一种WOLED器件及其制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种woled器件及其制作方法。

背景技术：

oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)器件，由于其具有响应速度快、色域广等优点，已经逐渐成为显示领域的主流应用，其中，woled(whiteorganiclight-emittingdiode，白光有机发光二极管)器件与普通oled器件相比，由于其使用寿命更长、发光效率更高，因此，得到了更为广泛的应用。

现有的一种woled器件中，白光有机发光二极管的发光单元是由不同颜色的子发光单元组成的，具体地，不同颜色的子发光单元通过电荷生成层堆叠串联起来。现有的电荷生成层的材料大多采用掺杂有锂单质的有机材料。如图1所示的方位，在采用掺杂有锂单质的有机材料作为电荷生成层1时，当woled器件长时间点亮导致woled器件发热时，电荷生成层1中的有机分子和锂单质之间的键合能力就会发生老化，使得电荷生成层1在向一个发光单元中的上下两个子发光单元中的发光层2传递电荷同时，也会向相邻的发光单元中的发光层2横向电荷传递，从而导致被点亮的发光单元两边的发光单元也会被点亮发光，进而出现混色的现象，影响woled器件的显示效果。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种woled器件及其制作方法，用于防止woled器件出现混色的现象，提高woled器件的显示效果。

为达到上述目的，本发明提供的woled器件采用如下技术方案：

该woled器件包括：基板和设置在所述基板上的发光单元，所述发光单元包括阳极、设置在所述样机上方的第一发光层以及设置在所述第一发光层上方的电荷生成层，相邻两个所述发光单元的阳极通过像素界定层隔开，相邻两个所述发光单元的第一发光层和电荷生成层通过设置在所述像素界定层上的绝缘件断开。

与现有技术相比，本发明提供的woled器件具有以下有益效果：

在本发明提供的woled器件中，相邻两个发光单元的第一发光层和电荷生成层是通过设置在像素界定层上的绝缘件断开的，这就使得当woled器件长时间点亮导致woled器件发热时，在一个点亮的发光单元中，即使该发光单元中的电荷生成层中的有机分子和锂单质之间的键合能力发生老化，使得电荷生成层在向该发光单元中的第一发光层传递电荷的同时，也会横向传递电荷，但由于该发光单元的电荷生成层与相邻发光单元的电荷生成层被绝缘件断开，因此，该发光单元的电荷生成层就不会将电荷横向传递给相邻的发光单元中的电荷生成层，从而避免了与该点亮的发光单元相邻的发光单元被点亮发光，进而避免出现混色的现象，提高woled器件的显示效果。

此外，本发明还提供一种woled器件的制作方法，采用如下技术方案：

该woled器件的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成多个阳极；

形成像素界定层，所述像素界定层将相邻的两个所述阳极隔开；

在所述像素界定层背离所述基板的一面形成绝缘件；

在多个所述阳极上沉积第一发光层，任一所述阳极对应的第一发光层，与该阳极相邻的所述阳极对应的第一发光层通过所述绝缘件断开；

在所述第一发光层上沉积电荷生成层，任一所述阳极对应的电荷生成层，与该阳极相邻的所述阳极对应的电荷生成层通过所述绝缘件断开。

与现有技术相比，本发明提供的woled器件的制作方法的有益效果与上述woled器件的有益效果相同，故此处不再进行赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中woled器件的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的第一种woled器件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的第二种woled器件的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的woled器件的制作方法的流程图；

