技术特征：
技术总结
电路(10)包括半导体器件(1)。半导体器件(1)包括在共用的半导体衬底(100)中的第一晶体管(20)和第二晶体管(30)，第一晶体管(20)具有与第二晶体管(30)相同的导电类型。第一晶体管(20)的第一源极区(201)经由半导体衬底(100)的第一主表面(110)电连接到第一源极端子(272)。第二晶体管(30)的第二漏极区(305)经由半导体衬底(100)的第一主表面(110)电连接到第二漏极端子(372)。第一晶体管(20)的第一漏极区(205)和第二晶体管(30)的第二源极区(301)经由半导体衬底(100)的第二主表面(120)电连接到输出端子(374)。电路(10)还包括用于控制第一晶体管(20)的第一栅极(210)和第二晶体管(30)的第二栅极(310)的控制电路(500)。
技术研发人员：拉伊纳尔德·桑德;蒂尔·施勒塞尔
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2017.01.26
技术公布日：2017.08.08