本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种加热承载台及其控制方法、薄膜封装设备。
背景技术：
oled(organiclight-emittingdiode；有机电致发光)器件具有功耗低、轻便、亮度高、视野宽及高对比度和反应速度快等特点，目前已经广泛应用于消费电子产品市场。为提高oled器件的使用寿命，在oled器件的生产过程中需采用封装工艺对oled器件进行封装，以降低使用过程中水氧渗透造成的侵蚀。薄膜封装是目前一种常用的封装方法，通过在oled器件上设置一层或多层由有机材料或无机材料形成的薄膜，可起到使oled器件与外界环境隔绝、减缓水氧渗透的作用。
目前的封装工艺中多采用pecvd((plasmaenhancedchemicalvapordeposition；等离子体增强化学气相沉积)方法进行封装薄膜的制备，pecvd方法通过使成膜材料的气体电离并形成等离子体，然后在基片上沉积出所需的薄膜。在封装工艺过程中，将形成有oled器件的基板放置于加热承载台上，随着基板被加热到一定温度，等离子体形态的封装材料沉积于oled器件上，从而形成封装薄膜。然而，现有技术中的加热承载台易使基板受热不均匀，从而导致沉积的封装薄膜的边缘致密程度不足，在oled器件的使用过程中易渗入水氧；且加热承载台在对基板进行加热的过程中，易使基板上的oled器件热量积累过多而导致温度上升过高，降低了oled器件中的有机材料的使用寿命。因此，现有技术中的加热承载台会造成oled器件的封装膜边缘致密度不足和有机材料寿命下降的问题，降低了oled器件的信赖性和良率。
技术实现要素：
本发明提供了一种加热承载台及其控制方法、薄膜封装设备，用于解决现有技术中的加热承载台造成oled器件的封装膜边缘致密度不足和有机材料寿命下降，进而导致oled器件的信赖性和良率降低的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：
一种加热承载台，包括：
承载台本体；
第一加热装置，所述第一加热装置在所述承载台本体上形成第一加热区域；
第二加热装置，所述第二加热装置在所述承载台本体上形成第二加热区域，所述第二加热区域围绕所述第一加热区域设置；
温控装置，所述温控装置分别与所述第一加热装置和所述第二加热装置连接，并用于控制所述第一加热装置和第二加热装置的温度，以使所述第二加热装置在加热过程中的温度高于所述第一加热装置在加热过程中的温度，且使所述第一加热装置的温度在加热过程中逐渐降低。
本发明提供的加热承载台中，第一加热装置具有第一加热区域，在加热过程中用于加热基板的中心部分，第二加热装置具有围绕第一加热区域设置的第二加热区域，在加热过程中用于加热基板的边缘部分，在加热过程中，温控装置控制第二加热装置的温度高于第一加热装置，使基板的边缘部分的温度高于基板的中心部分，可使封装材料在基板边缘部分沉积形成的薄膜更加致密，提高封装薄膜边缘的致密度，降低了水氧由封装薄膜边缘渗入的概率，温控装置还控制第一加热装置在加热过程中温度逐渐下降，可减少基板的中心部分在加热过程中的热量积累，降低了oled器件的有机材料的温度，改善了受热温度过高导致的有机材料使用寿命下降的问题。因此，本发明提供的加热承载台可改善现有技术中的加热承载台造成oled器件的封装膜边缘致密度不足和有机材料寿命下降，进而导致oled器件的信赖性和良率降低的问题。
可选地，所述第一加热装置包括第一加热管路，所述第一加热管路盘绕形成所述第一加热区域；
所述第二加热装置包括第二加热管路，所述第二加热管路围绕所述第一加热管路形成所述第二加热区域。
进一步地，所述第一加热装置包括与所述第一加热管路连通的第一循环机构，所述第一循环机构用于使加热后的导热液体在所述第一加热管路内循环流动；
所述第二加热装置包括与所述第二加热管路连通的第二循环机构，所述第二循环机构用于使加热后的导热液体在所述第二加热管路内循环流动。
进一步地，所述导热液体为水或热传导液。
进一步地，所述第一加热管路由铜或铝材料制备，所述第二加热管路由铜或铝材料制备。
本发明还提供了一种上述技术方案提供的加热承载台的控制方法，所述温控装置控制所述第二加热装置在加热过程中的温度高于所述第一加热装置在加热过程中的温度，并控制所述第一加热装置的温度在加热过程中逐渐降低。
