一种阵列基板制造方法及阵列基板与流程

本发明涉及显示器领域，特别涉及一种阵列基板制造方法及阵列基板。

背景技术：

液晶显示面板由于众多优点成为被广泛应用的一种显示器件。液晶显示面板主要包括阵列基板、彩膜基板及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。阵列基板包括发光区域和外围区域，发光区域主要包括依次设置的基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层和钝化层，而外围区域主要包括依次设置的基板、栅极层、栅极绝缘层和钝化层。

液晶显示面板的阵列基板制作过程中，需要在发光区域的钝化层上开设连通源漏极层中源极的源极过孔，在外围区域开设连通栅极层中栅线的栅极过孔，且源极过孔和栅极过孔通常同时制作。

由于栅极层上有栅极绝缘层和钝化层两层绝缘层，而源极上只有钝化层一层绝缘层，因此，在对栅极过孔和源极过孔同时刻蚀时，为了保证栅极过孔处绝缘层全部刻蚀完，会导致源极过孔处刻蚀时间过长，有可能会刻蚀到源极本身，造成源极出现过刻现象，这可能会影响源极信号的正常传输。

技术实现要素：

为了解决现有刻蚀工艺同时刻蚀栅极过孔和源极过孔时，造成的源极出现过刻问题，本发明实施例提供了一种阵列基板制造方法及阵列基板。所述技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板制造方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上依次制作栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层和钝化层；

在所述钝化层上形成一层光刻胶；

将待形成栅极过孔的区域的光刻胶全部去除，并将待形成源极过孔的区域的光刻胶去除掉设定厚度，所述设定厚度小于所述光刻胶的总厚度；

对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀；

将所述待形成源极过孔的区域的光刻胶全部去除；

再次对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，直到露出所述源漏极层和所述栅极层。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述将待形成源极过孔的区域的光刻胶去除掉设定厚度，包括：

采用半透掩膜板对所述阵列基板的发光区域进行遮挡曝光，然后进行显影处理，以去除掉所述待形成源极过孔的区域内设定厚度的光刻胶，所述半透掩膜板对应所述源极过孔的位置为半透膜。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述设定厚度为总厚度的1/2。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，包括：

采用等离子体刻蚀工艺对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，刻蚀时通入的气体为六氟化硫、氧气和氦气混合气体。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述将所述待形成源极过孔的区域的光刻胶全部去除，包括：

采用等离子体刻蚀工艺对光刻胶进行刻蚀，刻蚀时通入的气体为氧气。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀温度小于所述对光刻胶进行刻蚀的刻蚀温度。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀功率小于所述对光刻胶进行刻蚀的刻蚀功率。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀压力小于所述对光刻胶进行刻蚀的刻蚀压力。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述再次对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，包括：

采用等离子体刻蚀工艺对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，刻蚀时通入的气体为六氟化硫、氧气和氦气混合气体。

第二方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用第一方面任一项所述的阵列基板制造方法制成。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

在进行过孔刻蚀时，对光刻胶进行两次处理。在第一次光刻胶处理时，只去除掉待形成源极过孔的区域的部分厚度，而将待形成栅极过孔的区域的光刻胶全部去除掉，然后进行一次刻蚀，此时可以刻蚀掉待形成栅极过孔的区域的钝化层，而源极过孔上方光刻胶的存在，使得待形成源极过孔的区域的钝化层不会被刻蚀；在第二次光刻胶处理时，将待形成源极过孔的区域的剩下的光刻胶去除掉，然后再进行一次刻蚀，将待形成源极过孔的区域的钝化层刻蚀掉，露出源极，同时将待形成栅极过孔的区域的栅极绝缘层刻蚀掉，露出栅极层；上述刻蚀过程没有造成源极出现过刻现象，保证了源极信号的正常传输。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板制造方法的流程图，参见图1，该方法包括：

