本揭露实施例是有关于一种晶圆台，且特别是有关于一种具有微粒凹口的夹盘的晶圆台。
背景技术：
：：可以透过使用微影在工件上重复地形成图案来制造集成电路(integratedcircuit，ic)。微影是将图案从转印层(例如分划板)转印至工件的过程，且在制造集成电路的期间重复地执行。为了使集成电路正确地运作，最小化介于工件与转印层之间的对准偏差是很重要的。对准偏差的贡献者例如包含工件的变形与工具校准。技术实现要素：本揭露提出一种晶圆台，包含多个凹槽与微粒凹口的夹盘。多个凹槽是径向地间隔设置且从该夹盘的顶面在夹盘内延伸至夹盘的基面。夹盘的基面分别定义凹槽的多个底面，且夹盘的顶面与夹盘的底面之间被夹盘的基面隔开。微粒凹口从夹盘的顶面在夹盘内延伸至间隔于夹盘的基面与夹盘的底面之间的位置。微粒凹口配置于工件的工件对准记号之下。为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。图1a是绘示具有微粒凹口的夹盘的微影系统的一些实施例的透视图；图1b是绘示图1a的夹盘的一些实施例的上视图；图2a与图2b是绘示图1a的夹盘的各种实施例的剖视图，其中微粒被卡在夹盘的微粒凹口中；图3是绘示图1a的夹盘的其他一些实施例的上视图，其中夹盘具有凹沟与微粒凹口；图4a是绘示具有晶粒与工件对准记号的工件的一些实施例的上视图；图4b是绘示用于图4a的工件中的工件对准记号的一些实施例的布局图；图4c是绘示具有晶粒与工件对准记号的工件的其他实施例的上视图；图5是绘示图1a的夹盘的一些实施例的上视图，其中夹盘具有微粒凹口的重复图案；图6至图11是绘示用于具有微粒凹口的夹盘的流程的一些实施例的一系列的剖视图；图12是绘示图6至图11的流程的一些实施例的流程图。具体实施方式以下的揭露提供了许多不同的实施例或例子，以实施所提供标的的不同特征。以下描述的构件与安排的特定例子，以简化本揭露。当然，这些仅仅是例子而不是用以限制本揭露。例如，在说明中，第一特征形成在第二特征的上方或之上，这可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施例，这也可以包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施例，这使得第一特征与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭露可能会在各种例子中重复参考数字及/或文字。此重复是为了简明与清晰的目的，但本身并非用以指定所讨论的各种实施例及/或架构之间的关系。再者，在此可能会使用空间相对用语，例如“底下(beneath)”、“下方(below)”、“较低(lower)”、“上方(above)”、“较高(upper)”等等，以方便说明如附图所绘示的一元件或一特征与另一(另一些)元件或特征的关系。这些空间上相对的用语除了涵盖在附图中所绘示的方向，也欲涵盖装置在使用或操作中不同的方向。设备可能以不同方式定位(例如旋转90度或在其他方位上)，而在此所使用的空间上相对的描述同样也可以有相对应的解释。通常在半导体工件制造设备中透过多个制程步骤来制造集成电路(integratedcircuits，ics)，其中制程步骤是在工件上放置图案化层。为了使集成电路正确地运作，这些图案化层必须彼此准确地对准。在图案化层之间的不对准可能造成短路或连结失效，这显著地影响装置产量。当图案化层在x和/或y方向上径向地偏移时，不对准可能发生。当图案化层以一个角度彼此垂直地偏移时，图案化层也可能变得不对准，这称为theta偏差(thetaerror)。这些对准偏差可能发生在制造的初始阶段或在集成电路装置的制造期间。随着集成电路的复杂度的增加，图案化层的对准变得越来越重要且难以维持。可使用不同的制程来创建具有不同的图案与特征尺寸的工件。