陶瓷电子部件及其制造方法与流程

本发明涉及陶瓷电子部件，特别是涉及在陶瓷坯体的表面形成有镀覆电极的陶瓷电子部件及其制造方法。
背景技术：
：以往，电子部件的外部电极的形成方法通常是在陶瓷坯体的两端面涂布电极膏，接着将电极膏烧结或热固化而形成基底电极后，在该基底电极上通过镀覆处理而形成镀覆电极。电极膏的涂布采用在以规定的厚度形成的膏膜浸渍电子部件的端部的方法、利用使用辊等的转印的方法。在这些技术中，由于涂布电极膏的关系，存在电极的厚度增加，相应地外形尺寸增大的课题。代替这样的使用电极膏的电极形成方法提出有采用以下方法：使内部电极的多个端部在陶瓷坯体的端面互相接近地露出，并且使被称为锚固接头的虚拟端子在与内部电极的端部相同的端面接近地露出，通过对陶瓷坯体进行非电解镀覆，将这些内部电极的端部与锚固接头作为核而使镀覆金属成长，从而形成外部电极的方法(专利文献1)。如果是该方法，仅以镀覆处理就能够形成外部电极。但是，在该方法中，作为用于使镀覆析出的核，需要使多个内部电极的端部与锚固接头在陶瓷坯体的端面接近地露出，因此具有制造工序复杂，成本上升这样的缺点。而且，由于只能在内部电极的端部露出的面形成外部电极，存在外部电极的形成部位受到制约的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004－40084号公报技术实现要素：本发明的目的是提供在陶瓷坯体表面的任意部位形成有镀覆电极的陶瓷电子部件及其制造方法。为了达成上述目的，本发明的第一方式是提供一种陶瓷电子部件，其特征在于，具备：含有金属氧化物的陶瓷坯体；形成于上述陶瓷坯体的表层部的、使上述金属氧化物的一部分熔融、凝固而成的重整层；以及，形成于上述重整层上的由镀覆金属构成的电极，其中，在上述重整层中偏析有构成上述金属氧化物的金属元素的至少一种。本发明的发明人使含有金属氧化物的陶瓷坯体的表层部局部性地熔融、凝固而形成重整层的结果，发现在该重整层偏析有构成金属氧化物的金属元素的至少一种。因金属元素偏析，提高镀覆的析出性。因此，如果将该陶瓷坯体进行镀覆处理，则在重整层上析出镀覆金属，以该析出的镀覆金属作为核而镀覆金属急速成长，从而能够形成镀覆电极。因此，不需要以往那样的导电膏的涂布、烧结这样的复杂的工序，电极的形成工序变得简单。进而，不需要像专利文献1那样使多个内部电极、锚固接头在陶瓷坯体的端面接近地露出，因此电极的形成部位没有制约，而且简化了制造工序，能够降低成本。在本发明中，“由镀覆金属构成的电极”不限于外部电极，可以是任意的电极。例如，可以是焊盘电极、浮点电极、线圈状电极、电路图案电极。进而，陶瓷电子部件不限于芯片部件，也可以是电路模块之类的复合部件，还可以是电路基板、多层基板。另外，本发明的“重整层”不需要层状地连续，可以多个部分独立地存在。陶瓷坯体为含有Cu的铁氧体时，可以形成为重整层中Cu偏析在上层部的构成。铁氧体是以Fe2O3为主体的氧化物，其中含有Cu的氧化物的情况下，通过熔融、凝固该铁氧体的表层部而进行重整时，Cu氧化物的一部分被还原而向重整层的上层部偏析。认为与Fe或其他金属相比，Cu具有良好的导电性，或者电位高，因而在重整层上容易析出镀覆金属。含有Cu的铁氧体的情况下，重整层可以是在上层部具有Cu的偏析层、在其下层部具有Cu没有偏析的未偏析层的结构。像上述那样Cu在重整层的上层部偏析时，在重整层的下层部Cu成分相对地减少，因此在该区域形成Cu的未偏析层。应予说明，Cu的未偏析层并不是指Cu成分成为零，而是指不发生Cu的偏析的层。在这种情况下，重整层的上层部的镀覆的析出性提高。陶瓷坯体为含有Cu的铁氧体的情况下，根据重整的程度，Cu的偏析状态发生变化。例如，重整的程度比较低时，Cu容易偏析成条状或柱状。此时，与偏析前相比，重整层的镀覆变得容易析出。进一步进行重整，则Cu的偏析形态变成网状。此时，重整层的镀覆的析出性进一步提高。陶瓷坯体为含有Cu、Zn、Ni的铁氧体的情况下，可以在重整层中避开Cu的偏析地存在Zn、Ni。如上所述，相对于Cu以条状或网状偏析，Zn、Ni不以条状或网状偏析，而是避开Cu的偏析部分而存在。因此，含有Cu、Zn、Ni的铁氧体的情况下，在金属元素中Cu部分与Zn、Ni部分可能以分离状态存在。