技术特征：
技术总结
本发明提供一种具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法，包括P型衬底、埋氧化层、N型漂移区、P型基区、N型缓冲区、N型源区、P型接触区、P型集电极区、发射极、集电极、栅介质层、栅电极，N型漂移区表面具有N型条和P型条，N型条和P型条在器件漂移区表面垂直于沟道长度方向相间排列，N型条和P型条下方漂移区中具有P型RESURF层；N型条、P型条和P型RESURF层三者与N型缓冲区之间具有介质槽结构；N型条和P型条的浓度大于N型漂移区的浓度；介质槽结构的深度不小于N型条、P型条和P型集电极区的深度；本发明实现了表面SJ‑LDMOS与LIGBT的混合导电，可以获得更低的导通压降，更高的耐压，更快的开关速度，更低的关断损耗，并消除了snapback效应，大大提升了器件性能。
技术研发人员：张金平;崔晓楠;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.10.27
技术公布日：2018.03.16