技术特征：
技术总结
一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极；在所述栅极的侧壁上形成偏移侧墙，所述偏移侧墙包括原始侧墙以及位于所述原始侧墙侧壁的氧化层，所述氧化层是由于自然氧化生成的；对所述氧化层进行灰化处理，以使所述偏移侧墙具有稳定的厚度。本发明方案可以在偏移侧墙的氧化层的自然氧化饱和之前，无需人工补偿即可进行轻掺杂离子注入操作，有效地提高晶圆制造效率的同时，避免制造成本和人力成本的增加。
技术研发人员：江涛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2017.07.27
技术公布日：2019.02.05