技术特征：
技术总结
本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：包含金刚石衬底；金刚石衬底的一面设有金刚石外延层，另一面设有欧姆接触电极；金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观结构；凸梁的表面形成有氧终端表面；氧终端表面上设有低势垒肖特基区域金属；金刚石外延层的微观结构中除凸梁表面的区域设有氟终端；低势垒肖特基区域金属和氟终端的表面形成一层高势垒肖特基区域金属。与现有技术相比，通过本发明，能够获得同时具有正向开启电压小、电流密度大、反向漏电流小、击穿电压高的肖特基二极管。
技术研发人员：王宏兴;赵丹;邵国庆;刘璋成;朱天飞;张明辉;王艳丰;王玮;问峰;卜忍安;侯洵
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2017.07.05
技术公布日：2017.11.21