图5为图4中步骤s2结束后形成的结构的示意图；

图6为图4中步骤s3结束后形成的结构的示意图；

图7为图4中步骤s4结束后形成的结构的示意图；

图8为图4中步骤s5结束后形成的结构的示意图；

图9为图4中步骤s6结束后形成的结构的示意图；

图10为图4中步骤s7结束后形成的第一种结构的示意图；

图11为图4中步骤s7结束后形成的第二种结构的示意图；

图12为图4中步骤s8结束后形成的第一种结构的示意图；

图13为图4中步骤s8结束后形成的第二种结构的示意图。

附图标记说明：

1—电荷生成层，2—发光层，3—基板，

4—发光单元，5—阳极，6—第一发光层，

7—像素界定层，8—绝缘件，9—第二发光层，

10—第三发光层，11—阴极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如2所示，本发明实施例提供的woled器件包括：基板3和设置在基板3上的发光单元4，发光单元4包括阳极5、设置在阳极5上的第一发光层6以及设置在第一发光层6上的电荷生成层1，相邻两个发光单元4的阳极5通过像素界定层7隔开，即各发光单元4中的阳极5是相互绝缘的，相邻两个发光单元4的第一发光层6和电荷生成层1通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开，即各发光单元4中的第一发光层6和电荷生成层1也都是相互绝缘的。

示例性地，如图2所示，上述发光单元4还包括设置在电荷生成层1上方的第二发光层9、设置在第二发光层9上方的第三发光层10、设置在第三发光层10上方的阴极11，各阴极11均相连。

示例性地，上述阳极5可选用金属、ito(indiumtinoxides，氧化铟锡)或由金属和ito组成的混合物；电荷生成层1可选用含锂单质的有机材料或无机材料等，阴极11可选用铝等金属材料。在上述woled器件中，任一发光单元4可视为包括了三个子发光单元，其中第一个子发光单元包括阳极5、第一发光层6和电荷生成层1，发光单元4被点亮时，电荷生成层1朝向第一发光层6的一面就相当于该子发光单元的阴极，向第一发光层6传输电子，阳极5向第一发光层6传输空穴，空穴和电子在第一发光层6中结合，使得第一发光层6发光；第二个子发光单元包括电荷生成层1、第二发光层9和第三发光层10，该发光单元4被点亮时，电荷生成层1朝向第二发光层9的一面相当于该子发光单元的阳极，向第二发光层9传输空穴，第三发光层10朝向第二发光层9的一面相当于该子发光单元的阴极，向第二发光层9传输电子，空穴和电子在第二发光层9中结合，使得第二发光层9发光；第三个子发光单元包括第二发光层9、第三发光层10和阴极11，该发光单元4被点亮时，第二发光层9朝向第三发光层10的一面相当于该子发光单元的阳极，向第三发光层10传输空穴，阴极11向第三发光层10传输电子，空穴和电子在第三发光层10中结合，使得第三发光层10发光，第一发光层6发出的光、第二发光层9与第三发光层10发出的光混色，即可使该发光单元4发出白色的光。示例性地，第一发光层6可发出蓝色光，第二发光层9发出红色光，第三发光层10发出绿色光，第二发光层9发出红色光和第三发光层10发出绿色光混色，形成黄色光，第一发光层6发出的蓝色光与该黄色光混色，即可使该发光单元4发出白色光。

在本实施例提供的woled器件中，相邻两个发光单元4的第一发光层6和电荷生成层1是通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开的，这就使得当woled器件长时间点亮导致woled器件发热时，在一个点亮的发光单元4中，即使该发光单元4中的电荷生成层1中的有机分子和锂单质之间的键合能力发生老化，使得电荷生成层1在向该发光单元4中的第一发光层6传递电荷的同时，也会横向传递电荷，但由于该发光单元4的电荷生成层1与相邻发光单元4的电荷生成层1被绝缘件8断开，因此，该发光单元4的电荷生成层1就不会将电荷横向传递给相邻的发光单元4中的电荷生成层1，从而避免了与该点亮的发光单元4相邻的发光单元4被点亮发光，进而避免出现混色的现象，提高woled器件的显示效果。

