技术特征：
技术总结
本发明揭示一种在FinFET器件上形成应变沟道区的方法，其说明性的方法主要包括，移除一整体鳍片结构的部分的一垂直高度中未由一栅极结构所覆盖的至少一部分以于一绝缘材料层中定义一鳍片空腔以及定义位于所述栅极结构下方的所述整体鳍片结构的一剩余部分，其中，所述剩余部分包括一沟道部分以及位于所述沟道部分下方的一较低部分。所述方法继续于至少所述鳍片空腔内形成一第一半导体材料以及于所述第一半导体材料上以及所述沟道部分的暴露边缘上形成一第二半导体材料。
技术研发人员：姆瑞特·凯雷姆·阿卡伐尔达尔;乔迪·A·佛罗霍海瑟
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
技术研发日：2017.01.26
技术公布日：2017.08.15