举例来说，可以使用制造图案、微影、x-射线微影、压印微影、光微影等。在一个实例中，在石英板的表面上形成透明与不透明区域作为转印层(例如光罩、分划板等)。曝光单元使辐射通过转印层以形成转印图案的图像。透过透镜来聚焦或减少图像，且投影图像到工件的表面上，其中工件涂布了被称为光阻的光感材料。通常，透过移动夹盘(即晶圆平台)上的工件来使图像“层叠(stepped)”在工件上。上述移动举例来说可相应于工件上的单独的晶粒，以“压印(imprint)”图案到光阻中。透过曝光单元来曝光之后，显影被涂布的工件，使得光阻根据曝光期间接收到的区域光量在某个区域溶解。有光阻与无光阻的这些区域复制了转印层的图案。在图案化的期间，微粒可在夹盘与工件之间被捕获。举例来说，光阻的微粒可变得卡在夹盘与光件之间，造成工件以相对于微粒的高度成一个角度来与夹盘垂直地偏移。由微粒所造成的theta偏差不仅不利地影响了固定在夹盘上的工件，而且还影响了上覆层的对准。举例来说，theta偏差可能造成一个图案层相对于另一个图案层移动或滑动，导致在x方向和y方向上的不对准。在一些实施例中，可使用微影制程来将系统聚焦以将对准记号的图像定位至同一聚焦平面上。对于大约小于100纳米(nanometers，nm)的小特征，在同一聚焦平面成像对准记号提高了解析度。微粒被卡在工件与夹盘之间可能减少焦距的范围，从而减少了聚焦平面且降低了解析度。本揭露是有关于一种包含具有微粒凹口的夹盘的工件台。举例来说，夹盘包含顶面、底面与介于顶面与底面之间的基面。顶面与基面被定义顶面的突出部所隔开，且突出部从基面突出至顶面。突出部彼此径向地间隔设置以定义介于突出部之间的凹槽，其中基面定义凹槽的底面。在一些实施例中，突出部可为多个柱子、多个立柱或支柱。夹盘还包含微粒凹口，微粒凹口在工件的对准记号下方且具有在基面下方分隔开的底面。因此，在对准记号下方的一个点的漫游的微粒在夹盘与工件之间被捕获，至少部份地沉降在微粒凹口中。因为基于对准记号来使图案化层相对于彼此设置，在对准记号发生的不对准偏差可在整个工件上传播，使大部分的，如果不是全部的，所得的晶粒不可用。因此，这些偏差被认为是不可修正的偏差(non-correctableerrors，nces)。微粒凹口有利地位在对准记号的下方以减少在对准记号下方被捕获的微粒所可能具有的影响。尤其，当微粒卡在微粒凹口中时，夹盘和工件能够保持实质上平行，使得夹盘的突出部保持与工件的接触。微粒凹口的尺寸可相应于图案化使用的典型微粒的尺寸，例如所使用的光阻的微粒尺寸。举例来说，微粒凹口的尺寸可与微粒的尺寸大致相同。因此，即使当微粒卡在介于工件与夹盘之间的微粒凹口中时，工件与夹盘也保持平行。这减少了因为散焦引起的对准偏移。再者，可使用夹盘的对准记号来适当地对准夹盘与工件，而不会引起微粒造成的对准偏差。请参照图1a，绘示了具有微粒凹口106a/160b的夹盘102的微影系统100。夹盘102(即晶圆平台)用以承接工件108(例如晶圆)。夹盘102具有顶面102a与底面102b。当工件108位处于夹盘102上时，曝光单元112在工件108上形成特征。尤其，透过将工件108暴露于穿过转印层110的辐射，曝光单元112在工件108上形成特征。在一个实施例中，转印层110可为分划板，且曝光单元112可使用光微影来在工件108上形成特征。举例来说，以光感材料来覆盖工件108，且工件108位处于夹盘102上。再者，根据工件108上的工件对准记号108a/108b，工件108对准于转印层110且在转印层110上转印对准记号110a/110b。当根据曝光场域布局(exposurefieldlayout)来层叠或移动工件108时，工件108接着重复地暴露于由转印层110所图案化的辐射，从而将转印层110的图案转印到曝光场域布局的曝光场域(exposurefields)。