显示设备的制作方法

发明构思的示例性实施例涉及一种显示设备以及一种制造所述显示设备的方法。更具体地，发明构思的示例性实施例涉及一种具有改善的显示质量的显示设备以及一种制造所述显示设备的方法。

背景技术：

与阴极射线管(crt)显示装置相比，平板显示(fpd)装置因其重量轻且薄被广泛用作电子装置的显示装置。fpd装置的典型示例是液晶显示(lcd)装置和有机发光显示(oled)装置。与lcd装置相比，oled装置具有诸如较高的亮度和较宽的视角的多个优点。此外，由于oled装置不需要背光，因此oled装置可以制作得较薄。在oled装置中，电子和空穴通过阴极和阳极注入到有机薄层中，并在有机薄层中复合以产生激子，从而发射特定波长的光。

近来，已经开发了通过包括透明区域和像素区域能够透射显示在显示装置的后侧中(或后面处)的物体(或目标)的图像的透明显示装置。

技术实现要素：

发明构思的示例性实施例提供一种具有改善的可视性的显示设备。

发明构思的示例性实施例提供一种制造显示设备的方法。

根据示例性实施例，显示设备包括第一基底和与第一基底相对的第二基底。第一基底包括其中设置有快门单元的透射区域和其中设置有有机发光二极管的发射区域。快门单元包括第一快门电极、第二快门电极以及置于第一快门电极和第二快门电极之间的快门层。有机发光二极管包括像素电极、共电极以及置于像素电极和共电极之间的发光层。第一快门电极和第二快门电极中的至少一个连接至有机发光二极管的共电极。

在示例性实施例中，显示设备还可以包括像素电路，所述像素电路设置在第一基底的发射区域中并连接至有机发光二极管。

在示例性实施例中，显示设备还可以包括第一基体基底以及设置在第一基体基底上的缓冲层，其中，在发射区域中，像素电路和有机发光二极管可以设置在缓冲层上，在透射区域中，快门单元可以设置在暴露缓冲层的开口中。

在示例性实施例中，在透射区域中，第一快门电极可以设置在缓冲层上，第一快门电极可以连接至共电极。

在示例性实施例中，快门单元可以构造为基于施加到第二快门电极的驱动电压以透明模式或不透明模式驱动。

在示例性实施例中，在透射区域中，第二快门电极可以设置在快门层上，第二快门电极可以连接至共电极。

在示例性实施例中，共电极可以包括第一透明导电层和第二透明导电层，第二快门电极使用第二透明导电层形成。

在示例性实施例中，快门单元可以构造为基于施加到第一快门电极的驱动电压以透明模式或不透明模式驱动。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种显示设备。所示显示设备包括第一基底和与第一基底相对的第二基底。第一基底包括其中设置有快门单元的透射区域和其中设置有有机发光二极管的发射区域。快门单元包括第一快门电极、第二快门电极以及置于第一快门电极和第二快门电极之间的快门层。有机发光二极管包括像素电极、共电极以及置于像素电极和共电极之间的发光层。

在示例性实施例中，显示设备还可以包括像素电路，所述像素电路设置在第一基底的发射区域中并连接至有机发光二极管。

在示例性实施例中，第一基底还可以包括第一基体基底以及设置在第一基体基底上的缓冲层，其中，在发射区域中，像素电路和有机发光二极管设置在缓冲层上，在透射区域中，快门单元设置在暴露缓冲层的开口中。

在示例性实施例中，在透射区域中，第一快门电极可以设置在缓冲层上，第二快门电极设置在快门层上。

在示例性实施例中，在透射区域中，第一快门电极可以设置在缓冲层上，第二快门电极可以设置在快门层上，并且在发射区域中，共电极可以包括第一透明导电层和第二透明导电层，其中，第二快门电极可以使用第二透明电极层形成。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种显示设备。所述显示设备包括显示面板、快门膜、主驱动电路、第一柔性电路板和第二柔性电路板，所述显示面板包括第一基底以及与第一基底相对的第二基底。显示面板包括透射光的透射区域以及其中设置有像素电路和连接至像素电路的有机发光二极管的发射区域。快门膜包括第一快门电极、第二快门电极以及置于第一快门电极和第二快门电极之间的快门层，并设置在第一基底的第二表面上。主驱动电路构造为产生驱动显示面板的面板驱动电压和驱动快门膜的快门驱动电压。第一柔性电路板包括设置在第一基底的第一表面上的第一区域以及设置在第一基底的第二表面上的第二区域，并被构造为将面板驱动电压传输至显示面板。第二柔性电路板连接至第一柔性电路板和快门膜，并构造为将快门驱动电压传输至快门膜。

在示例性实施例中，显示设备还可以包括其上安装有主驱动电路的印刷电路板并设置在第一基底的第二表面上，其中，第一柔性电路板连接印刷电路板和显示面板，第二柔性电路板连接印刷电路板和快门膜。