可选地，所述温控装置控制所述第二加热装置在加热过程中的温度高于所述第一加热装置在加热过程中的温度5℃-8℃。
进一步地，所述温控装置控制所述第一加热装置的温度在加热过程开始后每分钟降低5℃。
进一步地，所述温控装置控制所述第一加热装置的温度在加热过程中由80℃下降到65℃。
本发明还提供了一种薄膜封装设备，包括如上述技术方案提供的加热承载台。
附图说明
图1是本发明实施例提供的加热承载台的结构示意图。
附图标记：
100，承载台本体；101，第一加热区域；102，第二加热区域；
200，第一加热装置；210，第一加热管路；220，第一循环机构；
300，第二加热装置；310，第二加热管路；320，第二循环机构；
400，温控装置。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
参见图1所示，本实施例提供了一种加热承载台，包括：
承载台本体100，具体实施中，承载台本体100上设有承载基板的承载面；
第一加热装置200，第一加热装置200在承载台本体100上形成第一加热区域101，具体实施中，第一加热区域101设置于承载面上；
第二加热装置300，第二加热装置300在承载台本体100上形成第二加热区域102，第二加热区域102围绕第一加热区域101设置，具体实施中，第二加热区域102设置于承载面上；
温控装置400，所述温控装置400分别与所述第一加热装置200和所述第二加热装置300连接，并用于控制所述第一加热装置200和第二加热装置300的温度，以使所述第二加热装置300在加热过程中的温度高于所述第一加热装置200在加热过程中的温度，且使所述第一加热装置200的温度在加热过程中逐渐降低。
本实施例提供的加热承载台中，第一加热装置200在承载台本体100上形成第一加热区域101，在加热过程中用于加热基板的中心部分，第二加热装置300在承载台本体100上形成围绕第一加热区域101设置的第二加热区域102，在加热过程中用于加热基板的边缘部分。
在加热过程中，温控装置400控制第二加热装置300的温度高于第一加热装置200，使基板的边缘部分的温度高于基板的中心部分，可使封装材料在基板边缘部分沉积形成的薄膜更加致密，提高封装薄膜边缘的致密度，降低了水氧由封装薄膜边缘渗入的概率。温控装置400还控制第一加热装置200在加热过程中温度逐渐下降，可减少基板的中心部分在加热过程中的热量积累，降低了oled器件的有机材料的温度，改善了受热温度过高导致的有机材料使用寿命下降的问题。
因此，本发明提供的加热承载台可改善现有技术中的加热承载台造成oled器件的封装膜边缘致密度不足和有机材料寿命下降，进而导致oled器件的信赖性和良率降低的问题。
一种具体实施方式中，参见图1所示，第一加热装置200包括第一加热管路210，第一加热管路210盘绕形成第一加热区域101；第二加热装置300包括第二加热管路310，第二加热管路310围绕第一加热管路210形成第二加热区域102。第一加热管路210和第二加热管路310的盘绕方式应能使第一加热区域101和第二加热区域102均匀发热，以便使基板的中心部分和边缘部分被均匀加热，本实施中对第一加热管路210和第二加热管路310的盘绕方式不做限制。
具体实施中，第一加热管路210和第二加热管路310可采用电热丝进行加热，也可向加热管路内通入循环流动的导热液体进行加热。具体地，为提高第一加热管路210和第二加热管路310的导热性能，进而，第一加热管路210由铜或铝材料制备，且第二加热管路310由铜或铝材料制备，铜和铝的导热性能较好，可提高第一加热管路210和第二加热管路310的加热效率。
在第一加热管路210和第二加热管路310采用导热液体进行加热时，需要使导热液体在第一加热管路210和第二加热管路310内循环流动，以使第一加热管路210和第二加热管路310内的导热液体在温度下降后及时流出第一加热管路210和第二加热管路310，并向第一加热管路210和第二加热管路310内及时补充温度较高的导热液体，保证第一加热管路210和第二加热管路310的温度处于所需的加热范围内。参见图1所示，一种具体实施方式中，第一加热装置200包括与第一加热管路210连通的第一循环机构220，第一循环机构220用于使加热后的导热液体在第一加热管路210内循环流动；第二加热装置300包括与第二加热管路310连通的第二循环机构320，第二循环机构320用于使加热后的导热液体在第二加热管路310内循环流动。
