像素界定结构、有机发光器件及其封装方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素界定结构、有机发光器件及其封装方法、显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(英文：organiclight-emittingdiode；简称：oled)器件具有自发光、高亮度、高对比度、低工作电压、可柔性显示等优点，被称为最具有应用前景的显示器件。但是，空气中的水分、氧气等成分对oled器件的使用寿命影响很大，因此，通常需要对oled器件进行封装，使oled器件与空气隔离。

相关技术中，oled器件包括依次设置在衬底基板上的阳极层、像素界定结构(或者称为像素界定层，像素界定层的英文为：pixeldefinitionlayer；简称为：pdl)、有机发光层和阴极层，像素界定结构包括高度相等的多个挡墙，该多个挡墙可以限定多个像素区，有机发光层的有机发光单元位于像素区内。在对oled器件封装时，oled器件外侧会覆盖多层的有机层和无机层以形成封装结构，且可以采用原子层沉积(英文：atomiclayerdeposition；简称：ald)工艺形成无机层。其中，在采用ald工艺形成无机层时，可以将形成有oled器件的衬底基板设置在沉积腔室内，然后在设置有oled器件的衬底基板上设置掩膜板，使掩膜板的开口区域与oled器件一一对应，之后通过沉积腔室一侧的输气口向沉积腔室输入气相前驱体，该气相前驱体通过掩膜板的开口区域沉积并吸附在oled器件上形成无机层。

在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：

由于像素界定结构的挡墙的高度相等，在采用ald工艺形成无机层时，首先接触气相前驱体的oled器件上的无机层的厚度较大，导致封装后的oled器件的膜层厚度的均匀性较差，封装效果较差。

技术实现要素：

为了解决封装后的oled器件的膜层厚度的均匀性较差，封装效果较差的问题，本发明提供一种像素界定结构、有机发光器件及其封装方法、显示装置。所述技术方案如下：

第一方面，提供一种像素界定结构，所述像素界定结构包括：多个挡墙，所述多个挡墙包括第一挡墙和第二挡墙，所述第一挡墙的高度小于所述第二挡墙的高度，且位于所述像素界定结构的第一边缘区域的挡墙为所述第一挡墙。

可选地，所述多个挡墙按照预设方向从所述第一边缘区域开始高低间隔排布。

可选地，所述多个挡墙包括多个第二挡墙，所述多个第二挡墙的高度相等，所述第一挡墙和所述多个第二挡墙按照预设方向从所述第一边缘区域开始排布。

可选地，所述多个挡墙的高度按照预设方向从所述第一边缘区域开始依次增加。

可选地，所述多个挡墙阵列排布形成按照预设方向一一间隔排布的第一挡墙组和第二挡墙组，所述第一挡墙组由m个第一挡墙组成，所述第二挡墙组由n个第二挡墙组成，且位于所述第一边缘区域上的挡墙组为所述第一挡墙组，m≥1，n≥1。

可选地，m＝1，n＝1。

可选地，所述第一边缘区域是对包括所述像素界定结构的有机发光器件进行封装时，气相前驱体首先经过的边缘区域。

可选地，所述预设方向是对包括所述像素界定结构的有机发光器件进行封装时，气相前驱体的流动方向。

第二方面，提供一种有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一方面或第一方面的任一可选方式所提供的像素界定结构。

可选地，所述有机发光器件包括：衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的阳极层、所述像素界定结构、有机发光层和阴极层。

第三方面，提供一种有机发光器件的封装方法，用于第二方面或第二方面的任一可选方式所提供的有机发光器件，所述方法包括：

将形成有所述有机发光器件的衬底基板设置在沉积腔室内，使所述有机发光器件的像素界定结构的第一边缘区域靠近所述沉积腔室的输气口；

在形成有所述有机发光器件的衬底基板上设置掩膜板，使所述掩膜板的开口区域与所述有机发光器件一一对应；

通过所述输气口向所述沉积腔室输入气相前驱体，所述气相前驱体通过所述开口区域沉积并吸附在所述有机发光器件上形成无机层；

在所述无机层外侧形成覆盖所述无机层的有机层。

第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：第二方面或第二方面的任一可选方式所提供的有机发光器件。

本发明提供的技术方案带来的有益效果是：

本发明提供的像素界定结构、有机发光器件及其封装方法、显示装置，由于位于像素界定结构的第一边缘区域的挡墙为第一挡墙，第一挡墙的高度小于第二挡墙的高度，因此，可以减小包括像素界定结构的有机发光器件封装后的膜层中位于第一边缘区域的膜层的厚度，提高膜层厚度的均匀性，改善封装效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种像素界定结构的示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种像素界定结构的示意图；