在示例性实施例中，主驱动电路可以安装在第一柔性电路板上，第一柔性电路板的第一端部可以连接至显示面板，第一柔性电路板的第二端部可以连接至第二柔性电路板。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种制造显示设备的方法。所述方法包括：在基体基底的发射区域中形成像素电路，所述像素电路包括多个金属图案以及位于所述多个金属图案之间的多个绝缘层；在基体基底的透射区域中蚀刻所述多个绝缘层以形成开口；在发射区域中的像素电路上形成有机发光二极管的像素电极，在透射区域的开口中形成第一快门电极；在发射区域中的像素电极上形成发光层；在透射区域中的第一快门电极上形成快门层，在发光层上形成有机发光二极管的共电极并在快门层上形成快门单元的第二快门电极，共电极连接至第二快门电极。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：在其上设置有像素电路的基体基底上形成第一透明导电层、金属层和第二透明导电层；在发射区域中的像素电极层上形成具有第一厚度的第一光致抗蚀剂图案，在透射区域中的像素电极层上形成具有比第一厚度薄的第二厚度的第二光致抗蚀剂图案；通过第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案在发射区域中形成像素电极并在透射区域中形成电极图案；将第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案蚀刻预定的厚度以在像素电极上形成第三光致抗蚀剂图案，所述预定的厚度比第二厚度大且小于第一厚度；蚀刻电极图案的第二透明导电层和金属层并利用第三光致抗蚀剂图案保留像素电极的第二透明导电层和金属层，以由第一透明导电层形成第一快门电极。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：在发光层和快门层上形成透明导电层；将透明导电层图案化以形成有机发光二极管的共电极以及第二快门电极，所述第二快门电极与共电极电气断开并间隔开。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种制造显示设备的方法。所述方法包括：在基体基底的发射区域中形成像素电路，所述像素电路包括多个金属图案以及位于所述多个金属图案之间的多个绝缘层；在基体基底的透射区域中蚀刻所述多个绝缘层以形成开口；在发射区域中的像素电路上形成像素电极和发光层；在发射区域中的发光层上形成共电极，在透射区域的开口中形成快门单元的第一快门电极，共电极连接至第一快门电极；在透射区域中的第一快门电极上形成快门层；在透射区域中的快门层上形成第二快门电极。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种制造显示设备的方法。所述方法包括：在基体基底的发射区域中形成像素电路，所述像素电路包括多个金属图案以及位于所述多个金属图案之间的多个绝缘层；在基体基底的透射区域中蚀刻所述多个绝缘层以形成开口；在发射区域中的像素电路上形成像素电极和发光层；在发射区域中的发光层上和透射区域的开口中形成第一透明导电层；将透明导电层图案化以在发射区域中形成有机发光二极管的共电极，并在透射区域中形成快门单元的第一快门电极，其中，有机发光二极管的共电极和快门单元的第一快门电极电气断开并彼此间隔开；在透射区域中的第一快门电极上形成快门层；在透射区域中的快门层上以及发射区域中的共电极上形成第二透明导电层。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：将第二透明导电层图案化，以在透射区域中的快门层上形成快门单元的第二快门电极，其中，快门单元的第二快门电极和有机发光二极管的共电极彼此间隔开。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：将第二透明导电层图案化以形成共电极，其中，共电极包括发射区域中的第一透明导电层和第二透明导电层，快门单元的第二快门电极与发射区域中的共电极电气断开并分隔开。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：将第二透明导电层图案化以形成共电极，其中，共电极包括发射区域中的第一透明导电层和第二透明导电层以及透射区域中的与共电极电气断开并间隔开的快门单元的第二快门电极。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：将第二透明导电层图案化，以暴露发射区域中的第一透明导电层以及透射区域中的快门单元的第二快门电极。

根据发明构思，在外部光的强度相对低的室内环境中，显示设备的透射区域可以以透明模式驱动，使得透射区域可以透射外部光，从而提高从发射区域发射的光的亮度。然而，在外部光的强度相对高的户外环境中，显示设备的透射区域可以以不透明模式驱动，使得透射区域可以阻挡外部光，以防止外部光与从发射区域发射的光混合，从而改善显示在显示设备上的图像的可视性。

附图说明

通过参照附图对发明构思的示例性实施例的详细描述，发明构思的上述和其它特征和优点将变得更加明显，在附图中：

图1是示出根据示例性实施例的显示设备的像素区域的平面图；

图2是示出图1中示出的像素区域的透明模式的概念图；

图3是示出图1中示出的像素区域的不透明模式的概念图；

图4是根据示例性实施例的沿图1的线i-i'截取的剖视图；

图5至图10是示出根据示例性实施例的制造第一基底的方法的剖视图；

图11是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图；

图12是示出根据示例性实施例的显示设备的剖视图；

图13至图15是示出制造图12中示出的第一基底的方法的剖视图；

图16是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图；

图17是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图；

图18是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图；

图19是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图；

图20是示出根据示例性实施例的显示设备的剖视图；

图21是示出图20中示出的显示设备的透视图；

图22是示出图21中示出的显示设备的后视图；

图23是示出根据示例性实施例的显示设备的概念图；

图24是示出图23中示出的显示设备的前视图；以及

图25是示出图23中示出的显示设备的后视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细说明本发明构思。

图1是示出根据示例性实施例的显示设备的像素区域的平面图。

参照图1，显示设备可以包括多个像素区域pa。每个像素区域pa可以包括透射区域ta和发射区域ea。发射区域ea可以包括多个子像素区域spa1、spa2和spa3。

透射区域ta可以由开口区域限定，在所述开口区域中多个绝缘层被蚀刻。开口区域也可以被称为透射窗tw(如图5中所示)。快门单元可以设置在透射区域ta中以控制通过透射窗tw透射的光的强度。例如，在透射区域ta中，快门单元可以透射或阻挡光。

如图1中所示，透射区域ta可以与第一子像素区域spa1、第二子像素区域spa2和第三子像素区域spa3中全部区域对应。可选择地，未在图1和其它附图中示出，透射区域ta可以与第一子像素区域spa1、第二子像素区域spa2和第三子像素区域spa3中的每个对应。

透射区域ta可以是具有基本正方形形状(或基本矩形形状)的平面，但是本公开不限于此。例如，透射区域ta可以是具有基本上三角形形状、基本上菱形形状、基本上多边形形状、基本上圆形形状、基本上轨道形状或基本上椭圆形形状的平面。

发射区域ea可以包括第一子像素区域spa1、第二子像素区域spa2和第三子像素区域spa3。第一子像素、第二子像素和第三子像素可以分别设置在第一子像素区域spa1、第二子像素区域spa2和第三子像素区域spa3中。第一子像素可以发射红色，第二子像素可以发射绿色，第三子像素可以发射蓝色。

像素限定层可以设置为在第一子像素区域spa1、第二子像素区域spa2和第三子像素区域spa3中的每个中限定oled区域。有机发光二极管(oled)的阳极、发光层和阴极可以设置在第一子像素区域spa1、第二子像素区域spa2和第三子像素区域spa3中的每个中的oled区域中。像素电路可以设置在像素限定层的下方以驱动有机发光二极管。像素电路可以包括扫描线、数据线、电源电压、第一晶体管、第二晶体管、存储电容器等。

图1中示出的子像素区域可以是具有基本上正方形形状(或基本上矩形形状)的平面，但是本公开不限于此。例如，子像素区域可以是具有基本上三角形形状、基本上菱形形状、基本上多边形形状、基本上圆形形状、基本上轨道形状或基本上椭圆形形状的平面。

图2是示出图1中示出的像素区域pa的透明模式的概念图。图3是示出图1中示出的像素区域pa的不透明模式的概念图。

参照图2和图3，在透明模式下，透射区域ta可以透射外部光，发射区域ea可以发射与图像对应的光。

例如，在具有低强度的外部光的室内环境中，显示设备的透射区域ta可以以透明模式驱动。显示设备可以通过透射区域ta透射外部光，使得从发射区域ea发射的与图像对应的光的亮度可以通过透射的外部光而增加。

然而，在具有高强度的外部光的户外环境中，从发射区域ea发射的与图像对应的光会与从显示设备的表面反射的外部光混合，使得会降低显示在显示设备上的图像的可视性。

根据示例性实施例，在户外环境中，显示设备的透射区域ta可以以不透明模式驱动。在不透明模式下，透射区域ta可以阻挡外部光，发射区域ea可以发射与图像对应的光。因此，显示设备可以增加户外环境中的图像的可视性。

