小而可以由用户调节和设置可变电阻器311的电阻值。
例如，当用户将可变电阻器311的电阻设置为相对大于随着磁性接触器内部的温度变化而变化的热可变电阻器312的电阻时，由热可变电阻器312造成的温度检测单元310的输出电压的变化可以是无关紧要的。
比较单元320包括多个比较器321和322。在多个比较器中，第一比较器321的负(-)输入端子可以接收具有根据热可变电阻器312和可变电阻器311的组合电阻的输出电压的第一电压信号，并且第一比较器321的正(+)输入端子可以接收作为参考电压信号vref的第二电压信号。
对于其中dc恒定电压vcc和电阻器r2和r3彼此串联连接的电路而言，第一比较器321的正(+)输入端子连接到电阻器r2和r3之间的中点。因此，通过由具有预定固定电阻值的电阻器r2和r3分压dc恒定电压vcc而获得参考电压vref，并且所获得的参考电压被提供给第一比较器的正(+)输入端子。
第一比较器321可以比较对应于第一电压信号的电压值和对应于第二电压信号的电压值，以输出高电平或低电平输出信号，即具有逻辑值1或者0的数字信号。
这里，当与第一电压信号相对应的电压值，即，与温度检测信号相对应的电压值高于与第二电压信号相对应的电压值(即，参考电压值)时，第一比较器321可以输出低电平输出信号，即，具有逻辑值0的输出信号。
第二比较器322接收从第一比较器321输出的输出信号和为由脉冲宽度调制单元200a输出的脉冲信号的切换控制信号作为两个输入信号，比较该两个输入信号，并作为比较的结果，输出数字控制信号到半导体开关400a作为最终切换控制信号。
第二比较器322在第一输入端子a2处接收第一比较器321的输出信号，并且在第二输入端子a1处接收从脉冲宽度调制单元200a输出的切换控制信号，将第一比较器321的输出信号和切换控制信号进行比较，并输出用于根据预定逻辑执行半导体开关400a的切换控制的最终切换控制信号。
根据本发明的实施方式，第二比较器322可以被配置有与(and)门。因此，第二比较器322执行两个输入信号(即，与温度检测信号(数字信号)对应的输出信号和切换控制信号)的逻辑积，并将输出信号输出到半导体开关400a。这里，第二比较器简单地不限于与门。
也就是说，可以使用各种逻辑门，其可以接收通过检测由于构成磁性接触器的内部部件和配电盘中的与磁性接触器相邻的电气装置(多个断路器、数字保护继电器等)产生的热而在磁性接触器内部的温度变化而获得的温度检测信号，然后在磁性接触器的切换操作中反映所接收的温度检测信号。然而，可以考虑上述驱动设备中占用的空间以及其相关联电路的复杂性和生产成本来选择逻辑门。
图4a和图4b是用于帮助理解图3的温度检测和保护单元300的操作的信号波形图，以控制根据本发明的磁性接触器的切换。
这里，vin表示输入到图3所示的第一比较器321的多个输入电压的大小。
也就是说，第一电压v1是指示被输入到第一比较器321的正(+)输入端子的参考电压vref的参考电压。
此外，第二电压v2表示根据被输入到第一比较器321的负(-)输入端子的来自温度检测单元310的输出信号的电压。
第一电压v1是通过利用电阻器r2和r3分压dc恒定电压而获得的分压，并且独立于经过的时间而保持恒定电位。
第二电压v2随着磁性接触器内部温度的升高从第二时间点t2线性增加，然后在第三时间点t3具有与第一电压v1相同的电势。
图4a示出随着由于磁性接触器内部的温度变化导致热可变电阻器312的电阻值从第二时间点t2线性增加，由可变电阻器311和热可变电阻器312的组合电阻形成的第二电压从第二时间点t2线性增加。
图4b示出第一比较器321(当磁性接触器内部的温度处于正常状态时)输出高电平输出信号，即，从第一时间点t1到第三时间点t3具有逻辑值1的数字输出信号，并且(当磁性接触器内部的温度处于高温状态时)输出低电平输出信号，即，在第三时间点t3之后具有逻辑值0的数字输出信号。
在图4b中，vout表示根据由第一比较器321输出的输出信号的电压的大小。
这将在下面参考图3详细描述。
当由于磁性接触器内部的温度处于正常状态而使得输入到负输入端子{(-)输入端子}并且形成在温度检测单元310中的第二电压v2低于输入到第一比较器321的正输入端子{(+)输入端子}的第一电压v1时,，第一比较器321输出高电平信号，即，具有逻辑值1的数字信号。
另一方面，当由于磁性接触器处于高温状态而使得输入到负输入端子{(-)输入端子}的第二电压v2高于输入到正输入端子((+)输入端子)321的第二电压v2时，第一比较器321输出低电平信号，即，具有逻辑值0的数字信号。