示例性地，如图2所示方位，绝缘件8可以为倒梯形绝缘件。由于绝缘件8为倒梯形绝缘件，绝缘件8的上端面的面积大于与像素界定层7接触的下端面的面积，倒梯形绝缘件8的侧面与像素界定层7的上端面的夹角为锐角，因此，在制作上述woled器件过程中，沉积第一发光层6和电荷生成层1时，沉积的第一发光层6和电荷生成层1就不会沿着倒梯形绝缘件8的侧面攀爬，从而与绝缘件8上端面沉积的第一发光层6和电荷生成层1断开，进而实现了相邻两个发光单元4的第一发光层6和电荷生成层1断开。

进一步地，如图2所示，第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9、第三发光层10和阴极11的厚度之和大于绝缘件8的厚度，且第一发光层6和电荷生成层1的厚度之和小于绝缘件8的厚度。由于第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9、第三发光层10和阴极11的厚度之和大于绝缘件8的厚度，且第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9、第三发光层10和阴极11是依次层叠设置的，阴极11位于最上层，因此，如图2所示方位，在制作上述woled器件过程中，沉积阴极11时，沉积的阴极11即可沿着依次层叠形成在绝缘件8的上端面的第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9、第三发光层10的侧面攀爬，不会因为绝缘件8的存在而断开，从而通过一次沉积工艺，就能够形成覆盖绝缘件8的上端面的一整层阴极11，进而实现woled器件的正常发光；此外，第一发光层6和电荷生成层1的厚度之和小于绝缘件8的厚度时，可以进一步保证在沉积第一发光层6和电荷生成层1过程中，绝缘件8可以起到隔断的作用，将相邻两个发光单元4的第一发光层6和电荷生成层1断开。

示例性地，如图2和图3所示，相邻两个发光单元4的第二发光层9通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开；或，各发光单元4的第二发光层9一体成型。具体地，如图2所示，若第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9的厚度之和小于绝缘件8的厚度，则在沉积第二发光层9时，绝缘件8也可以起到隔断的作用，将相邻两个发光单元4的第二发光层9断开。若第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9的厚度之和大于绝缘件8的厚度，如图3所示方位，由于第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9是依次层叠设置的，且阴极第二发光层9位于最上层，因此，在沉积第二发光层9时，沉积的第二发光层9即可沿着依次层叠形成在绝缘件8的上端面的第一发光层6、电荷生成层1的侧面攀爬，不会因为绝缘件8的存在而断开，从而通过一次沉积工艺，就能够形成覆盖绝缘件8的上端面的一整层第二发光层9。需要补充的是，即使相邻两个发光单元4中的第二发光层9一体成型，相邻两个发光单元4中的第二发光层9之间也不会相互传递电荷，因此，对于相邻两个发光单元4的第二发光层9之间是否连接，对本发明实施例中的woled器件的显示效果不会造成影响，因此，本发明实施例中，相邻两个发光单元4的第二发光层9可以通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开，也可以一体成型。

与第二发光层9类似，第三发光层10也可以通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开，或一体成型，本发明实施例对此不进行赘述，

此外，每个发光单元4还可包括设置在阳极5与第一发光层6之间的第一空穴注入层、设置在第一空穴注入层与第一发光层6之间的第一空穴传输层、设置在电荷生成层1与第二发光层9之间的第二空穴注入层，以及设置在第二空穴注入层与第二发光层9之间的第二空穴传输层。

其中，相邻两个发光单元4的第一空穴注入层和第一空穴传输层通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开，相应的，优选第一发光层6、第一空穴注入层、第一空穴传输层和电荷生成层1的厚度之后小于绝缘件8的厚度，以使得在制作上述woled器件过程中，沉积第一发光层6、第一空穴注入层、第一空穴传输层和电荷生成层1时，沉积的第一发光层6、第一空穴注入层、第一空穴传输层和电荷生成层1就不会沿着倒梯形绝缘件8的侧面攀爬，从而与绝缘件8上端面沉积的第一发光层6、第一空穴注入层、第一空穴传输层和电荷生成层1断裂，实现相邻两个发光单元4的第一发光层6、第一空穴注入层、第一空穴传输层和电荷生成层1断开。