图4是根据示例性实施例的沿图1的线i-i'截取的剖视图。

参照图4，显示设备1000可以包括第一基底100和第二基底200。

第一基底100可以包括第一基体基底101、缓冲层110、像素电路层pcl、平坦化层160、像素电极pe、像素限定层180、发光层el、共电极ce和快门单元sh。

第一基体基底101可以由透明材料形成。例如，第一基体基底101可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、碱石灰基底、无碱基底等。可选择地，第一基体基底101可以由诸如柔性透明树脂的柔性透明材料形成。例如，柔性透明树脂基底可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。

缓冲层110可以设置在第一基体基底101上。缓冲层110可以防止金属原子和/或杂质扩散到第一基体基底101中。此外，缓冲层110可以改善第一基体基底101的表面平坦度。根据第一基体基底101的类型，可以在第一基体基底101上设置至少两个缓冲层。例如，缓冲层110可以包括由氮化硅(sinx)形成的第一层111和由氧化硅(siox)形成的第二层112。

其上设置有缓冲层110的第一基体基底101可以包括发射区域ea和透射区域ta。

像素电路层pcl、平坦化层160、像素电极pe、像素限定层180、发光层el和共电极ce可以设置在发射区域ea中。

像素电路层pcl可以包括第一晶体管tr1、第二晶体管tr2和存储电容器cst。第一晶体管tr1可以包括第一有源图案121、第一栅电极ge1、第一电极e11和第二电极e12。第二晶体管tr2可以包括第二有源图案122、第二栅电极ge2、第一电极e21和第二电极e22。存储电容器cst可以包括第一存储电极ste1和第二存储电极ste2。

如图4中所示，在发射区域ea中，第一有源图案121和第二有源图案122可以设置在缓冲层110上。例如，第一有源图案121和第二有源图案122可以由氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等形成。

在发射区域ea中，栅极绝缘层130可以设置在其上设置有第一有源图案121和第二有源图案122的缓冲层110上。栅极绝缘层130可以由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、氮碳化硅(sicxny)、氧化铝(alox)、氮化铝(alnx)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)、氧化钛(tiox)等形成。

在发射区域ea中，第一存储电极ste1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以利用第一栅极金属层形成并设置在栅极绝缘层130上。第一栅极金属层可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成，它们可以单独使用或者以任意合适的组合使用。

第一绝缘中间层140可以设置在第一基体基底101的发射区域ea中，所述第一基体基底101上设置有第一存储电极ste1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2。第一绝缘中间层140可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成，它们可以单独使用或者以任意合适的组合使用。

在发射区域ea中，第二存储电极ste2可以利用第二栅极金属层形成并且可以设置在第一绝缘中间层140上。

例如，第二栅极金属层可以由金(au)、银(ag)、铝(al)、铂(pt)、镍(ni)、钛(ti)、钯(pd)、镁(mg)、钙(ca)、锂(li)、铬(cr)、钽(ta)、钼(mo)、钪(sc)、钕(nd)、铱(ir)、铝合金、氮化铝(alnx)、银合金、钨(w)、氮化钨(wnx)、铜合金、钼合金、氮化钛(tinx)、氮化钽(tanx)、氧化锶钌(srruxoy)、氧化锌(znox)、氧化铟锡(ito)、氧化锡(snox)、氧化铟(inox)、氧化镓(gaox)、氧化铟锌(izo)等形成，它们可以单独使用或者以任意合适的组合使用。

在发射区域ea中，第二绝缘中间层150可以设置在其上设置有第二存储电极ste2的第一基体基底101上。第二绝缘中间层150可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成，它们可以单独使用或者以任意适当的组合使用。例如，第二绝缘中间层150可以包括由氧化硅(siox)形成的第一层151和由氮化硅(sinx)形成的第二层152。

在发射区域ea中，第一晶体管tr1的第一电极e11和第二电极e12以及第二晶体管tr2的第一电极e21和第二电极e22可以利用源极金属层形成，并且可以设置在第二绝缘中间层150上。源极金属层可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成，它们可以单独使用或者以任意适当的组合使用。

在发射区域ea中，平坦化层160可以设置在其上设置有第一电极e11和e21以及第二电极e12和e22的第一基体基底101上。暴露第一晶体管tr1的第一电极e11的通孔vh可以形成在平坦化层160中。

在发射区域ea中，有机发光二极管oled的像素电极pe可以通过通孔vh连接到第一晶体管tr1，并且可以设置在平坦化层160上。

像素电极pe可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成，它们可以单独使用或者以任意适当的组合使用。透明导电材料可以包括ito、izo和a-izo。例如，像素电极pe可以具有包括第一透明导电层171、金属层172和第二透明导电层173的多层结构。

在发射区域ea中，像素限定层180可以设置在其上设置有像素电极pe的第一基体基底101上。限定oled区域ela的开口可以形成在暴露像素电极pe的一部分的像素限定层180中。

发光层el可以设置在与开口对应的oled区域ela中。发光层el可以使用能够根据第一子像素至第三子像素产生不同颜色(例如，红色、蓝色和绿色)的光的至少一种发光材料形成。

虽然图中未示出，但是发光层el可以通过堆叠能够产生诸如红色、绿色、蓝色的不同颜色的光的多种发光材料来产生白色。当发光层el可以产生白色时，第二基底200可以包括分别与第一子像素至第三子像素对应的不同的滤色器。

在发射区域ea中，共电极ce可以设置在其上设置有发光层el的第一基体基底101上。共电极ce可以由透明导电材料形成。

透射窗tw(如图5中所示)可以由形成在透射区域ta中的暴露缓冲层110的一部分的开口部分限定。在第一基体基底101上，透射窗tw可以通过蚀刻形成在透射区域ta中的一个或更多个绝缘层来形成。快门单元sh可以设置在透射窗tw中。

快门单元sh可以包括第一快门电极she1、快门层shl和第二快门电极she2。当第一快门电极she1和第二快门电极she2接收相同的电压时，快门单元sh可以以透射光的透明模式驱动，当第一快门电极she1和第二快门电极she2接收不同的电压时，快门单元sh可以以阻挡光的不透明模式驱动。可选择地，当第一快门电极she1和第二快门电极she2接收不同的电压时，快门单元sh可以以透射光的透明模式驱动，当第一快门电极she1和第二快门电极she2接收相同的电压时，快门单元sh可以以阻挡光的不透明模式驱动。如图4中所示，在透射区域ta中，快门单元sh可以设置在第一基体基底101上的缓冲层110上。

透射区域ta中，第一快门电极she1可以设置在缓冲层110上。第一快门电极she1可以使用透明导电材料形成。例如，第一快门电极she1可以使用用于在发射区域ea中形成像素电极pe的第一透明导电层171形成。

