1.一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底并对衬底进行表面清洁；
在清洁后的衬底上生长GaN成核层并高温退火处理；
在退火后的GaN成核层上生长非故意掺杂GaN层；
在非故意掺杂GaN层上生长n型GaN层；
在n型GaN层上生长多量子阱发光层，所述多量子阱发光层为若干对InGaN阱层/低温GaN盖层/高温GaN垒层依次从下向上交替堆叠组成，且每层低温GaN盖层的生长均分为两阶段，第一阶段为生长过程中不通入H2气体，第二阶段为生长过程中通入H2气体；
在多量子阱发光层上生长p-AlGaN电子阻挡层；
在p-AlGaN电子阻挡层上生长p-GaN层和p-GaN接触层。
2.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，所述H2气体的流量为低温GaN盖层生长过程中通入的所有气体总流量的0.1%-20%。
3.根据权利要求2所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，每层低温GaN盖层的第一阶段的厚度比例大于等于10%且小于等于90%。
4.根据权利要求3所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，所述多量子阱发光层中InGaN阱层的厚度为1-6nm，低温GaN盖层的总厚度为0.2-6nm，高温GaN垒层的厚度为5-20nm。
5.根据权利要求4所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，所述InGaN阱层中In组分以摩尔百分数计为5-40%。
6.根据权利要求5所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，所述多量子阱发光层中InGaN阱层/低温GaN盖层/高温GaN垒层的周期数为1-20对。