技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管，包括SiC衬底，在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层、第六外延层，第六外延层分为多个凸台；在第三外延层上部镶嵌有结终端，并且结终端位于第四外延层和第五外延层的末端之外；还包括绝缘介质薄膜，绝缘介质薄膜覆盖在各个凸台侧壁、各个凸台之间的第五外延层表面以及结终端台面的侧壁与表面；在第六外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极；在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明还公开了该种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管的制作方法。本发明的结构独特，器件性能优异；本发明的制作方法，便于实施。
技术研发人员：蒲红斌;王曦;刘青;李佳琪;杜利祥;王雅芳
受保护的技术使用者：西安理工大学
技术研发日：2017.08.18
技术公布日：2018.01.12