相邻两个发光单元4的第二空穴注入层和第二空穴传输层均通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开，或，各发光单元4的第二空穴注入层一体成型，各发光单元4的第二空穴传输层一体成型。与第二发光层9类似，即使相邻两个发光单元4中的第二空穴注入层一体成型，相邻两个发光单元4中的第二空穴注入层之间也不会相互传递电荷，即使相邻两个发光单元4中的第二空穴传输层一体成型，相邻两个发光单元4中的第二空穴传输层之间也不会相互传递电荷，因此，对于相邻两个发光单元4的第二空穴注入层之间是否连接、相邻两个发光单元4的第二空穴传输层之间是否连接，均对本发明实施例中的woled器件的显示效果不会造成影响，因此，本发明实施例中，相邻两个发光单元4的第二空穴注入层可以通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开，也可以一体成型；相邻两个发光单元4的第二空穴传输层可以通过设置在像素界定层7上的绝缘件8断开，也可以一体成型。

可选地，上述绝缘件与像素界定层的材质可均为光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂，当然还可以为其他绝缘性的复合材料，本发明实施例不进行限定。

本发明实施例还提供一种woled器件的制作方法，用于制作上述woled器件，如图4所示，该woled器件的制作方法包括：

步骤s1、提供一基板。需要说明的是，本发明实施例中提供的基板即为现有技术中，在玻璃基板或其他透明基板上形成了阵列排布的tft的衬底基板，对于在衬底基板上形成阵列排布的tft的具体方法，可参照现有的制作tft阵列的方法，本发明实施例对此不进行限定。

步骤s2、在基板上形成阵列排布的多个阳极。示例性地，可在基板上沉积金属薄膜、ito薄膜、或由金属和ito混合形成的混合物的薄膜，通过构图工艺，形成阵列排布的多个阳极。需要说明的是，如无特别说明，本发明实施例中的“构图工艺”均指的是：涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀以及剥离光刻胶等步骤。步骤s2结束后，形成如图5所示的结构，其中，在基板3上形成了阵列排布的多个阳极5。

步骤s3、形成像素界定层，像素界定层将相邻的阳极5隔开。示例性地，可在如图5所示的结构的基础上，旋涂光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂，通过构图工艺，形成像素界定层，像素界定层将相邻的两个阳极5隔开。步骤s3结束后，形成如图6所示的结构，其中，相邻两个阳极5之间均形成有像素界定层7，像素界定层7的形状可以为如图6所示的梯形。

步骤s4、在像素界定层7背离基板3的一面形成绝缘件。示例性地，可在如图6所示结构的基础上，在像素界定层7背离基板3的一面，旋涂光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂，通过构图工艺，形成绝缘件。步骤s4结束后，形成如图7所示的结构，其中，相邻两个阳极5之间的像素界定9背离基板3的一面上，均形成有一个绝缘件8，可选地，该绝缘件8为倒梯形绝缘件。

步骤s5、在多个阳极5上沉积第一发光层，任一阳极5对应的第一发光层，与该阳极5相邻的阳极5对应的第一发光层通过绝缘件8断开。示例性地，在如图7所示的结构的基础上，可采用openmask，在多个阳极5上沉积第一发光层。步骤s5结束后，形成如图8所示的结构，其中，任一阳极5对应的第一发光层6，与该阳极5相邻的阳极5对应的第一发光层6通过绝缘件8断开。

步骤s6、在第一发光层6上沉积电荷生成层，任一阳极5对应的电荷生成层，与该阳极5相邻的阳极5对应的电荷生成层通过绝缘件8断开。类似地，在如图8所示的结构的基础上，采用openmask，在第一发光层6上沉积电荷生成层，具体地，该电荷生成层的材质可以为含锂单质的有机材料或无机材料等。步骤s6结束后，形成如图9所示的结构，其中，任一阳极5对应的电荷生成层1，与该阳极5相邻的阳极5对应的电荷生成层1通过绝缘件8断开。

