技术特征：
技术总结
本发明公开了一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法，其包括：n+型GaN衬底(1)、n‑型GaN漂移层(2)、n型GaN孔径层(3)、电流阻挡层(4)、GaN沟道层(6)和势垒层(7)，势垒层上两侧淀积有源极(11)，源极之间的势垒层上有p+型GaN帽层(8)，p+型GaN帽层两侧刻有台阶(9)，p+型GaN帽层上淀积有栅极(12)，n+型GaN衬底下淀积有漏极(13)，钝化层(14)包裹除漏极底部以外的所有区域，钝化层内两侧有阶梯场板(15)，阶梯场板与栅极电气连接，钝化层和阶梯场板上有保护层(16)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小，可用于电力电子系统。
技术研发人员：毛维;石朋毫;杜鸣;郝跃;王冲
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.03.29
技术公布日：2017.09.08