技术特征：
技术总结
提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下工序：保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿分割预定线露出的半导体基板进行分割。
技术研发人员：田渕智隆;沟本康隆;吉永晃
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2017.06.28
技术公布日：2018.01.12