技术特征：
技术总结
本发明公开了一种(0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法。所述晶圆的外延层表面形成有至少一个多边形沟槽，并且构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的晶面或晶面平行。所述晶圆的加工方法包括：于(0001)面外延的六方相SiC晶圆的外延层表面加工形成至少一多边形沟槽，并使其垂直于(0001)面碳化硅外延片表面；对构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面进行晶面校正并使该至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的晶面或晶面平行。本发明所获UMOSFET器件能利用或晶面及其等效晶面的迁移率特性，提高器件性能。
技术研发人员：林文魁;曾春红;张宝顺;孙玉华;张璇
受保护的技术使用者：苏州能屋电子科技有限公司
技术研发日：2017.04.21
技术公布日：2018.11.02