上述woled器件的制作方法的有益效果与上述woled器件的有益效果相同，故此处不再进行赘述。

示例性地，如图4所示，在第一发光层6上沉积电荷生成层1之后，上述woled器件的制作方法还可包括：

步骤s7、在电荷生成层1上沉积第二发光层。类似地，在如图9所示的结构的基础上，采用openmask，在电荷生成层1上沉积第二发光层。步骤s7结束后，形成如图10或图11所示的结构。如图10所示，任一阳极5对应的第二发光层9，与该阳极5相邻的阳极5对应的第二发光层9通过绝缘件8断开。或，如图11所示，各阳极5对应的第二发光层9一体成型。

步骤s8、在第二发光层上沉积第三发光层。类似地，在如图10或图11所示的结构的基础上，采用openmask，在第二发光层9上沉积第三发光层。步骤s8结束后，形成如图12或13所示的结构，其中，各阳极5对应的第三发光层10一体成型。需要补充的是，除图12和图13所示的结构外，当任一阳极5对应的第二发光层9，与该阳极5相邻的阳极5对应的第二发光层9通过绝缘件8断开时，任一阳极5对应的第三发光层10，与该阳极5相邻的阳极5对应的第三发光层10也可通过绝缘件8断开。

步骤s9、在第三发光层上沉积阴极，各阳极对应的阴极均相连。类似地，在如图12或图13所示的结构的基础上，采用openmask，在第三发光层10上沉积阴极，具体地，可在第三发光层10上沉积铝等金属层，形成阴极。步骤s9结束后，形成如图2或图3所示的woled器件，其中，各阳极5对应的阴极11均相连，即沉积形成的阴极11为一整层，阳极5、第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9、第三发光层10和阴极11构成发光单元4。

示例性地，在上述沉积第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9、第三发光层10和阴极11过程中，沉积形成的第一发光层6、电荷生成层1、第二发光层9、第三发光层10和阴极11的厚度之和大于形成的绝缘件8的厚度，且第一发光层6和电荷生成层1的厚度之和小于绝缘件8的厚度。

示例性地，上述步骤s3中，形成像素界定层，像素界定层将相邻的两个阳极隔开的步骤可包括：

在形成有阳极的基板上旋涂光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂，通过构图工艺，形成像素界定层，像素界定层将相邻的两个阳极隔开。

类似地，上述步骤s4中，在像素界定层背离基板的一面形成绝缘件的步骤包括：

在像素界定层背离基板的一面旋涂光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂，通过构图工艺，形成绝缘件。

此外，当阳极5与第一发光层6之间设置有第一空穴注入层，第一空穴注入层与第一发光层6之间设置有第一空穴传输层时，在上述步骤s4之后，步骤s5之前，上述woled器件的制作方法还可包括：

在多个阳极上依次沉积第一空穴注入层和第一空穴传输层，任一阳极对应的第一空穴注入层，与该阳极相邻的阳极对应的第一空穴注入层通过绝缘件断开，且任一阳极对应的第一空穴传输层，与该阳极相邻的阳极对应的第一空穴传输层通过绝缘件断开。

进一步地，当电荷生成层1与第二发光层9之间设置有第二空穴注入层，第二空穴注入层与第二发光层9之间设置有第二空穴传输层时，在步骤s6之后，在步骤s7之前，上述woled器件的制作方法还可包括：

在电荷生成层上依次沉积第二空穴注入层和第二空穴传输层。

任一阳极对应的第二空穴注入层，与该阳极相邻的阳极对应的第二空穴注入层通过绝缘件断开，或，各阳极对应的第二空穴注入层一体成型；

任一阳极对应的第二空穴传输层，与该阳极相邻的阳极对应的第二空穴传输层通过绝缘件断开，或，各阳极对应的第二空穴传输层一体成型。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。