在图4a中，在温度检测单元310中形成的第二电压v2的变化梯度可以根据由用户设置的热可变电阻器312的选择或可变电阻器311的电阻而变化。
此外，在图4a中，可以通过分压电阻器r2和r3的组合来确定作为参考电压的第一电压v1的大小。
将参照图5描述根据本发明实施方式的磁性接触器的磁性线圈驱动电路的操作，其示出了使用主电路元件的操作、信号波形和表。
图5所示的脉冲宽度调制单元510、第一比较器520、第二比较器530、半导体开关540和磁性线圈550具有与上面参照图3描述的相同或相似的配置和功能。
根据图5所示的实施方式，第二比较器530被配置有与门。
在图5中，在多个时间点t1至t6，脉冲宽度调制单元510根据从控制单元接收到的控制信号输出脉冲信号，即，以高电平信号和低电平信号构成的切换控制信号。
第一比较器520将分别通过两个输入端的作为参考电压的第一电压v1和作为与温度检测输入相对应的电压的第二电压v2进行比较，然后作为比较的结果，输出高电平输出信号(在磁性接触器内部的温度处于正常状态的情况下)或低电平输出信号(在磁性接触器内部的温度处于高温状态的情况下)。
作为本发明的实施方式，第二比较器530被配置有与门，并被配置为接收来自脉冲宽度调制单元510和第一比较器520两者的输出信号，并输出最终切换控制信号，以用于控制导通或关断半导体开关540的操作。
也就是说，脉冲宽度调制单元510的输出信号在第二比较器530的第一输入端子a1处被接收，并且第一比较器520的输出信号在第二输入端子a2处被接收。
将在下面描述第二比较器530在多个时间点t1至t6的信号处理操作。
这里，在第一区间，即第一时间段(t1至t3)期间，根据本发明的磁性接触器的温度检测和保护单元(参见由图3的附图标记300表示的部分)检测到高温状态。这里，高温可以指的是磁性接触器内部的温度超过可允许值的状态。此外，温度的允许值可以指的是构成磁性线圈驱动电路的诸如磁性线圈、电容器和半导体开关的各种电气部件不会劣化或损坏的最大阈值温度。
如上所述，当磁性接触器的温度检测和保护单元(参见图3的附图标记300)检测到高温状态时，第二比较器530独立于从脉冲宽度调制单元510接收的输出信号而向半导体开关540输出低电平输出信号并且关断半导体开关540。因此，磁性线圈550被去磁化，并且磁性接触器转到断开状态。通过磁性接触器从电源向负载供应的电功率被关断。
另一方面，在第二区间，即第二时间段(t4至t6)期间，根据本发明的磁性接触器的温度检测和保护单元300检测到正常状态。这里，正常状态可以指其中磁性接触器内部的温度在预定可允许范围内的状态。
在这种情况下，第二比较器530将高电平或低电平脉冲信号的输出信号输出到半导体开关540作为与从脉冲宽度调制单元510接收的控制信号对应的最终切换控制信号，并且控制具有根据对应的输出信号的脉冲宽度的半导体开关540的切换操作。
也就是说，当检测到的温度在预定可允许范围内时，第一比较器520的输出信号具有高电平值，即逻辑值1，如图5所示。因此，半导体开关540根据脉冲宽度调制单元510的控制信号而导通或关断。换句话说，半导体开关540当脉冲信号作为来自脉冲宽度调制单元510的控制信号处于高电平时导通，并且当脉冲信号作为来自脉冲宽度调制单元510的控制信号处于低电平时关断。
如上所述，可以通过脉冲宽度调制单元510、第一比较器520和第二比较器530的组合基于磁性接触器内部的温度来确定是否断开或闭合磁性接触器。因此，可以以防止磁性接触器的损坏。
根据本发明的示例性方面，当检测到的磁性接触器内部的温度在预定可允许范围内时，即在正常状态下，根据本发明的磁性接触器的磁性线圈驱动电路根据脉冲宽度调制单元510的输出信号的脉冲宽度和电平而导通或关断半导体开关540。
根据本发明的一个优选方面，当检测到的磁性接触器内部的温度超过预定可允许范围时，即在高温状态下，根据本发明的磁性接触器的磁性线圈驱动电路关断半导体开关540，以独立于脉冲宽度调制单元510的输出信号使磁性线圈550去磁化。因此，磁性接触器操作为关断(电路断开状态)。
因此，根据本发明的磁性接触器的磁性线圈驱动电路可以监视由各种原因引起的磁性接触器内部的温度变化，并且当磁性接触器内部的温度升高并超过可允许范围时，将磁性接触器转到电路断开状态(关断状态)，从而防止磁性接触器和与磁性接触器连接的负载受到损坏。
本领域技术人员将理解，各种实施方式中描述的元件和/或功能可以组合实现，并且在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在此进行各种修改和改变。