本发明的第2方式是提供一种陶瓷电子部件，其中，具备：含有金属氧化物的陶瓷坯体；形成于上述陶瓷坯体的表层部的一部分的、使上述金属氧化物熔融、凝固而成的重整层；以及，形成于上述重整层上的由镀覆金属构成的电极，并且，上述重整层中构成上述金属氧化物的金属元素中的至少一种已被还原且镀覆析出性比非重整层高。例如，像Ni－Zn系铁氧体、Mn－Zn系铁氧体等的不含有或仅含有极微量的Cu的铁氧体的情况下，使表层部局部性地熔融、凝固而形成重整层的结果，在该重整层中Cu不偏析，但其他金属元素的至少一部分被还原而形成层。与非重整层相比，该重整层是镀覆析出性良好的层，所以通过镀覆处理，在该重整层上能够简单地形成镀覆电极。重整层的厚度优选为1μm以上。根据熔融、凝固的程度，重整层的厚度发生变化。重整层的厚度与电阻有相关关系，对镀覆的析出性造成影响。重整层的厚度小于1μm时，重整层的电阻不怎么降低，镀覆不析出，或者析出的特别少。与此相对，如果达到1μm以上，则电阻降低，能够有效地析出镀覆。本发明的一种方式是提供陶瓷电子部件的制造方法，其中，具备：准备含有金属氧化物的陶瓷坯体的工序；在上述陶瓷坯体的表层部的一部分使上述金属氧化物熔融、凝固而形成重整层的工序，该重整层中偏析有构成上述金属氧化物的金属元素的至少一种；以及，通过镀覆处理在上述重整层上形成电极的工序。通过该方法，能够容易地制造本发明的陶瓷电子部件。本发明的另一方式是提供陶瓷电子部件的制造方法，其中，具备：准备含有金属氧化物的陶瓷坯体的工序；在上述陶瓷坯体的表层部的一部分使上述金属氧化物熔融、凝固而形成重整层的工序，该重整层中构成上述金属氧化物的金属元素中的至少一种已被还原且上述重整层是镀覆析出性比非重整层高的层；以及，通过镀覆处理在上述重整层上形成电极的工序。形成重整层的工序可以通过利用激光照射、电子束照射或聚焦炉的局部加热而进行。由于这些方法不使用预先准备的掩模等就能够仅将陶瓷坯体的特定部位进行局部加热，因此生产率非常高。局部加热是仅加热陶瓷坯体的表层部而进行重整，因此不对作为电子部件的电特性带来实质性的影响。特别是激光照射在能够构成比较小型的装置的方面以及能够快速改变激光的照射位置的方面有利。激光可以使用YAG激光、YVO4激光等公知的激光。作为本发明中的镀覆处理的方法，可以使用电镀或非电解镀覆中的任一种方法。电镀的情况下，有容易控制膜厚的优点。本发明方法的特征之一是能够在任意部位容易地形成电极。例如，仅在陶瓷坯体的长度方向两端面和与这些两端面邻接的一个面(例如底面)形成重整层时，能够形成截面为L形的外部电极。也就是说，可以仅在两端面和底面形成外部电极，在上表面或宽度方向两侧面不形成电极。形成L形的外部电极的优点是能够维持固定强度的同时削减安装面积，能够高密度地安装本陶瓷电子部件以及能够抑制与邻接的其他电子部件的电气干扰。如上所述，根据本发明，在陶瓷坯体的表层部使金属氧化物的一部分熔融、凝固而形成重整层，该重整层具有构成金属氧化物的金属元素的至少一种偏析而成的构成，因此能够在重整层上析出镀覆金属。在本发明中，不需要复杂的工序，能够容易地形成镀覆电极。进而，只要是能够形成重整层的部位，则电极的形成部位不受制约。附图说明图1是作为本发明涉及的陶瓷电子部件的第1实施例的绕线型电感器的立体图。图2是图1所述的绕线型电感器的局部截面图。图3是表示对芯照射激光的方法的几个例子的图。图4是表示重整部和镀覆电极的形成工序的一个例子的截面图。图5是表示重整部和镀覆电极的形成工序的其他例子的截面图。图6是表示重整层的截面结构的一个例子的图。图7是简要地表示Ni－Cu－Zn系铁氧体、Ni－Zn系铁氧体、以及Mn－Zn系铁氧体中的重整层与镀覆层的结构的图。图8是示意性地表示Ni－Cu－Zn系铁氧体中的重整层的偏析状态的图。图9是试样1～4中的激光照射前后的sTEM图像和EDX图像。图10是试样5、6中的激光照射后的sTEM图像和EDX图像。图11是表示重整层的厚度与电阻率的关系的图。图12是表示Cu偏析层的厚度与电阻率的关系的图。图13表示相对于Ni－Cu－Zn系铁氧体的激光照射前后的金属元素的EDX定量分析结果。图14是作为本发明的第2实施例的2线(4端子)的共模扼流线圈的立体图。图15是作为本发明的第3实施例的3线(6端子)的线圈部件的立体图。图16是作为本发明的第4实施例的4线(8端子)的线圈部件的立体图。图17是表示作为本发明的第5实施例的层叠型电感器的一个例子的立体图。