技术特征：
技术总结
公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅‑硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。
技术研发人员：黄宣惠;曹仑廷;郑元雄;金湳健;李公洙;B.林;赵允哲
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.10.12
技术公布日：2018.04.20