1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成第一金属线、绝缘膜层、第二金属线、第一刻蚀阻挡层和钝化膜层，所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影落入所述第二金属线在所述衬底上的正投影内；
通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔；所述第一过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一金属线在所述衬底上的正投影内，并暴露出所述绝缘膜层的表面；所述第二过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影内，并暴露所述第一刻蚀阻挡层的表面；
通过第二次刻蚀，在所述绝缘膜层上形成第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔在衬底上的正投影重叠，并暴露所述第一金属线；
去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的材料为金属；
所述通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔；所述第一过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一金属线在所述衬底上的正投影内，并暴露出所述绝缘膜层的表面；所述第二过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影内，并暴露所述第一刻蚀阻挡层的表面；通过第二次刻蚀，在所述绝缘膜层上形成第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔在衬底上的正投影重叠，并暴露所述第一金属线；去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线，具体包括：
在形成有第一金属线、绝缘膜层、第二金属线、第一刻蚀阻挡层和钝化膜层的衬底上形成光刻胶；
采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全去除部分至少与待形成的所述第一过孔和所述第二过孔对应；
采用干刻蚀法对所述光刻胶完全去除部分下方的所述钝化膜层进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔；
采用化学反应法对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行氧化，形成第二刻蚀阻挡层；
采用干刻蚀法对所述第一过孔下方的所述绝缘膜层进行刻蚀，形成所述第三过孔；
采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶，并对所述第二过孔下方的所述第二刻蚀阻挡层进行溶解，露出所述第二金属线。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用干刻蚀法对所述光刻胶完全去除部分下方的所述钝化膜层进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔；采用化学反应法对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行氧化，形成第二刻蚀阻挡层；采用干刻蚀法对所述第一过孔下方的所述绝缘膜层进行刻蚀，形成所述第三过孔，具体包括：
向等离子体刻蚀设备内通入六氟化硫，对所述光刻胶完全去除部分下方的所述钝化膜层进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔；
向所述等离子体刻蚀设备内通入氧气，对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行氧化，形成第二刻蚀阻挡层；
向所述等离子体刻蚀设备内通入六氟化硫，对所述第一过孔下方的所述绝缘膜层进行刻蚀，形成所述第三过孔。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的材料为金属氧化物；
去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线，具体包括：
通过构图工艺在绝缘膜层上形成第三过孔后，采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶的同时，对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行溶解，露出所述第二金属线。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影与所述第二金属线在所述衬底上的正投影重合。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属线为栅线，所述第二金属线为数据线；
在所述衬底上形成第二金属线的同时，还形成源电极和漏电极；
通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔的同时，还形成第四过孔；
去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线的同时，还对所述第四过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行去除以露出所述漏电极。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述钝化膜层远离所述衬底一侧形成包括第一透明导电结构和第二透明导电结构的透明导电层；
所述第一透明导电结构通过所述第一过孔和所述第三过孔与所述第一金属线电连接，所述第二透明导电结构通过所述第二过孔与所述第二金属线电连接。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的材料为Al。
9.根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的厚度为5～10nm。
10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板通过权利要求1-9任一项所述的方法制备得到。