薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备与流程

技术特征：

技术总结
提供了一种薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备，所述薄膜晶体管包括：基底；半导体层，设置在基底上方；栅极绝缘膜，设置在半导体层上方；以及栅电极。半导体层包括沟道区、源区和漏区。栅极绝缘膜包括第一区和第二区。第二区与第一区接界。栅电极设置在第一区上方。台阶形状形成在第二区和第一区相接处。

技术研发人员：朴鲜;柳春基;权赫珣
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2017.05.19
技术公布日：2017.11.28