举例来说，可通过移动夹盘102来移动工件108，且/或举例来说，曝光场域可相应于晶粒。夹盘102、工件108与转印层110的不对准可能造成特征不准确地形成在工件108上。因为单一工件108可容纳数百个单独的晶粒，所以不对准可能造成工件108上的任一或全部的晶粒变形，因此不能使用。所以，根据工件对准记号108a/108b与转印对准记号110a/110b来使夹盘102、工件108与转印层110实质上平行且对准是重要的。通过卡在夹盘102与工件108之间的微粒而造成的theta偏差导致夹盘102与工件108的分离。这样的分离可能造成工件108与转印层110之间的不对准，使得工件对准记号108a/108b与转印对准记号110a/110b偏移。相应地，夹盘102包含位于工件对准记号108a/108b和/或转印对准记号110a/110b下方的微粒凹口106a/106b。微粒凹口106a/106b用以容纳微粒，微粒可能在夹盘102与工件108之间被捕获，所以即使微粒确实变成卡在夹盘102与工件108之间，工件108与转印层110仍保持对准，这减少了对准偏差。微粒凹口106a/106b具有高度h1和宽度w1。高度h1是从顶面102a延伸至介于底面102b与基面102c之间的一个点。高度h1越大，可实现的平整度就越差，高度h1越小，则增加接触面积。在一些实施例中，高度h1约为30纳米。如下文更详细的描述者，基面102c为从多个突出部110(例如肋状物(ribs)或瘤节(burls))延伸至顶面102a的一个表面。高度h1和宽度w1可以基于在制造期间使用的材料(例如：液体和/或气体)的微粒尺寸。举例来说，高度h1和宽度w1可以基于在制造期间使用的光阻材料的种类。再者，举例来说，微粒凹口106a/106b可各自定义具有在顶面102a的最顶部边界与在微粒凹口的底面的最底部边界的空腔，其中底面在基面102c的下方被隔开。举例来说，该空腔可为长方体形或圆柱形。再者，举例来说，该空腔的唯一的入口与出口可在最顶部边界，或在夹盘102的顶面102a或基面102c上或上方。尽管显示了两个微粒凹口106a/106b可使用更多或更少的微粒凹口。在一些实施例中，在夹盘102中的微粒凹口的数量相应于工件对准记号108a/108b的数量和/或转印对准记号110a/110b的数量。此外或可选地，在夹盘102中的微粒凹口106a/106b的数量可基于在制造期间使用的涂布材料的数量或在工件108上制造的晶粒的数量。夹盘102还具有多个凹槽104。凹槽104从夹盘102的顶面102a在夹盘102内延伸了深度d1至基面102c。凹槽104彼此被从基面102c延伸至顶面102a的夹盘102的突出部111径向地分隔。突出部111定义夹盘102的顶面102a，且举例来说，突出部111可为肋状物、线状肋或弧形肋。举例来说，凹槽104可被分隔开，使得凹槽104之间彼此等距。多个凹槽104的其中一者具有宽度w2。宽度w2可等于2.5毫米(millimeter，mm)。在一些实施例中，宽度w2相应于微粒凹口106a/106b的宽度w1。在一些实施例中，夹盘102的微粒凹口106a/106b可直接居中在工件对准记号108a/108b的下方和/或转印对准记号110a/110b的下方。举例来说，假设中心线114延伸穿过微粒凹口106a/106b，使得从中心线114至微粒凹口侧壁的距离是等距的。中心线114还可以延伸穿过工件对准记号108a/108b的中心和/或转印对准记号的中心110a/110b。除了在工件对准记号108a/108b之下和/或转印对准记号110a/110b之下以外，微粒凹口106a/106b可被定位于且开启于多个凹槽104的相邻凹槽之间。介于对准记号108a的中心与微粒凹口106a的边缘之间的宽度w4可以在大约0.9821至1.1933毫米的范围内。因此，微粒凹口和成对的相邻开口可定义在具有层叠轮廓的夹盘102的顶面102a中的开口116。