技术特征：
技术总结
本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及半导体技术领域，在TFT的制作过程中，能够减小半导体有源层中缺陷产生的几率。该薄膜晶体管包括底栅极，以及依次设置于底栅极上的底栅绝缘层、半导体有源层、第一绝缘层。薄膜晶体管还包括设置于第一绝缘层背离底栅极一侧的源极和漏极。第一绝缘层在对应源极和漏极的位置分别设置有过孔。半导体有源层上在对应上述过孔的位置设置有覆盖半导体有源层的欧姆接触层。源极、漏极分别通过不同的过孔与欧姆接触层相接触。该薄膜晶体管用于在电路中起到开关或驱动负载的作用。
技术研发人员：贵炳强;曲连杰;齐永莲;赵合彬
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
技术研发日：2017.03.29
技术公布日：2017.07.04