图3是本发明实施例提供的再一种像素界定结构的示意图；

图4是本发明实施例提供的又一种像素界定结构的示意图；

图5是本发明实施例提供的一种有机发光器件的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种封装方法的方法流程图；

图7是本发明实施例提供的多个有机发光器件在衬底上的排布示意图；

图8是图7的俯视图。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

oled器件具有自发光、高亮度、高对比度、低工作电压、可柔性显示等特点，被称为最有应用前景的显示器件。然而，oled器件对周围环境中的h2o(中文：水)、o2(中文：氧气)等的耐受性较差，因此，如何有效地阻隔水h2o、o2成为oled器件应用的主要瓶颈。

目前，薄膜封装(英文：thinfilmencapsulation；简称：tfe)方法是oled器件的主要封装方法，tfe方法通过形成叠加的有机层、无机层来形成封装oled器件的封装结构(也可称为阻挡层)。

ald工艺通过有序、定量的反应方式，可以实现不同的反应周期，通过原子级的精确控制，以形成平滑、连续、无缺陷的薄膜，因此，在tfe方法中，通常采用ald工艺获得较好的无机层，以提高封装性能。然而，ald工艺的沉积为原子级沉积，且oled器件的像素界定结构的挡墙的高度相等，在采用adl工艺形成无机层后，oled器件存在较为严重的shadoweffect(中文：阴影效应)现象，shadoweffect现象与气相前驱体的气流方向有很强的相关性，具体的，oled器件最外侧的区域接近气相前驱体流动方向的位置的shadoweffect现象更为严重，shadoweffect现象会导致膜层不均匀，进而影响最终的封装效果。

本发明实施例中，通过将有机发光器件的像素界定结构的挡墙设置为高低不同的挡墙，且靠近气相前驱体的流动方向的挡墙的高度较低，这样一来可以降低气相前驱体的流动方向上的阻力，进而降低有机发光器件边缘的shadoweffect现象，保证封装膜层的性质，提高了封装膜层的阻水特性。

请参考图1，其示出了本发明实施例提供的一种像素界定结构01的示意图，参见图1，该像素界定结构01包括：多个挡墙011，多个挡墙011包括第一挡墙0111和第二挡墙0112，第一挡墙0111的高度h1小于第二挡墙0112的高度h2，且位于像素界定结构01的第一边缘区域(图1中未标出)的挡墙为第一挡墙0111。

其中，像素界定结构01包括一底面(图1中未标出)，像素界定结构01的底面是平面，第一挡墙0111和第二挡墙0112中的任一挡墙的高度为该任一挡墙相对于该像素界定结构01的底面的高度。如图1所示，实际应用中，像素界定结构01可以形成在衬底基板00上，且像素界定结构01的底面与衬底基板00的上表面(图1中未标出)共面，第一挡墙0111和第二挡墙0112中的任一挡墙的高度为该任一挡墙相对于该衬底基板00的上表面的高度。其中，衬底基板00可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板，或者，该衬底基板00可以为采用聚酰亚胺(英文：polyimide；简称：pi)等材料制作的柔性基板。

综上所述，本发明实施例提供的像素界定结构，由于位于像素界定结构的第一边缘区域的挡墙为第一挡墙，第一挡墙的高度小于第二挡墙的高度，因此，可以减小包括像素界定结构的有机发光器件封装后的膜层中位于第一边缘区域的膜层的厚度，提高膜层厚度的均匀性，改善封装效果。

可选地，如图1所示，多个挡墙011包括一个第一挡墙0111和多个第二挡墙0112，多个第二挡墙0112的高度相等，第一挡墙0111和多个第二挡墙0112按照预设方向f从第一边缘区域开始排布。需要说明的是，图1中仅以像素界定结构01包括一个第一挡墙0111为例进行说明，实际应用中，第一挡墙0111也可以是两个或更多个，与此同理，第二挡墙0112也可以为一个或多个，本发明实施例对此不作限定。

可选地，请参考图2，其示出了本发明实施例提供的另一种像素界定结构01的示意图，参见图2，多个挡墙011按照预设方向f从第一边缘区域开始高低间隔排布。可选地，如图2所示，多个挡墙0111阵列排布形成按照预设方向f一一间隔排布的第一挡墙组(图2中未标出)和第二挡墙组(图2中未标出)，第一挡墙组由m个第一挡墙0111组成，第二挡墙组由n个第二挡墙0112组成，且位于第一边缘区域上的挡墙组为第一挡墙组0111，m≥1，n≥1。在本发明实施例中，优选地，如图3所示，m＝1，n＝1。