在开口116的顶部，开口116具有宽度w3，其中宽度w3是微粒凹口的宽度w1加上两倍的凹槽104的宽度w2。在开口116的底部，开口116具有微粒凹口的宽度w1。凹槽104从顶面102a在夹盘102内延伸了深度d1，且夹盘102的基面102c定义了凹槽104的底面。微粒凹口106a/106b在夹盘102内以额外深度d2延伸超过了基面102c，使得微粒凹口106a/106b的高度h1相等于深度d1加上额外深度d2。额外深度d2增加额外的空间以容纳微粒，从而减少漫游的微粒引发不对准与造成不可修正的偏差的可能性。在一些实施例中，对准测量工具118可以测量介于工件对准记号108a/108b与转印对准记号110a/110b之间的对准。举例来说，这样的量测可使用干涉法来执行，和/或工件对准记号108a/108b和转印对准记号110a/110b可以是微光栅(micro-gratings)。再者，举例来说，这样的量测可用于重叠控制(overlaycontrol)。当对准测量工具118被显示为曝光单元112的元件时，对准测量工具118可以替代地是独立的特征或另一装置的元件。夹盘102还可以包含真空端口120。在制造制程期间使用真空端口120，但不形成微粒凹口106a/106b的底面。图1b绘示工件108与具有微粒凹口106a/106b的夹盘102的一些实施例的上视图。多个凹槽104被绘示为夹盘102中的圆形凹陷。这样的形状仅是例示性的，且多个凹槽104可形成为其他的形状，包含但不限于，方形、椭圆形、菱形、不规则形等。可选地，可通过沉积材料在夹盘上来形成多个凹槽104。举例来说，多个凹槽104可为在夹盘102上形成突出部的结果。如图所示，工件对准记号108a/108b和/或转印对准记号110a/110b可与多个凹槽104重叠。在一些实施例中，微粒凹口106a/106b超过工件对准记号的尺寸和/或转印对准记号的尺寸。这可以进行以确保微粒凹口106a/106b的边缘上的微粒不会造成不对准。再者，在一些实施例中，微粒凹口106a/106b可偏移工件对准记号108a/108b和/或转印对准记号110a/110b。举例来说，如果微粒在工件108的周边更可能被卡在介于夹盘102与工件108之间，微粒凹口106a/106b可朝向工件的周边偏移。图2a绘示被卡在夹盘102的微粒凹口中的微粒202的透视图。微粒202沉降在微粒凹口106b中。在一些实施例中，可选择微粒凹口106b的宽度w1，使得微粒202能够与微粒凹口106b的底面接触。在一些实施例中，可以至少部分地基于微粒202的直径来选择微粒凹口106b的宽度w1。在一些实施例中(如图所示)，将微粒凹口106b设置于多个凹槽104的相邻的凹槽204、206之间。这允许了制造材料沿着凹槽204、206仍然在夹盘102与工件108之间移动。图2b绘示卡在夹盘102的微粒凹口208中的替代性实施例的微粒202的透视图。微粒凹口208具有凹口侧壁214与216，且突出部具有突出侧壁218与220。因为通过突出部，例如突出部210与212，来形成多个凹槽104，反之亦然，所以突出侧壁218与220也是凹槽侧壁。在所示的实施例中，微粒凹口208通过突出部210与212而构成，使得微粒凹口208的凹口侧壁214与216具有高度h1，且从夹盘102的顶面102a延伸至微粒凹口208的底面。在一些实施例中，微粒凹口208的凹口侧壁214与216与相邻突出部210与212的突出侧壁共平面。在一些实施例中，微粒凹口208的凹口侧壁214与216是倾斜的，以将漫游的微粒引导到微粒凹口208的底面。图3绘示夹盘102的一些实施例的上视图，其中凹槽104为凹沟。在一些实施例中，多个凹槽104环绕夹盘102的中心和/或多个凹槽104为圆形。再者，在一些实施例中，多个凹槽104可为从夹盘102的中心向外辐射的一系列的环形的凹沟。