快门层shl可以设置在第一快门电极she1上。快门层shl可以包括电致变色层、液晶层和电泳层中的一个。

在透射区域ta中，第二快门电极she2可以设置在其上设置有快门层shl的第一基体基底101上。第二快门电极she2可以从设置在发射区域ea中的共电极ce延伸并与共电极ce由同一层所形成。根据示例性实施例，共电极ce可以使用与用于形成第二快门电极she2的透明导电层相同的透明导电层形成。第一快门电极she1和第二快门电极she2可以使用相同的透明导电材料形成。

与第一基底100相对的第二基底200可以与第一基底100结合。第二基底200可以由透明材料形成。例如，第二基底200可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、碱石灰基底、无碱基底等。可选择地，第二基底200可以由诸如柔性透明树脂的柔性透明材料形成。例如，柔性透明树脂基底可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。

根据示例性实施例，在外部光的强度比户外环境中的外部光的强度低的室内环境中，显示设备可以以透明模式驱动，且透射区域ta可以透射外部光。因此，显示设备可以提高从发射区域ea发射的光的亮度。然而，在外部光的强度比室内环境中的外部光的强度高的户外环境中，显示设备可以以不透明模式驱动，且透射区域ta可以阻挡外部光。因此，显示设备可以防止从发射区域ea发射的光与外部光混合，因此可以提高可视性。

图5至图10是示出根据示例性实施例的制造第一基底的方法的剖视图。

参照图4和图5，第一基体基底101可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、碱石灰基底、无碱基底等。

可以在第一基体基底101上形成缓冲层110。缓冲层110可以防止金属原子和/或杂质扩散到第一基体基底101中。缓冲层110可以具有多层结构。例如，缓冲层110可以包括由氮化硅(sinx)形成的第一层111和由氧化硅(siox)形成的第二层112。

可以在缓冲层110上形成有源层。可以由氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等形成有源层。可以将有源层图案化以形成第一晶体管tr1的第一有源图案121和第二晶体管tr2的第二有源图案122。

可以在其上形成有第一有源图案121和第二有源图案122的第一基体基底101上设置栅极绝缘层130。可以由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、氮碳化硅(sicxny)、氧化铝(alox)、氮化铝(alnx)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)、氧化钛(tiox)等形成栅极绝缘层130。

可以在栅极绝缘层130上设置第一栅极金属层。可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第一栅极金属层。可以将第一栅极金属层图案化以形成第一栅极金属图案。第一栅极金属图案可以包括第一存储电极ste1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2。

可以在其上形成有第一存储电极ste1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2的第一基体基底101上设置第一绝缘中间层140。可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成第一绝缘中间层140，它们可以单独使用或者以任意合适的组合使用。

可以在第一绝缘中间层140上设置第二栅极金属层。可以将第二栅极金属层图案化以形成第二栅极金属图案。第二栅极金属图案可以包括第二存储电极ste2。

可以在其上形成有第二存储电极ste2的第一基体基底101上设置第二绝缘中间层150。第二绝缘中间层150可以包括由氧化硅(siox)形成的第一层151和由氮化硅(sinx)形成的第二层152。

在发射区域ea中，可以在第一基体基底101上形成多个接触孔，在透射区域ta中，可以在第一基体基底101上形成暴露缓冲层110的透射窗tw。

可以在第二绝缘中间层150上设置源极金属层。可以将源极金属层图案化以形成源极金属图案。源极金属图案可以包括第一晶体管tr1的第一电极e11和第二电极e12以及第二晶体管tr2的第一电极e21和第二电极e22。源极金属图案、第一栅极金属图案和第二栅极金属图案可以通过多个接触孔彼此连接。

可以在其上设置有第一电极e11和e21以及第二电极e12和e22的第一基体基底101上设置平坦化层160。可以由有机材料或无机材料形成平坦化层160。可以将平坦化层160图案化以在发射区域ea中形成暴露第一晶体管tr1的第一电极e11的通孔vh，并在透射区域ta中形成暴露缓冲层110的透射窗tw。

参照图4和图6，可以在其上形成有通孔vh和透射窗tw的第一基体基底101上设置像素电极层pel。可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成像素电极层pel，它们可以单独使用或以任意适当的组合使用。例如，像素电极层pel可以具有包括顺序堆叠的第一透明导电层171、金属层172和第二透明导电层173的多层结构。

可以在其上设置有像素电极层pel的第一基体基底101上设置光致抗蚀剂层。可以通过光刻工艺使用半色调掩模将光致抗蚀剂层图案化。因此，可以在发射区域ea中形成具有第一厚度t1的第一光致抗蚀剂图案pr1。可以在透射区域ta中形成具有比第一厚度t1薄的第二厚度t2的第二光致抗蚀剂图案pr2。可以在其中形成有像素电极pe的区域中设置第一光致抗蚀剂图案pr1，可以在其中形成有第一快门电极she1的区域中设置第二光致抗蚀剂图案pr2。

参照图4和图7，可以通过第一光致抗蚀剂图案pr1和第二光致抗蚀剂图案pr2将像素电极层pel图案化。可以在发射区域ea中形成像素电极pe，可以在透射区域ta中形成与快门单元sh的第一快门电极she1对应的电极图案ep。

参照图4和图8，可以利用氧等离子体通过灰化工艺将第一光致抗蚀剂图案pr1和第二光致抗蚀剂图案pr2去除预定的厚度。预定的厚度可以比第二厚度t2大且比第一厚度t1小。

在灰化工艺之后，在发射区域ea中可以保留具有第三厚度t3的第三光致抗蚀剂图案pr3，在透射区域ta中可以完全去除第二光致抗蚀剂图案pr2。

可以顺序地去除透射区域ta中的电极图案ep的第二透明导电层173和金属层172同时利用第三光致抗蚀剂图案pr3保留发射区域ea中的像素电极pe的第二透明导电层173和金属层172。可以保留第一透明导电层171以形成快门单元sh的第一快门电极she1。之后，在发射区域ea中，可以使用氧等离子体通过灰化工艺去除第三光致抗蚀剂图案pr3。

参照图4和图9，可以在发射区域ea中形成包括第一透明导电层171、金属层172和第二透明导电层173的像素电极pe。可以使用像素电极层pel的第一透明导电层171在与透射区域ta对应的透射窗tw中形成快门单元sh的第一快门电极she1。

可以在其上设置有像素电极pe和第一快门电极she1的第一基体基底101上形成像素限定层180。将像素限定层180图案化以形成暴露像素电极pe并限定oled区域ela的开口。