步骤11：提供一基板。

可选的，可以预先对提供的基板进行清理，保证该基板的清洁。基板可以为透明基板，例如玻璃基板、硅基板和塑料基板等。

步骤12：在基板上依次制作栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层和钝化层。

如图2所示，在基板100上采用构图工艺制成栅极层101，例如，在基板100上通过溅射方式形成金属层，然后通过构图工艺得到栅极层101。基板100可以为透明基板，例如玻璃基板、硅基板和塑料基板等。栅极层101可以为金属电极，例如采用Al(铝)、Cu(铜)、Mo(钼)、Cr(铬)、Ti(钛)等金属制成的电极，或者采用多层金属重叠设计而成的电极。上述构图工艺可以是光刻工艺。其中，栅极层101主要包括栅极和栅线，如图2所示，栅极层101包括栅极1011和栅线1012(仅为示意)，栅极过孔与栅线位于外围区域的部分连通，以实现栅极信号输入。

如图3所示，在栅极层101制作完成后，在制作有栅极层101的基板100上制作一层栅极绝缘层102，例如，在制作有栅极层101的基板100上沉积一层栅极绝缘层102。栅极绝缘层102可以为氮化硅或氮氧化硅层。

在形成栅极绝缘层102后，依次在基板上生长非晶硅和N型掺杂非晶硅(可采用沉积方式实现，具体可以采用等离子体增强化学气相沉积法(英文Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD))，然后通过构图工艺形成图4所示的有源层103(包括本征非晶硅层131和N型掺杂非晶硅层132)，前述构图工艺可采用光刻工艺实现，光刻工艺中的刻蚀技术可以采用电感耦合等离子体(英文Inductive Coupled Plasma，简称ICP)刻蚀技术)。

如图5所示，在形成有源层103后，在基板上制作源漏极层104。具体可以先在基板上制作一金属层(可采用溅射工艺实现，具体可以采用磁控溅射工艺)，然后通过构图工艺形成如图5所示的源漏极层104(可采用光刻工艺实现)。源漏极层104可以为金属电极，例如采用Al、Cu、Mo、Cr、Ti等金属制成的电极，或者采用多层金属重叠设计而成的电极。如图5所示，源漏极层104包括源极1041和漏极1042。

如图6所示，在形成源漏极层104后，通过构图工艺除去N型掺杂非晶硅层132中位于源极和漏极之间的部分(可采用光刻工艺实现)。

如图7所示，在源漏极层104上制作一层钝化层105。例如，在制作有源漏极层104的基板100上沉积一层钝化层105。钝化层105可以为氮化硅或氮氧化硅层。

步骤13：在钝化层上形成一层光刻胶。

如图8所示，在钝化层105上制作一层光刻胶106。例如，可以采用旋涂的方式在钝化层105上制作一层光刻胶106。

在本发明实施例中，由于需要对部分区域光刻胶分两步处理，因此厚度较正常工艺中厚度厚，可以为20000-23000埃，优选为21000。

步骤14：将待形成栅极过孔的区域的光刻胶全部去除，并将待形成源极过孔的区域的光刻胶去除掉设定厚度，设定厚度小于光刻胶的总厚度。

在本发明实施例中，将待形成源极过孔的区域的光刻胶去除掉设定厚度可以包括：采用半透掩膜板对阵列基板的发光区域进行遮挡曝光，然后进行显影处理，以去除掉待形成源极过孔的区域内设定厚度的光刻胶，半透掩膜板对应源极过孔的位置为半透膜。对应源极过孔的位置为半透膜，实现对待形成源极过孔的区域的光刻胶的部分去除。半透掩膜板对应栅极过孔的位置为全透膜或者通孔，在进行发光区域遮挡曝光的同时，通过半透掩膜板对外围区域进行遮挡曝光，然后与发光区域同时进行显影处理，以去除掉待形成栅极过孔的区域内的全部光刻胶。半透掩膜板的其他部分不透光。其中，上述工艺采用的光刻胶为正性光刻胶。

在一种可能的实现方式中，设定厚度为总厚度的1/2。一方面，使得对光刻胶全部去除的区域进行第一次刻蚀时，待形成源极过孔的区域仍然留有光刻胶，从而避免待形成源极过孔的区域的钝化层被刻蚀；另一方面，使得待形成源极过孔的区域的光刻胶较发光区域其他位置的光刻胶薄，从而能够在对剩余光刻胶进行处理时，能够将待形成源极过孔的区域的光刻胶全部去除掉，而不会造成发光区域其他位置的光刻胶也被全部去除掉。

如图9所示，对光刻胶106进行处理，待形成栅极过孔的区域的光刻胶被全部去除，形成如图9标号B所示的凹槽，待形成源极过孔的区域的光刻胶被去除掉设定厚度，形成如图9标号A所示的凹槽。