图4a绘示具有多个晶粒，例如晶粒402，与工件对准记号108a/108b的工件108的上视图，其中工件对准记号108a/108b与在夹盘102上的微粒凹口106a/106b(图未示)一起使用。在一些实施例中，工件对准记号108a/108b的位置是基于具有x维度和y维度的二维笛卡尔座标系统。举例来说，x维度和y维度可实质上平行于工件108的顶面。再者，举例来说，工件对准记号108a/108b的位置可透过在x维度与y维度中的x座标与y座标来定义。举例来说，工件对准记号108b可具有笛卡尔座标(77.8,54.5)。在夹盘102上的微粒凹口106a/106b的位置也可基于笛卡尔座标系统来促进微粒凹口106a/106b的对准与工件对准记号108a/108b的对准。可选地，工件对准记号108a/108b的位置和/或微粒凹口106a/106b的位置可基于极座标系统，其中每个位置以与工件108的中心点的一个角度和一个角距来定义。举例来说，可将工件对准记号108b的位置定义为与工件108的中心点401成55度角404开始的大约94.99毫米处。在一些实施例中，背面对准记号销位于中心点401。背面对准记号销可移动，使得背面对准记号销在销移动区域内移动。这样的移动可能造成不对准。然而，在此，可移除背面对准记号销以避免因为背面对准记号销移动所造成的不对准。微粒凹口106a/106b与工件对准记号108a/108b的对准减少了因为微粒在夹盘102与工件108之间被捕获所造成的对准偏差。尤其，当微粒凹口106a/106b不存在，微粒与工件对准记号108a/108b越靠近，介于工件对准记号108a/108b与转印对准记号110a/110b之间的不对准越大。再者，当微粒凹口106a/106b不存在，则靠近工件对准记号108a/108b的微粒可能导致不可修正的偏差。不可修正的偏差包含不能被在夹盘102上的工件108的移动或放大率的改变所修正的偏差。举例来说，不可修正的偏差可为夹盘102上的工件108之间的垂直的不对准。透过将微粒凹口106a/106b设置在工件对准记号108a/108b附近，微粒凹口106a/106b捕获紧邻工件对准记号108a/108b的微粒，使得微粒不会影响介于工件对准记号108a/108b与转印对准记号110a/110b之间的不对准。所以，减少不可修正的偏差。不可修正的偏差的减少具有改进焦距范围的额外的效益，使得可以在单一聚焦平面中的工件108上显示更多的特征。举例来说，焦距范围可以从-0.45到+0.55改进到-0.45到+0.65。此外，透过在微粒凹口106a/106b的一者之中捕获微粒，工件能够更加地沉降于夹盘102上，从而减少不可修正的偏差的垂直的不对准，例如从60纳米减少至55纳米。尤其，假设测量工件108的外形来决定笛卡尔座标系统的z(垂直)维度中的偏差，以产生工件108的z映射(zmap)作为位置品质测试的一部分。z映射表示重叠偏差，因为其示出了垂直地不对准的晶粒402，因此不符合夹盘102。因为微粒凹口106a/106b允许微粒沉入于夹盘102中而非在工件108上向上推且在z维度中创建偏差，具有微粒凹口106a/106b的夹盘102改进了相应的工件的z映射。图4b绘示与夹盘(例如图1a的夹盘102)上的微粒凹口一起使用的例示性工件对准记号108b。工件对准记号108b可为如上讨论的晶粒，例如晶粒402，上的记号。工件对准记号108b可以不是跨越晶粒402的长度l1，而是占据晶粒402的较小区域。举例来说，工件108可包含在x方向与y方向上具有长度l1的多个晶粒，像是晶粒402。长度l1可约等于2毫米。工件对准记号108b可在晶粒402上居中，但具有较短的边长l2。在一个实施例中，较短的边长l2可约等于0.413毫米。虽然关于工件对准记号108b描述了这些例子，所描述的特征可存在于与微粒凹口(例如图1a的微粒凹口106a/106b)一起使用的任何对准记号上。