技术总结
本发明公布了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。本发明还公布了一种薄膜晶体管及一种显示器。在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证多晶硅薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的薄膜晶体管的电子迁移率高，显示设备显示效果良好。
技术研发人员：王威
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201710109609
技术研发日：2017.02.27
技术公布日：2017.05.31