在oled区域ela中，可以在像素电极pe上形成发光层el。像素电极pe可以用作oled的阳极。可以使用能够根据第一子像素至第三子像素而产生不同颜色(例如，红色、蓝色和绿色)的光的至少一种发光材料形成发光层el。

参照图4和图10，在透射区域ta中，可以在第一快门电极she1上形成快门层shl。快门层shl可以包括能够根据电势差透射和阻挡光的材料(例如，电致变色材料、液晶和电泳材料)。

可以在透射区域ta中形成快门层shl，并且在其中形成有发光层el的发射区域ea中以及其中形成有快门层shl的透射区域ta中，可以在第一基体基底101上设置透明导电层190。

因此，透明导电层190在发射区域ea中可以用作有机发光二极管oled的阴极(在这里也被称为共电极ce)，并且在透射区域ta中可以用作快门单元sh的第二快门电极she2。

根据示例性实施例，第一基底100可以包括控制透射区域ta中的透射光的透射率的快门单元sh。可以使用用于形成有机发光二极管oled的共电极ce的透明导电层形成第二快门电极she2，快门单元sh的第二快门电极she2和有机发光二极管oled的共电极ce可以彼此连接。根据一个实施例，透射区域ta中的快门单元sh可以根据施加到第一快门电极she1的驱动电压以透明模式或不透明模式驱动。

图11是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图。

参照图1和图11，与第一基底100相比，第一基底100a包括快门单元sh的与有机发光二极管oled的共电极ce分离的第二快门电极she2。

根据示例性实施例，透射区域ta中的快门单元sh可以根据施加到第一快门电极she1和第二快门电极she2的驱动电压以透明模式或不透明模式驱动。例如，当相同的驱动电压被施加到第一快门电极she1和第二快门电极she2时，快门单元sh可以透射光，透射区域ta可以以透明模式驱动。然而，当不同的驱动电压被施加到第一快门电极she1和第二快门电极she2时，快门单元sh可以阻挡光，透射区域ta可以以不透明模式驱动。

与根据之前的示例性实施例的制造第一基底100的方法相比，制造第一基底100a的方法可以包括与参照图5至图10描述的工艺基本相似的工艺。在下文中，相同的附图标记将用于表示与在之前的示例性实施例中描述的部件相同或相似的部件，并且可以省略任意重复的详细说明。

参照图10和图11，可以在第一基体基底101上形成透明导电层190，其中，在第一基体基底101上，快门层shl形成在透射区域ta中，发光层el形成在发射区域ea中。

可以将透明导电层190图案化以在发射区域ea中形成有机发光二极管oled的共电极ce(例如，阴极)并在透射区域ta中形成快门单元sh的第二快门电极she2。有机发光二极管oled的共电极ce可以与快门单元sh的第二快门电极she2电气断开并间隔开。

根据示例性实施例，第一基底100a可以包括控制通过透射区域ta透射的光的快门单元sh。可以独立于有机发光二极管oled驱动快门单元sh。可以以透明模式和不透明模式驱动第一基底100a的透射区域ta。

图12是示出根据示例性实施例的显示设备的剖视图。

参照图1和图12，显示设备可以包括第一基底100b和第二基底200。在下文中，同样的附图标记将用于表示与在之前的示例性实施例中描述的部件相同或相似的部件，并且可以省略任意重复的详细说明。

第一基底100b可以包括第一基体基底101、缓冲层110、像素电路层pcl、平坦化层160、像素电极pe、像素限定层180、发光层el、共电极ce和快门单元sh。

第一基体基底101可以由透明材料形成。例如，第一基体基底101可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、碱石灰基底、无碱基底等。可选择地，第一基体基底101可以由诸如柔性透明树脂的柔性透明材料形成。

缓冲层110可以设置在第一基体基底101上。例如，缓冲层110可以包括由氮化硅(sinx)形成的第一层111和由氧化硅(siox)形成的第二层112。

其上设置有缓冲层110的第一基体基底101可以包括发射区域ea和透射区域ta。

像素电路层pcl、平坦化层160、像素电极pe、像素限定层180、发光层el和共电极ce可以设置在发射区域ea中。

像素电路层pcl可以包括第一晶体管tr1、第二晶体管tr2和存储电容器cst。第一晶体管tr1可以包括第一有源图案121、第一栅电极ge1、第一电极e11和第二电极e12。第二晶体管tr2可以包括第二有源图案122、第二栅电极ge2、第一电极e21和第二电极e22。存储电容器cst可以包括第一存储电极ste1和第二存储电极ste2。

在发射区域ea中，第一有源图案121和第二有源图案122可以形成在缓冲层110上。

在发射区域ea中，栅极绝缘层130可以设置在其上形成有第一有源图案121和第二有源图案122的缓冲层110上。

第一存储电极ste1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以使用第一栅极金属层形成，并在发射区域ea中设置在栅极绝缘层130上。

第一绝缘中间层140可以设置在其上设置有第一存储电极ste1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2的第一基体基底101的发射区域ea中。第一绝缘中间层140可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成，它们可以单独使用或者以任意合适的组合使用。

第二存储电极ste2可以使用第二栅极金属层形成，并且可以在发射区域ea中设置在第一绝缘中间层140上。

在发射区域ea中，第二绝缘中间层150可以设置在其上设置有第二存储电极ste2的第一基体基底101上。例如，第二绝缘中间层150可以包括由氧化硅(siox)形成的第一层151和由氮化硅(sinx)形成的第二层152。

第一晶体管tr1的第一电极e11和第二电极e12以及第二晶体管tr2的第一电极e21和第二电极e22可以利用源极金属层形成，并且在发射区域ea中可以设置在第二绝缘中间层150上。

在发射区域ea中，平坦化层160可以设置在其上设置有第一电极e11和e21以及第二电极e12和e22的第一基体基底101上。暴露第一晶体管tr1的第一电极e11的通孔vh可以形成在平坦化层160中。

有机发光二极管oled的像素电极pe可以通过通孔vh连接到第一晶体管tr1，并且在发射区域ea中可以设置在平坦化层160上。

像素电极pe可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成，它们可以单独使用或以任意适当的组合使用。

在发射区域ea中，像素限定层180可以设置在其上设置有像素电极pe的第一基体基底101上。限定oled区域ela的开口可以形成在像素限定层180中，并且开口可以暴露像素电极pe的一部分。

发光层el可以设置在与开口对应的oled区域ela中。

在发射区域ea中，共电极ce可以设置在其上设置有发光层el的第一基体基底101上。共电极ce可以由透明导电材料形成。

根据示例性实施例，共电极ce可以连接至快门单元sh的第一快门电极she1并且可以与第一快门电极she1使用相同的透明导电层形成。

透射窗tw可以由形成在透射区域ta中并暴露缓冲层110的一部分的开口部分限定。在透射区域ta中，透射窗tw可以通过蚀刻设置在第一基体基底101上的一个或更多个绝缘层来形成。快门单元sh可以形成在透射窗tw中。

