技术特征：
技术总结
本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置，所述薄膜晶体管包括栅极、栅介质层、有源层、源漏电极和钝化层；所述源漏电极和钝化层之间设有隔离层，所述隔离层覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区。本发明通过在源漏电极以及源漏电极之间的沟道区蒸镀隔离层，使所述源漏电极在后续工艺中不易氧化，尤其是改善了铜在后续高温钝化工艺中的氧化问题。
技术研发人员：周天民;杨维;王利忠;朱夏明;宋吉鹏
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2017.07.17
技术公布日：2017.11.21