具体地，第一循环机构220和第二循环机构320中包括用于使导热液体循环流动的循环泵，温控装置400包括分别与第一循环机构220和第二循环机构320连接、并用于控制与第一循环机构220和第二循环机构320启动或停止的控制单元，还包括用于加热待流入第一加热管路210和第二加热管路310的导热液体的加热单元，以及用于检测第一加热区域101和第二加热区域102的温度的温度传感单元，加热单元将导热液体加热到所需温度，在温度传感单元检测到第一加热区域101或第二加热区域102的温度低于预设的工作温度时，控制单元控制第一循环机构220或第二循环机构320启动，排出第一加热管路210或第二加热管路310内的温度已降低的导热液体，并使所需温度的导热液体流入第一加热管路210或第二加热管路310内，从而保证第一加热管路210和第二加热管路310保持所需的加热温度。具体实施中，导热液体可为水或热传导液。
实施例二
本实施例提供了一种如上述实施例一提供的加热承载台的控制方法，该控制方法具体包括：
温控装置400控制第二加热装置300在加热过程中的温度高于第一加热装置200在加热过程中的温度，并控制第一加热装置200的温度在加热过程中逐渐降低。
目前的oled器件在使用过程中，水氧通常从封装薄膜的边缘渗入而导致oled器件的使用寿命下降，所以提高封装薄膜的边缘部分的致密性，可降低水氧渗入的概率。在封装薄膜的沉积过程中，基板的温度对封装薄膜的性质和结构稳定性有重要影响，提高基板的温度可使封装材料的气体分子团在到达基板后具有一定的表面迁移能力，在位能最低的位置结合到基板上去，从而使所形成的封装薄膜内应力较小且结构致密。具体实施中，为保证封装薄膜边缘的致密度，对基板的边缘部分的加热温度要高于对基板的中心部分的加热温度，高出的温度范围在5℃-8℃。目前的薄膜封装工艺中，为防止oled器件由于过热而导致损失，对基板的加热温度一般控制在80℃左右，由于基板的边缘部分一般不设有有机发光器件，因此在基板的边缘部分未设有有机发光器件时，提高基板边缘部分的加热温度，对设置于基板中心部分的有机发光器件的影响较小。
为保证对基板的边缘部分的加热温度高于对基板的中心部分的加热温度，一种具体实施方式中，温控装置控制第二加热装置在加热过程中的温度高于第一加热装置在加热过程中的温度5℃-8℃，具体地，第二加热装置的加热温度可高于第一加热装置5℃、6℃、7℃或8℃。
目前的封装工艺中，封装薄膜的成膜速度在250nm/min左右，在获得所需的膜厚时，基板的表面温度会上升20℃左右，平均温度升高速率约为6℃/min。在封装薄膜沉积之后，由于热量的积累，基板的温度一般都会超过80℃，增加了oled器件由于温度过高造成损伤的概率。
本实施例提供的控制方法中，为减少基板的热量积累，在一种具体实施方式中，温控装置控制第一加热装置的温度在加热过程开始后每分钟降低5℃，即下降速率为5℃/min。在起始加热温度为80℃时，进一步地，温控装置控制第二加热装置的温度在加热过程中由80℃下降到65℃。通过控制第二加热装置的温度逐渐降低，可以控制基板表面的温度积累，减少基板在封装工艺中上升的温度，降低oled器件由于过热而导致损伤的概率。
经过实验测试，现有技术中的封装工艺可使基板的温度达到80℃以上，而本实施例提供的控制方法在封装工艺中使可控制基板的温度在70℃左右。
本实施例提供的控制方法在加热过程中，温控装置控制第二加热装置的温度高于第一加热装置，使基板的边缘部分的温度高于基板的中心部分，可使封装材料在基板边缘部分沉积形成的薄膜更加致密，提高封装薄膜边缘的致密度，降低了水氧由封装薄膜边缘渗入的概率。温控装置还控制第一加热装置在加热过程中温度逐渐下降，可减少基板的中心部分在加热过程中的热量积累，降低了oled器件的有机材料的温度，改善了受热温度过高导致的有机材料使用寿命下降的问题。
实施例三
基于同一发明构思，本发明还提供了一种薄膜封装设备，包括如上述实施例一提供的加热承载台。具体实施中，该薄膜封装设备还包括等离子气体发生装置。
本实施例提供的薄膜封装设备同样善现有技术中的加热承载台造成oled器件的封装膜边缘致密度不足和有机材料寿命下降，进而导致oled器件的信赖性和良率降低的问题。其原理和具体实施参见上述实施例一，不再赘述。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。