如图12中所示，在第一基体基底101的透射区域ta中，快门单元sh可以设置在缓冲层110上。

在透射区域ta中，第一快门电极she1可以设置在缓冲层110上。

根据示例性实施例，第一快门电极she1可以从设置在发射区域ea中的共电极ce延伸，并且可以连接至共电极ce。

快门层shl可以设置在第一快门电极she1上。快门层shl可以包括电致变色层、液晶层和电泳层中的一个。

在透射区域ta中，第二快门电极she2可以设置在其上设置有快门层shl的第一基体基底101上。

与第一基底100b相对的第二基底200可以与第一基底100b结合。第二基底200可以由透明材料形成。

图13至图15是示出制造图12中示出的第一基底的方法的剖视图。

与根据之前的示例性实施例的制造第一基底100的方法相比，制造第一基底100b的方法可以包括与参照图5描述的工艺基本相似的工艺。在下文中，相同的附图标记将用于表示与在之前的示例性实施例中描述的部件相同或相似的部件，并且可以省略任意重复的详细说明。

参照图12和图13，可以将平坦化层160图案化以在发射区域ea中形成暴露第一晶体管tr1的第一电极e11的通孔vh，并且在透射区域ta中形成暴露缓冲层110的一部分的透射窗tw。之后，可以在其上图案化有平坦化层160的第一基体基底101上设置像素电极层pel(如图6中所示)。可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成像素电极层pel，它们可以单独使用或以任意适当的组合使用。例如，像素电极层pel可以具有包括顺序堆叠的第一透明导电层、金属层和第二透明导电层的多层结构。

可以将像素电极层pel图案化以在发射区域ea中形成像素电极pe。

可以在其上形成有像素电极pe的第一基体基底101上设置像素限定层180。将像素限定层180图案化以形成暴露像素电极pe的一部分并限定oled区域ela的开口。

在oled区域ela中，可以在像素电极pe上形成发光层el。可以使用能够根据第一子像素至第三子像素产生不同颜色(例如，红色、蓝色和绿色)的光的至少一种发光材料来形成发光层el。

因此，可以在第一基体基底101的透射区域ta中形成暴露缓冲层110并透射光的透射窗tw，并且可以在第一基体基底101的oled区域ela中的像素电极pe上形成发光层el。

可以在发射区域ea和透射区域ta中设置第一透明导电层190。

第一透明导电层190在发射区域ea中可以用作有机发光二极管oled的共电极ce(例如，阴极)，并且在透射区域ta中可以用作快门单元sh的第一快门电极she1。

参照图12和图14，在透射区域ta中，可以在第一快门电极she1上设置快门层shl。快门层shl可以包括可以根据电势差透射和阻挡光的材料(例如，电致变色材料、液晶和电泳材料)。

可以在其上形成有快门层shl的第一基体基底101上设置第二透明导电层191。

参照图12和图15，可以将第二透明导电层191图案化以在快门层shl上形成第二快门电极shle2。可以与第一透明导电层190的蚀刻不同地选择性地蚀刻第二透明导电层191。

根据示例性实施例，在透射区域ta中，第一基底100b可以包括控制透射光的透射率的快门单元sh。可以由用于形成有机发光二极管oled的共电极ce的透明导电层形成快门单元sh的第一快门电极she1，快门单元sh的第一快门电极she1和有机发光二极管oled的共电极ce可以彼此连接。根据一个实施例，可以根据施加到第二快门电极she2的驱动电压以透明模式或不透明模式驱动透射区域ta中的快门单元sh。

图16是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图。

与根据之前的示例性实施例的制造第一基底100b的方法相比，制造第一基底100c的方法可以包括与参照图14描述的工艺基本相似的工艺。在下文中，相同的附图标记将用于表示与在之前的示例性实施例中描述的部件相同或相似的部件，并且可以省略任意重复的详细说明。

参照图16，与图13中示出的第一基底100b相比，第一基底100c可以包括第一透明导电层190和第二透明导电层191。第一透明导电层190可以设置在发射区域ea和透射区域ta中。

第一透明导电层190可以被图案化以在发射区域ea中形成有机发光二极管oled的与发光层el叠置的共电极ce，并且在透射区域ta中形成快门单元sh的第一快门电极she1。

在透射区域ta中，快门层shl可以设置在第一快门电极she1上。快门层shl可以包括可以根据电势差透射和阻挡光的材料(例如，电致变色材料、液晶和电泳材料)。

第二透明导电层191可以设置为在发射区域ea中与共电极ce叠置，并且在透射区域ta中与快门层shl叠置。

第二透明导电层191可以直接接触有机发光二极管oled的共电极ce并且可以直接接触快门单元sh的快门层shl。

根据示例性实施例，快门单元sh的第二快门电极she2可以使用第二透明导电层191来形成并且可以直接接触有机发光二极管oled的共电极ce。根据一个实施例，在透射区域ta中，可以根据施加到第一快门电极she1的驱动电压以透明模式或不透明模式驱动快门单元sh。

图17是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图。

与根据之前的示例性实施例的制造第一基底100c的方法相比，制造第一基底100d的方法可以包括与参照图16描述的工艺基本相似的工艺。在下文中，相同的附图标记将用于表示与在之前的示例性实施例中描述的部件相同或相似的部件，并且可以省略任意重复的详细说明。

参照图17，与图16中示出的第一基底100c相比，第一基底100d可以包括第二透明导电层191。在透射区域ta中，第二透明导电层191可以设置在第一基体基底101上。

第二透明导电层191可以被图案化，以在发射区域ea中完全暴露共电极ce，并在透射区域ta中形成快门单元sh的第二快门电极she2。可以与第一透明导电层190的蚀刻不同地选择性地蚀刻第二透明导电层191。

根据示例性实施例，快门单元sh可以独立于有机发光二极管oled被驱动。第一基底100d的透射区域ta可以以透明模式和不透明模式驱动。

图18是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图。

与根据之前的示例性实施例的制造第一基底100c的方法相比，制造第一基底100e的方法可以包括与参照图16描述的工艺基本相似的工艺。在下文中，相同的附图标记将用于表示与在之前的示例性实施例中描述的部件相同或相似的部件，并且可以省略任意重复的详细说明。

参照图18，与图16中示出的第一基底100c相比，第一基底100e可以包括第二透明导电层191。在发射区域ea和透射区域ta中，第二透明导电层191可以设置在第一基体基底101上。