可选地，请参考图4，其示出了本发明实施例提供的再一种像素界定结构01的示意图，参见图4，多个挡墙011的高度按照预设方向f从第一边缘区域开始依次增加。可选地，如图4所示，多个挡墙011包括一个第一挡墙0111和多个第二挡墙0112，第一挡墙0111的高度低于任一第二挡墙0112的高度，且多个第二挡墙0112的高度按照预设方向f依次增加。需要说明的是，图4仅仅是示例性的，实际应用中，多个挡墙011可以不分第一挡墙和第二挡墙，仅是多个挡墙011的高度按照预设方向f从第一边缘区域开始依次增加即可，本发明实施例对此不作限定。

可选地，在本发明实施例中，像素界定结构01的第一边缘区域是对包括像素界定结构01的有机发光器件(图1至图4中均未示出)进行封装时，气相前驱体首先经过的边缘区域，预设方向是对包括像素界定结构01的有机发光器件进行封装时，气相前驱体的流动方向。在本发明实施例中，像素界定结构可以采用树脂等绝缘材料，并通过构图工艺形成，本发明实施例在此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的像素界定结构，由于位于像素界定结构的第一边缘区域的挡墙为第一挡墙，第一挡墙的高度小于第二挡墙的高度，因此，可以减小包括像素界定结构的有机发光器件封装后的膜层中位于第一边缘区域的膜层的厚度，提高膜层厚度的均匀性，改善封装效果。

本发明实施例还提供了一种有机发光器件，该有机发光器件可以为oled器件，且该有机发光器件可以包括图1至图4任一所示的像素界定结构01，如图5所示，本发明实施例以有机发光器件0包括图1所示的像素界定结构01为例进行说明。

可选地，请参考图5，该有机发光器件0包括衬底基板00，以及依次设置在衬底基板00上的阳极层02、像素界定结构01、有机发光层03和阴极层04。

其中，衬底基板00可以为透明基板，其具体可以是采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的基板，或者，该衬底基板00可以为采用pi等材料制作的柔性基板。

如图5所示，阳极层02可以包括多个阳极结构，该阳极层02可以采用氧化铟锡(英文：indiumtinoxides；简称：ito)、氧化铟锌(英文：indiumzincoxide；简称：izo)等金属氧化物，通过一次构图工艺形成；像素界定结构01的挡墙可以限定出像素区，有机发光层03可以包括多个有机发光单元，每个像素区内设置有一个有机发光单元，在本发明实施例中，多个有机发光单元可以包括红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元等，红色发光单元可以采用红色有机发光材料并通过一次构图工艺形成，绿色发光单元可以采用绿色有机发光材料并通过一次构图工艺形成，蓝色发光单元可以采用蓝色有机发光材料并通过一次构图工艺形成；阴极层04的形成材料与阳极层02的形成材料可以相同或不同，本发明实施例对此不做限定。

需要说明的是，图5所示的有机发光器件仅仅是示例性的，实际应用中，有机发光器件还包括薄膜晶体管(英文：thinfilmtransistor；简称：tft)、空穴传输层、电子转移层等，各层之间的位置关系、各层的形成方式以及形成材料均可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。

还需要说明的是，本发明实施例是以有机发光器件0包括图1所示的像素界定结构01为例进行说明的，当有机发光器件0包括图2至图4任一所示的像素界定结构01时，有机发光器件0的结构可以参考本实施例，在此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的有机发光器件，由于位于像素界定结构的第一边缘区域的挡墙为第一挡墙，第一挡墙的高度小于第二挡墙的高度，因此，可以减小包括像素界定结构的有机发光器件封装后的膜层中位于第一边缘区域的膜层的厚度，提高膜层厚度的均匀性，改善封装效果。

本发明实施例提供的有机发光器件可以应用于下文的封装方法，本发明实施例中有机发光器件的封装方法可以参见下文各实施例中的描述。

请参考图6，其示出了本发明实施例提供的一种封装方法的方法流程图，该封装方法可以用于封装图5所示的有机发光器件0，该图5所示的有机发光器件0包括图1至图4任一所示的像素界定结构01。参见图6，该方法包括：

步骤501、将形成有有机发光器件的衬底基板设置在沉积腔室内，使有机发光器件的像素界定结构的第一边缘区域靠近沉积腔室的输气口。

具体地，沉积腔室内可以设置载台，可以将形成有有机发光器件的衬底基板设置在载台上，使有机发光器件的像素界定结构的第一边缘区域靠近沉积腔室的输气口。实际应用中，可以同时对多个有机发光器件进行封装，每个有机发光器件可以位于一个衬底(此时该衬底可以为上述衬底基板)上，或者所有的有机发光器件可以位于同一个衬底(此时该衬底可以不为上述衬底基板)上。当每个有机发光器件位于一个衬底上时，可以将设置每个有机发光器件的衬底设置在载台上，使每个有机发光器件的像素界定结构的第一边缘区域靠近沉积腔室的输气口；当所有的有机发光器件位于同一衬底上时，该所有的有机发光器件可以按照图7所示的排布方式排布在衬底上，此时，可以将图7所示的设置有有机发光器件的衬底设置在载台上，使任一有机发光器件的像素界定结构的第一边缘区域靠近沉积腔室的输气口，从而所有的有机发光器件的像素界定结构的第一边缘区域都靠近沉积腔室的输气口，其中，图7的俯视图可以如图8所示，可以看出，衬底上设置有8个有机发光器件0。

