半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间，并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分，并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

技术研发人员：崔炳德;徐廷宇;韩相然;郑铉雨;金弘来;黄有商
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2013.05.03
技术公布日：2018.03.23