第二透明导电层191可以被图案化，以在发射区域ea中形成包括第一透明导电层190和第二透明导电层191的共电极ce，并在透射区域ta中形成接触快门层shl的第二快门电极she2。可以与第一透明导电层190的蚀刻不同地选择性地蚀刻第二透明导电层191。

根据示例性实施例，透射区域ta中的快门单元sh可以独立于发射区域ea中的有机发光二极管oled来驱动。第一基底100e的透射区域ta可以以透明模式和不透明模式驱动。

图19是示出根据示例性实施例的第一基底的剖视图。

参照图19，与根据之前的示例性实施例的制造第一基底100c的方法相比，制造第一基底100f的方法可以包括与参照图16描述的工艺基本相似的工艺。在下文中，相同的附图标记将用于表示与在之前的示例性实施例中描述的部件相同或相似的部件，并且可以省略任意重复的详细说明。

参照图19，与图16中示出的第一基底100c相比，第一基底100f可以包括第二透明导电层191。在发射区域ea和透射区域ta中，第二透明导电层191可以设置在第一基体基底101上。

第二透明导电层191可以被图案化，以在发射区域ea中暴露使用第一透明导电层190形成的共电极ce的一部分，并且在透射区域ta中形成接触快门层shl的第二快门电极she2。

根据示例性实施例，与图16中示出的第一基底100c和图17中示出的第一基底100d相比，第一基底100f可以包括有机发光二极管oled的可以使用单个透明导电层形成的共电极ce，从而提高透射性。

根据示例性实施例，透射区域ta中的快门单元sh可以独立于发射区域ea中的有机发光二极管oled来驱动。第一基底100f的透射区域ta可以以透明模式和不透明模式驱动。

图20是示出根据示例性实施例的显示设备的剖视图。

在下文中，相同的附图标记将用于表示与之前的示例性实施例中描述的部件相同或相似的部件，并且可以简化或省略任意重复的详细说明。

参照图20，显示设备2000可以包括显示面板500和快门膜600。

显示面板500可以包括第一基底300和第二基底400。

第一基底300可以包括第一基体基底101、缓冲层110、像素电路层pcl、平坦化层160、像素电极pe、像素限定层180、发光层el、共电极ce和快门单元sh。

第一基体基底101可以由透明材料形成。

缓冲层110可以设置在第一基体基底101上。例如，缓冲层110可以包括由氮化硅(sinx)形成的第一层111和由氧化硅(siox)形成的第二层112。

其上设置有缓冲层110的第一基体基底101可以包括发射区域ea和透射区域ta。

像素电路层pcl、平坦化层160、像素电极pe、像素限定层180、发光层el和共电极ce可以设置在发射区域ea中。

像素电路层pcl可以包括第一晶体管tr1、第二晶体管tr2和存储电容器cst。

像素电路层pcl可以包括设置在第一晶体管tr1、第二晶体管tr2和存储电容器cst之间的栅极绝缘层130、第一绝缘中间层140和第二绝缘中间层150。第二绝缘中间层150可以包括由氧化硅(siox)形成的第一层151和由氮化硅(sinx)形成的第二层152。

在发射区域ea中，有机发光二极管oled的像素电极pe可以通过通孔vh连接到第一晶体管tr1并可以设置在平坦化层160上。

像素电极pe可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成，它们可以单独使用或以任意适当的组合使用。透明导电材料可以包括ito、izo和a-izo。例如，像素电极pe可以具有包括第一透明导电层、金属层和第二透明导电层的多层结构。

发光层el可以设置在与像素限定层180的开口对应的oled区域ela中。

共电极ce可以设置在其上设置有发光层el的第一基体基底101的发射区域ea和透射区域ta上。

透射窗tw可以由暴露透射区域ta中的缓冲层110的一部分的开口部分限定。

与第一基底300相对的第二基底400可以与第一基底300结合。第二基底400可以由透明材料形成。

快门膜600可以附着到第一基底300。例如，快门膜600可以使用粘合构件附着到第一基体基底101的后表面。快门膜600可以包括柔性基底601、第一快门电极610、快门层620和第二快门电极630。

柔性基底601可以由诸如柔性透明树脂的柔性透明材料形成。柔性基底601可以由聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺或聚醚砜等形成。

第一快门电极610可以设置在柔性基底601上并由透明导电材料形成。透明导电材料可以包括氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)。

快门层620可以设置在第一快门电极610和第二快门电极630之间。快门层620可以包括电致发光层、液晶层和电泳层中的一种。

第二快门电极630可以设置在快门层620上并由透明导电材料形成。透明导电材料可以包括氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)。

当相同的电压被分别施加到第一快门电极610和第二快门电极630时，快门层620可以透射光，快门膜600以透明模式驱动。因此，外部光可以通过第一基底300的透射窗tw透射。然而，当不同的电压被分别施加到第一快门电极610和第二快门电极630时，快门层620可以阻挡光，快门膜600以不透明模式驱动。因此，外部光可以在第一基底300的透射窗tw中被阻挡。然而，快门膜600的驱动方法不限于此。例如，当不同的电压被分别施加到第一快门电极610和第二快门电极630时，快门单元sh可以以透明模式驱动，当相同的电压被分别施加到第一快门电极610和第二快门电极630时，快门单元sh可以以不透明模式驱动。

虽然图中未示出，但是，至少一层光学膜可以设置在显示面板500和快门膜600之间。

根据示例性实施例，在外部光的强度相对低的室内环境中，显示设备的透射区域ta可以以透明模式驱动，使得透射区域ta可以透射外部光，从而提高从发射区域ea发射的光的亮度。然而，在外部光的强度相对高的户外环境中，显示设备的透射区域ta可以以不透明模式驱动，使得透射区域ta可以阻挡外部光，从而防止外部光与从发射区域ea发射的光混合。通过基于环境条件控制快门膜600的外部光的受控的透射和阻挡可以改善显示在显示设备上的图像的可视性。

图21是示出图20中示出的显示设备的透视图。图22是示出图21中示出的显示设备的后视图。

参照图20至图22，显示设备2000可以包括显示面板500、快门膜600、印刷电路板700、第一柔性电路板810和第二柔性电路板830。

显示面板500可以包括第一基底300和第二基底400。第一基底300和第二基底400可以与之前的在图20中示出的示例性实施例中描述的第一基底和第二基底基本相同，并可以省略重复的详细说明。第一基底300可以包括第一表面f1和与第一表面f1相对的第二表面f2。

显示面板500可以包括面板驱动电路510以驱动显示面板500。例如，面板驱动电路510可以设置在第一基底300的第一表面f1上。面板驱动电路510被构造为产生多个驱动信号，以驱动显示面板500中的多个像素电路并向多个像素电路输出多个驱动信号。