需要说明的是，该图7是以有机发光器件为图5所示的有机发光器件0为例进行说明的，当有机发光器件为包括图2至图4任一所示的像素界定结构的有机发光器件时，有机发光器件在衬底上的排布位置可以参考图7。且该图7和图8并未示出有机发光器件0的细节结构示意图，有机发光器件0的细节结构示意图可以参考图5，本发明实施例在此不再赘述。

步骤502、在形成有有机发光器件的衬底基板上设置掩膜板，使掩膜板的开口区域与有机发光器件一一对应。

可选地，掩膜板上设置有多个开口区域，可以在形成有机发光器件的衬底基板上设置掩膜板，使掩膜板的开口区域与有机发光器件一一对应。在设置掩膜板时，可以将掩膜板放置在形成有有机发光器件的衬底基板上，使掩膜板的开口区域与有机发光器件一一对应，且掩膜板与有机发光器件贴合。

示例地，可以在图7中设置掩膜板，使掩膜板的开口区域与图7所示的8个有机发光器件0一一对应，关于设置掩膜板的具体描述可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。

步骤503、通过输气口向沉积腔室输入气相前驱体，气相前驱体通过开口区域沉积并吸附在有机发光器件上形成无机层。

可选地，输气口可以与气相前驱体源连接，可以打开输气口使气相前驱体源中的气相前驱体进入沉积腔室，之后气相前驱体按照图7和图8所示的气流方向依次从有机发光器件的上方经过有机发光器件，在此过程中，气相前驱体可以通过掩膜板的开口区域沉积并吸附在有机发光器件上形成无机层，在本发明实施例中，气相前驱体可以为al2o3(中文：氧化铝)。

需要说明的是，在图7和图8中，由于每个有机发光器器件的像素界定结构的第一边缘区域的挡墙的高度较小，且像素界定结构的第一边缘区域靠近输气口，这样一来，气相前驱体首先经过第一边缘区域在有机发光器器件上的对应区域并沉积形成无机层，使得最终形成的无机层的均匀性较好，提高了封装效果。还需要说明的是，上述步骤501至步骤503实际上是采用ald工艺形成无机层的过程，ald工艺的详细实现过程可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。

需要说明的是，在本发明实施例中，像素界定结构包括高低不同的挡墙，且像素界定结构的第一边缘区域的挡墙的高度较低，这样一来可以减小气相前驱体的流动方向上的阻力，使得气相前驱体在有机发光器件的第一边缘区域(有机发光器件的第一边缘区域为像素界定结构的第一边缘区域在有机发光器件上的对应区域)的停留时间变短，进而降低有机发光器件边缘的shadoweffect现象。进一步地，当有机发光器件的像素界定结构的挡墙按照图3所示的排布方式排布时，在对有机发光器件进行封装时，可以使气相前驱体经过每个像素区域的时间相等，保证沉积的膜层的特性，提高封装薄膜的阻水特性。

步骤504、在无机层外侧形成覆盖无机层的有机层。

可选地，可以采用喷墨打印(英文：ink-jetprinting；简称：ijp)工艺形成有机层，具体的形成过程可以参考相关技术，本发明实施例对此不作限定。

需要说明的是，实际应用中可以重复执行上述步骤501至步骤504，以形成依次叠加的多个有机层和无机层，从而得到封装结构，完成有机发光器件的封装。

本发明实施例中，由于有机发光器件的像素界定结构包括高低不同的挡墙，且位于像素界定结构的第一边缘区域的挡墙的高度较低，这样可以提高ald工艺过程中气相前驱体的气体流动的稳定性，降低由于气体流动方向不同而引起的maskshadow现象，提高了采用ald工艺形成的无机层的稳定性，从而提高了器件的封装特性。

综上所述，本发明实施例提供的封装方法，由于位于有机发光器件的像素界定结构的第一边缘区域的挡墙为第一挡墙，第一挡墙的高度小于第二挡墙的高度，因此，可以减小有机发光器件封装后的膜层中位于第一边缘区域的膜层的厚度，提高膜层厚度的均匀性，改善封装效果。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括：图5所示的有机发光器件0。其中，有机发光器件0可以为oled器件。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。