技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体结构的制造方法。其中，该半导体结构的制造方法包括以下步骤：形成一底氧化层；形成一第一导体层于底氧化层上；形成一叠层于第一导体层上，叠层包括交错设置的多个第二导体层和多个绝缘层；形成一第一开口，具有一第一剖面宽度，第一开口穿过叠层及一部份的第一导体层；形成一第二开口，具有一第二剖面宽度，第二开口穿过第一开口下方的第一导电层并暴露出底氧化层，且第二剖面宽度小于第一剖面宽度；以及形成一存储层于第一开口的一侧壁上及填满于第二开口中。
技术研发人员：赖二琨;龙翔澜
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2017.05.02
技术公布日：2018.11.13