1.一种霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在半导体单晶衬底(1)上形成晶格常数逐渐增大的晶格渐变层(2)；
在所述晶格渐变层(2)上形成缓冲层(3)；
在所述缓冲层(3)上形成与所述缓冲层(3)晶格常数相匹配的腐蚀隔离层(4)；
在所述腐蚀隔离层(4)上形成与其晶格常数相匹配的霍尔功能层(5)；
依次去除所述半导体单晶衬底(1)、所述晶格渐变层(2)、所述缓冲层(3)以及所述腐蚀隔离层(4)。
2.根据权利要求1所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述衬底(1)为GaAs衬底或InP衬底。
3.根据权利要求1或2所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述晶格渐变层(2)为In组分逐渐增大的InxAlyGa1-x-yAs渐变层；其中，0＜x＜1，0＜y＜1,且x+y＜1。
4.根据权利要求1-3任一项所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述缓冲层(3)为InAs层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述腐蚀隔离层(4)与所述缓冲层(3)晶格常数相同。
6.根据权利要求1-5任一项所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述腐蚀隔离层(4)为Ga(Al)AsSb层；所述霍尔功能层(5)为InAs。
7.根据权利要求1-6任一项所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，通过腐蚀工艺除去所述半导体单晶衬底(1)、所述晶格渐变层(2)、所述缓冲层(3)以及所述腐蚀隔离层(4)。
8.根据权利要求1-7任一项所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述晶格渐变层(2)、缓冲层(3)、腐蚀隔离层(4)以及霍尔功能层(5)均是利用金属有机化学气相沉积技术或分子束外延技术形成。
9.一种权利要求1-8任一项所述的制备方法制得的霍尔元件，其特征在于，包括依次层叠设置的半导体单晶衬底(1)、晶格渐变层(2)、缓冲层(3)、腐蚀隔离层(4)以及霍尔功能层(5)，所述晶格渐变层(2)的晶格常数逐渐增大，所述腐蚀隔离层(4)与缓冲层(3)、霍尔功能层(5)的晶格常数相匹配。
10.根据权利要求9所述的霍尔元件，其特征在于，所述衬底(1)为GaAs衬底或InP衬底，所述晶格渐变层(2)为In组分逐渐增大的InxAlyGa1-x-yAs渐变层，所述缓冲层(3)为InAs层，所述腐蚀隔离层(4)为Ga(Al)AsSb层。