在一个实施例中，工件对准记号108b可包含多个区域，例如区域406a/406b/406c/406d。区域的至少一子集可具有不同的图案以促进工件对准记号108b与其他对准记号，例如图1a的转印对准记号110a/110b或图1a的微粒凹口106a/106b的可视化和对准。在一些实施例中，工件对准记号108b可包含对准结构以促进对准。举例来说，工件对准记号108b可具有三维特征。图4c绘示具有晶粒和工件对准记号的工件的其他实施例的上视图。虽然已讨论过两个对准记号108a/108b，但是可以使用更多或更少的对准记号。在此，示出四个对准记号408a、408b、408c与408d。对准记号408a、408b、408c与408d从晶粒402的圆周开始分别以距离410a、410b、410c与410d来设置。在一些实施例中，距离410a可大约等于5毫米，距离410b可大约等于15毫米，距离410c可大约等于5毫米，距离410d可大约等于15毫米。图5绘示具有微粒凹口106c的重复图案的图1a的夹盘102的一些实施例的上视图。每个微粒凹口106c设置于工件的工件对准记号之下。举例来说，工件可为图4a的工件。夹盘102具有排列成格栅的多个相同尺寸的晶粒区域502，且重复的图案重复于每个相同尺寸的晶粒区域502中。举例来说，格栅可具有多个行和/或多个列。再者，举例来说，相同尺寸的晶粒区域502可相应于晶粒或曝光场域，例如图4a的晶粒402，和/或，举例来说，相同尺寸的晶粒区域502可为矩形的。尽管所示的重复图案在每个晶粒区域502中具有5个微粒凹口，但是在其他实施例中也适用更多或更少的微粒凹口。再者，尽管所示的格栅具有26个相同尺寸的晶粒区域502，但是在其他更多实施例中也适用更多或更少的区域。再者，虽然图未示，夹盘102可具有凹槽，例如图1a或图3的凹槽104。图6至图11是绘示使用具有微粒凹口106a/106b的夹盘102的一系列的剖视图600-1100。举例来说，夹盘102可如图1a与图1b中所述。如图6的剖视图600所示，提供了夹盘102。夹盘102具有被夹盘102的突出部所隔开的多个凹槽104。多个凹槽104邻接夹盘102的突出部，且由夹盘102的突出部延伸至夹盘102的顶面102a。夹盘102也包含微粒凹口106a/106b，其中微粒凹口106a/106b相较于多个凹槽104延伸更多至夹盘102内。在一些实施例中，微粒凹口106a/106b的侧壁成形(例如倾斜、弯曲等)以使得微粒朝向微粒凹口106a/106b移动。如图7的剖视图700所示，夹盘102收容工件108。工件108基于工件对准记号108a/108b相对于夹盘102的微粒凹口106a/106b的位置来与夹盘102对准。举例来说，可放置工件108使得工件对准记号108a/108b覆盖在微粒凹口106a/106b上。在一些实施例中，工件108的构成材料为硅。在其他实施例中，工件108的构成材料为锗、或砷化镓其他合适的半导体材料。如图8的剖视图800所示，施加光感材料802至工件以定义在工件108上的光感层504。举例来说，光感材料802可为光阻。尽管在通过掺杂的制造期间，微粒可在任一时点被引导至夹盘102与工件108之间，但是以光感材料802来涂布工件108是在制造期间有意地引导材料的一个例子，这可能导致不对准偏差。在一个实施例中，在制造的这个时点上，微粒202可卡在工件108与夹盘102之间。举例来说，微粒202可来自光感材料802。如图9的剖视图900所示，转印层110设置在工件108上。转印层110基于转印对准记号110a/110b相对于工件对准记号108a/108b的位置来与工件108对准。在一些实施例中，转印层110为分划板。如图10的剖视图1000所示，在辐射902通过转印层110之后，工件108通过曝光单元112，例如光，来暴露于辐射1002。