步骤15：对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀。

在本发明实施例中，步骤15可以包括：

采用等离子体刻蚀工艺对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，刻蚀时通入的气体为六氟化硫、氧气和氦气混合气体。通过控制刻蚀气体，保证等离子体刻蚀工艺进行钝化层刻蚀时，不会去除掉光刻胶。

如图10所示，对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，使得露出的钝化层105被刻蚀，形成如图10标号C所示的凹槽。

步骤16：将待形成源极过孔的区域的光刻胶全部去除。

在本发明实施例中，步骤16可以包括：

采用等离子体刻蚀工艺对光刻胶进行刻蚀，刻蚀时通入的气体为氧气。通过控制刻蚀气体，保证等离子体刻蚀工艺进行光刻胶处理时，不会刻蚀掉钝化层。并且，在对光刻胶进行刻蚀，直到待形成源极过孔的区域的光刻胶被全部去除时，其余部分的光刻胶还剩有一定厚度，可以在后续刻蚀中对无需刻蚀的钝化层起到保护作用。

为了保证光刻胶和钝化层不会被同时刻蚀，在本发明实施例中，对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀温度小于对光刻胶进行刻蚀的刻蚀温度。对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀功率小于对光刻胶进行刻蚀的刻蚀功率。对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀压力小于对光刻胶进行刻蚀的刻蚀压力。其中，对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，即对钝化层或栅极绝缘层进行刻蚀。

在本发明实施例中，对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀时间，以及对光刻胶进行刻蚀的刻蚀时间需要在实际制作时，根据刻蚀的厚度确定。

如图11所示，对光刻胶106再次进行处理，待形成源极过孔的区域的光刻胶被全部去除，形成如图11标号D所示的凹槽。

步骤17：再次对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，直到露出源漏极层和栅极层。

在本发明实施例中，步骤17可以采用与步骤15相同的方式完成，采用与步骤15相同的工艺，便于加工。具体地，步骤17可以包括：采用等离子体刻蚀工艺对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，刻蚀时通入的气体为六氟化硫、氧气和氦气混合气体。

如图12所示，对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，使得露出的钝化层105和栅极绝缘层102被刻蚀，直到露出源漏极层104和栅极层101，分别形成源极过孔107和栅极过孔108。

进一步地，该方法还可以包括：在刻蚀完成后，除掉剩余光刻。

如图13所示，在刻蚀完成后，除掉剩余光刻胶106。

本发明实施例在进行过孔刻蚀时，对光刻胶进行两次处理。在第一次光刻胶处理时，只去除掉待形成源极过孔的区域的部分厚度，而将待形成栅极过孔的区域的光刻胶全部去除掉，然后进行一次刻蚀，此时可以刻蚀掉待形成栅极过孔的区域的钝化层，而源极过孔上方光刻胶的存在，使得待形成源极过孔的区域的钝化层不会被刻蚀；在第二次光刻胶处理时，将待形成源极过孔的区域的剩下的光刻胶去除掉，然后再进行一次刻蚀，将待形成源极过孔的区域的钝化层刻蚀掉，露出源极，同时将待形成栅极过孔的区域的栅极绝缘层刻蚀掉，露出栅极层；上述刻蚀过程没有造成源极出现过刻现象，保证了源极信号的正常传输。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板采用图1-图13所示的阵列基板制造方法制成。

本发明实施例在进行过孔刻蚀时，对光刻胶进行两次处理。在第一次光刻胶处理时，只去除掉待形成源极过孔的区域的部分厚度，而将待形成栅极过孔的区域的光刻胶全部去除掉，然后进行一次刻蚀，此时可以刻蚀掉待形成栅极过孔的区域的钝化层，而源极过孔上方光刻胶的存在，使得待形成源极过孔的区域的钝化层不会被刻蚀；在第二次光刻胶处理时，将待形成源极过孔的区域的剩下的光刻胶去除掉，然后再进行一次刻蚀，将待形成源极过孔的区域的钝化层刻蚀掉，露出源极，同时将待形成栅极过孔的区域的栅极绝缘层刻蚀掉，露出栅极层；上述刻蚀过程没有造成源极出现过刻现象，保证了源极信号的正常传输。

以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。