技术特征：
技术总结
一种有机薄膜晶体管元件及其制造方法，有机薄膜晶体管元件包括：基材、漏极、源极、阻障层、有机半导体层、栅介电层以与栅极。源极位于基材上，具有第一立壁。漏极位于基材上，具有面对第一立壁并且彼此隔离的第二立壁。阻障层位于第一立壁和第二立壁之间，且阻障层的顶面宽度，实质等于第一立壁和第二立壁间的距离。有机半导体层，覆盖于源极、漏极和阻障层上。栅介电层位于有机半导体层上。栅极位于栅介电层上，且藉由栅介电层与有机半导体层电性隔离。
技术研发人员：吴淑芬
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2017.11.20
技术公布日：2018.04.24