辐射1002穿过转印层110以转印层的图案来图案化辐射1002，使得辐射1002将转印层的图案转印至光感层804(参见图8)。为了易于说明，图10省略了光感层804。为了影响整个工件108上的辐射，夹盘102可移动工件108以确保最佳地暴露于辐射1002。如图11的剖视图1100所示，从夹盘102移除工件108，且显影工件108。显影使得光感层804根据于曝光期间接收的辐射量而溶解于某些区域中。为了易于说明，图10省略了光感层804。有光感材料与无光感材料的这些区域在转印层110上再现图案。参见图12，图12是绘示根据一些实施例的使用具有微粒凹口的夹盘的半导体制造的流程图1200。于步骤1202，提供夹盘102。举例来说，参见图5和/或图1a与图3中的夹盘102。夹盘102可为晶圆台/夹盘组合的组件，其用于使用真空夹盘或机械、电性或磁性附件的其他一些装置来将工件固持在固定装置上。于步骤1204，夹盘102收容工件108。举例来说，参见图6和/或图1a与图1b中的工件108。工件108可透过机械力(例如紧固件)或环境力(例如真空)来固定至夹盘。于步骤1206，将光感材料802施加至工件108。举例来说，参见图7。当光感材料802暴露于电磁辐射(例如当暴露于电磁辐射，光感材料的分子链可变得交联)，光感材料802为具有化学特性的材料。在各种实施例中，光感材料802可包含光感聚合物，例如正光阻或负光阻。可使用旋转涂布技术、气相沉积法等，来将光感材料802施加至工件108。于步骤1208，在工件108上设置转印层110。举例来说，参见图8和/或图1a的转印层110。举例来说，转印层110可为分划板。于步骤1210，转印层110暴露于来自曝光单元112的电磁辐射。举例来说，参见图9和/或图1a的曝光单元112。在一些实施例中，曝光单元112可用以产生在电磁波谱的深紫外光区域内(例如大约193纳米)的电磁辐射。在这样的实施例中，举例来说，曝光单元112可包含准分子激光(例如包含在大约248纳米波长的氪氟激光或在大约193纳米的氩氟激光)。在其他实施例中，曝光单元112可用以产生在电磁波谱的极紫外光(extremeultraviolet，euv)区域内(例如大约13.5纳米)的电磁辐射。在又一些其他实施例中，曝光单元112可用以产生在其他区域内(例如具有大约248纳米、大约365纳米和/或大约405纳米的波长的辐射)的电磁辐射。于步骤1212，显影被光感材料802涂布的工件108。举例来说，参见图10。工件108的显影可包含将工件108转印至其他制程工具且将化学显影剂施加到光感材料802。在一些实施例中，化学显影剂移除暴露于辐射的光感材料802的区域。在其他实施例中，化学显影剂可移除光感材料802的未暴露区域，同时将暴露区域保持在工件上。在一些实施例中，化学显影剂可包含四甲基氢氧化铵(tetramethylammoniumhydroxide，tmah)。在其他实施例中，举例来说，化学显影剂可包含氢氧化钾(potassiumhydroxide，koh)、氢氧化钠(sodiumhydroxide，naoh)、乙酸酯(acetate)、乳酸乙酯(ethyllactate)或二丙酮醇(diacetonealcohol)。尽管图12的方块图1200在此示出与描述为一系列的动作或事件，应理解的是不该用限制意义来解释这些动作或事件示出的顺序。举例来说，一些动作可能以不同的顺序和/或与本文示出和/或描述的动作或事件以外的其他动作或事件同时发生。再者，可能不需要所有所示的动作来实施本文描述的一或多个方面或实施例，且可在一或多个单独的动作和/或阶段中执行本文描述的一或多个动作。鉴于前面所述，本揭露的一些实施例提供包含多个凹槽和微粒的夹盘。多个凹槽的凹槽是径向地间隔设置且从该夹盘的顶面在夹盘内延伸至夹盘的基面。