快门膜600可以设置在第一基底300的第二表面f2上。快门膜600与在之前的图20中示出的示例性实施例中描述的快门膜基本相同，并可以省略重复的详细说明。

主驱动电路710可以安装在印刷电路板700上。主驱动电路710被构造为产生用于控制面板驱动电路510的多个控制信号以及用于驱动显示面板500的多个驱动电压。多个驱动电压可以包括驱动显示面板500的面板驱动电压以及驱动快门膜600的快门驱动电压。

第一柔性电路板810可以连接显示面板500和印刷电路板700。第一柔性电路板810可以包括折叠部分831。第一柔性电路板810被构造为将多个控制信号和从主驱动电路710产生的面板驱动电压传输至面板驱动电路510。面板驱动电压可以包括用于产生数据电压的模拟电源电压、用于驱动有机发光二极管oled的高电源电压和低电源电压。

第一柔性电路板810的一端部可以安装在第一基底300的第一表面f1上并电连接到面板驱动电路510。第一柔性电路板810可以包括第一区域a1、第二区域a2以及作为第一区域a1和第二区域a2之间的边界的折叠部分831。折叠部分831可以与显示面板500的边缘部分对应。

第一柔性电路板810可以在折叠部分831处或在折叠部分831的周围折叠。第一柔性电路板810的第一区域a1设置在第一基底300的第一表面f1上，第一柔性电路板810的第二区域a2设置在第一基底300的第二表面f2上。

第二柔性电路板830可以连接印刷电路板700和快门膜600。第二柔性电路板830被构造为将从主驱动电路710产生的快门驱动电压传输至快门膜600。快门驱动电压可以包括施加到第一快门电极的第一快门电压和施加到第二快门电极的第二快门电压。第一快门电压和第二快门电压在透明模式中可以彼此相同，在不透明模式中可以彼此不同。

通过第二柔性电路板830连接至印刷电路板700的快门膜600可以设置在第一基底300的第二表面f2上。根据示例性实施例，显示面板500和快门膜600可以共用其上安装有主驱动电路710的印刷电路板700，以简化显示设备的装配工艺。

图23是示出根据示例性实施例的显示设备的概念图。图24是示出图23中示出的显示设备的前视图。图25是示出图23中示出的显示设备的后视图。

参照图23，显示设备3000可以包括显示面板500、快门膜600、第一柔性电路板910和第二柔性电路板930。

显示面板500可以包括第一基底300和第二基底400。第一基底300和第二基底400可以与之前的在图20和图21中示出的示例性实施例中描述的第一基底和第二基底基本相同，并可以省略重复的详细描述。第一基底300可以包括第一表面f1和与第一表面f1相对的第二表面f2。

面板驱动电路510可以设置在第一基底300的第一表面f1上。面板驱动电路510被构造为产生多个驱动信号，以驱动显示面板500中的多个像素电路并向多个像素电路输出多个驱动信号。

快门膜600可以包括附着到第一基底300的第二表面f2的第三表面f3以及与第三表面f3相对的第四表面f4。快门膜600可以与之前的在图20和图21中示出的示例性实施例中描述的快门膜基本相同，并且可以省略重复的详细说明。

第一柔性电路板910可以安装在第一基底300的第一表面f1上，并且电连接到面板驱动电路510。第一柔性电路板910可以包括第一区域a1、第二区域a2以及作为第一区域a1和第二区域a2之间的边界的折叠部分913。折叠部分913可以与显示面板500的边缘部分对应。

第一柔性电路板910可以在折叠部分913处或折叠部分913的周围折叠。第一柔性电路板910的第一区域a1设置在第一基底300的第一表面f1上，第一柔性电路板910的第二区域a2设置在第一基底300的第二表面f2上。

主驱动电路911可以安装在第一柔性电路板910上。

主驱动电路911被构造为产生用于控制面板驱动电路510的多个控制信号以及用于驱动显示面板500的多个驱动电压。多个驱动电压可以包括驱动显示面板500的面板驱动电压以及驱动快门膜600的快门驱动电压。面板驱动电压可以包括用于产生数据电压的模拟电源电压、用于驱动有机发光二极管oled的高电源电压和低电源电压。快门驱动电压可以包括施加到第一快门电极的第一快门电压和施加到第二快门电极的第二快门电压。第一快门电压和第二快门电压在透明模式下可以彼此相同，在不透明模式下可以彼此不同。

第二柔性电路板930可以连接快门膜600和第一柔性电路板910。第二柔性电路板930的第一端部可以安装在第一柔性电路板910上，第二柔性电路板930的第二端部可以安装在快门膜600的第三表面f3和第四表面f4中的至少一个上。

第二柔性电路板930构造为将从主驱动电路911产生的快门驱动电压传输至快门膜600。

参照图24和图25，第一柔性电路板910的一端部安装在第一基底300的第一表面f1上，第一柔性电路板910能够在折叠部分913处折叠。因此，第一柔性电路板910的第一区域a1设置在第一基底300的第一表面f1上，第一柔性电路板910的第二区域a2设置在第一基底300的第二表面f2上。

作为通过第二柔性电路板930连接到第一柔性电路板910的快门膜600可以设置在第一基底300的第二表面f2上。

根据示例性实施例，显示面板500和快门膜600可以共用其上安装有主驱动电路911的第一柔性电路板910，以简化显示设备的装配工艺。

根据示例性实施例，在外部光的强度相对低的室内环境中，显示设备的透射区域可以以透明模式驱动，使得透射区域可以透射外部光，以提高从发射区域发射的光的亮度。然而，在外部光的强度相对高的户外环境中，显示设备的透射区域可以以不透明模式驱动，使得透射区域可以阻挡外部的光，以防止外部光与从发射区域发射的光混合，从而增大显示在显示设备上的图像的可视性。

本发明构思可以应用于显示装置和具有显示装置的电子装置。例如，本发明构思可以应用于计算机监视器、笔记本电脑、数码相机、蜂窝电话、智能电话、智能平板、电视、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、mp3播放器、导航系统、游戏控制台、视频电话等。

上述是发明构思的说明，并不应被解释为对发明构思的限制。尽管已经描述了发明构思的示例性实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离发明构思的新颖性教导和优点的情况下，可以在示例性实施例中进行许多变化和修改。因此，所有这样的修改意图包括在权利要求限定的发明构思的范围内。在权利要求中，方法加功能条款意图覆盖当执行所述功能时的在此描述的结构，并且不仅仅是结构等同物，还包括等同结构。因此，将理解的是，前述是发明构思的说明，并且不将被解释为限于公开的具体示例性实施例，并且对公开的示例性实施例以及其它示例性实施例的修改意图包括在权利要求的范围内。发明构思由权利要求限定，其中包括权利要求的等同物。