夹盘的基面分别定义凹槽的多个底面，且夹盘的顶面与夹盘的底面之间被夹盘的基面隔开。微粒凹口从夹盘的顶面在夹盘内延伸至间隔于夹盘的基面与夹盘的底面之间的位置。尤其，微粒凹口配置于工件的工件对准记号之下。根据本揭露的一些实施例，其中上述凹槽为环状的。根据本揭露的一些实施例，其中上述凹槽为同心的，上述凹槽为围绕夹盘上的中心点定位的多个环形的凹沟。根据本揭露的一些实施例，其中上述微粒凹口是长方体形或圆柱形，且其中微粒凹口具有在夹盘的顶面的最顶部边界与在位置的最底部边界。根据本揭露的一些实施例，其中上述微粒凹口仅在夹盘的顶面开启。根据本揭露的一些实施例，其中上述夹盘包含在多个行与多个列中的多个晶粒区域，其中晶粒区域各自包含在图案中的多个微粒凹口，且其中所有的晶粒区域的图案都相同。根据本揭露的一些实施例，其中上述微粒凹口是介于且开启于凹槽的其中两者之间，使得微粒凹口与凹槽的其中两者共同定义具有层叠轮廓的开口。根据本揭露的一些实施例，其中上述微粒凹口是对称于中心线且介于凹槽的其中两者之间，其中微粒凹口具有多个凹口侧壁且凹槽的其中两者具有多个凹槽侧壁，且其中凹口侧壁比凹槽侧壁更接近中心线来定位。根据本揭露的一些实施例，其中还包含在上述夹盘上的工件，其中工件对准记号与微粒凹口重叠。再者，本揭露的其他实施例提供具有有微粒凹口的夹盘的晶圆台的其他实施例。夹盘具有多个突出部与微粒凹口。突出部是径向地间隔设置且定义夹盘的顶面。突出部从夹盘的基面突出至夹盘的顶面。夹盘的基面是介于夹盘的顶面与夹盘的底面之间。微粒凹口从夹盘的顶面在夹盘内延伸至介于夹盘的底面与夹盘的基面之间的位置。根据本揭露的一些实施例，其中上述微粒凹口是介于突出部的其中一对之间且具有多个凹口侧壁，且突出部的其中该对的多个突出侧壁分别与突出侧壁共平面。根据本揭露的一些实施例，其中上述突出部为多个柱子。根据本揭露的一些实施例，其中上述突出部为环形且同心地围绕对准夹盘上的中心点。根据本揭露的一些实施例，其中上述处理工具还包含：与夹盘重叠的分划板，且具有对准记号，其中对准记号直接在微粒凹口上方；以及用以穿过分划板来向夹盘发射辐射的曝光单元。根据本揭露的一些实施例，其中上述处理工具包含于夹盘上的工件，且具有与微粒凹口重叠的另一对准记号。根据本揭露的一些实施例，其中上述微粒凹口是长方体形或圆柱形，其中微粒凹口具有在夹盘的顶面的最顶部边界与在位置的最底部边界，且其中微粒凹口仅在夹盘的顶面开启。根据本揭露的一些实施例，其中上述夹盘包含在多个行与多个列中的多个晶粒区域，其中晶粒区域各自包含在图案中的多个微粒凹口，且其中所有的晶粒区域的图案都相同。根据本揭露的一些实施例，其中上述夹盘包含微粒凹口的其中多者，其中微粒凹口的其中多者分布在夹盘的顶面，且其中微粒凹口的其中多者是于多个列与多个行中。再者，本揭露的其他实施例提供使用具有有微粒凹口的夹盘的晶圆台的方法。此方法包含提供夹盘。夹盘具有多个凹槽与微粒凹口。多个凹槽的凹槽是径向地间隔设置，且从夹盘的顶面在夹盘内延伸至夹盘的基面。夹盘的基面分别定义凹槽的多个底面，且夹盘的顶面与夹盘的底面之间被夹盘的基面隔开。微粒凹口从夹盘的顶面在夹盘内延伸至间隔于夹盘的基面与夹盘的底面之间的位置。工件接着在夹盘上定位。工件具有工件对准记号。定位工件以使工件对准记号与微粒凹口重叠。根据本揭露的一些实施例，其中上述方法还包含：在工件上形成光感层，其中光感层的微粒在微粒凹口中被捕获；使用分划板来将光感层选择性地暴露于电磁辐射；以及显影光感层。以上概述了数个实施例的特征，因此熟悉此技艺者可以更了解本揭露的态样。熟悉此技艺者应了解到，其可轻易地把本揭露当作基础来设计或修改其他的制程与结构，借此实现和在此所介绍的这些实施例相同的目标及/或达到相同的优点。熟悉此技艺者也应可明白，这些等效的建构并未脱离本揭露的精神与范围，并且他们可以在不脱离本揭露精神与范围的前提下做各种的改变、替换与变动。当前第1页12当前第1页12