图18是表示作为本发明的第6实施例和第7实施例的层叠型电感器的其他例子的立体图。符号说明1电子部件(电感器)10陶瓷坯体(芯)11卷芯部12、13凸缘部12a底面12b侧面14重整层20电线21、22外部电极L激光具体实施方式图1表示作为本发明涉及的陶瓷电子部件的第一实施例的绕线型电感器1。应予说明，在图1中表示为电感器1的底面朝上。电感器1具备卷芯部11、形成于卷芯部11的两端部的具有凸缘部12、13的芯(陶瓷坯体)10、卷绕于卷芯部11的电线20、与电线20的两端部20a、20b电连接的外部电极21、22。应予说明，包括图1在内的附图全部是示意性的图，有时其尺寸、长宽比的缩小比例等与实际的制品不同。芯10例如由Ni－Cu－Zn系铁氧体、Ni－Zn系铁氧体或Mn－Zn系铁氧体等含有金属氧化物的烧结过的陶瓷材料构成。图2是图1所示的绕线型电感器1的局部放大截面图，是将芯10的一方的凸缘部12附近放大的截面图。应予说明，虽然省略了图示和说明，但是芯10的另一个凸缘部13附近也具有与图2相同的结构。如图2所示，在凸缘部12的表层部，从底面12a至侧面12b设有重整层14。在这里，底面12a是指将电感器1在电路基板进行表面安装时与电路基板对置的安装面，侧面12b是指与底面12a邻接且相对于底面12a大致垂直的外侧面。重整层14是使铁氧体所含的金属氧化物的一部分熔融、凝固而成的层，该重整层14上形成有由镀覆层构成的外部电极21。因此，外部电极21、22形成为截面呈L形。在图2中外部电极21由一层镀覆层形成，但是也可以由多层镀覆层形成。例如，也可以在重整层14上形成成为基底的镀覆层，在其上出于提高耐腐蚀性、焊料润湿性的目的而形成由其他金属构成的镀覆层。构成外部电极21的镀覆层的材料和层数是任意的。在该实施例中，电线20的两端部与凸缘部12、13的底面侧的外部电极21、22连接。应予说明，也可以将电线20的两端部连接于凸缘部12、13的侧面侧的外部电极21、22。连接方法为任意的方法，例如可以通过热压接而固定。如上所述，形成延伸于底面12a和侧面12b的L形的外部电极21，则对电路基板进行安装时焊料不仅附着于底面12a，而且还附着于侧面12b，能够形成圆角，因此从提高对电路基板的固定强度的方面是优选的。图1中，外部电极21、22形成于凸缘部12、13的底面和侧面的一部分，但也可以形成于底面和/或侧面的整面。尤其是通过应用本发明，能够将外部电极21、22选择性地形成于凸缘部12、13的底面和侧面的一部分。其原因是如后述的那样，能够在芯10的任意位置形成重整层14。图1只不过示出了外部电极21、22的单纯的一个例子，外部电极21、22的形状和形成面只要是能够形成重整层的部位，就能够任意地选择。因此，外部电极21、22的形状不限于L形，可以是任意形状。图3表示用于在芯10的表层部形成重整层的激光照射方法的几个例子。图3的(a)表示一边连续照射激光L一边沿着横向扫描的例子(或使芯10向横向移动的例子)。应予说明，扫描方向是任意的方向，可以是纵向，也可以是之字形或环形。通过激光L的照射，在芯10的表面形成多条线状的激光照射痕40，在该激光照射痕40的下侧形成重整层。应予说明，在图3的(a)中示出了将线状的激光照射痕40在纸面上下方向具有间隔地形成的例子，但是也可以使激光照射痕40彼此互相重叠地密集形成。图3的(b)表示点状地照射激光L的例子。在这种情况下，在芯10的表面分散形成大量点状的激光照射痕41。图3的(c)表示以虚线状照射激光L的例子。在这种情况下，在芯10的表面分散形成有大量虚线状的激光照射痕42。在任何情况下，均在激光照射痕41、42的下侧形成重整层。优选激光L在需要形成镀覆电极的区域均等地照射。图4示意性地表示重整层和镀覆电极(外部电极)的形成过程的一个例子。尤其表示在芯10表面隔开规定的间隔而线状地照射激光L的情况。图4的(A)表示首先在芯10的表面照射激光L，由此在表面形成了截面为V字形或U字形的激光照射痕40的状态。应予说明，图4的(A)中示出了激光L在1点上集光的例子，但是实际上照射激光L的点可以具有一定程度的面积。该激光照射痕40是因激光照射而芯10的表层部熔融、凝固的痕迹。由于点的中心部的能量最高，因此该部分容易变质，激光照射痕40的截面成为大致V字形或大致U字形。在包括激光照射痕40的内壁面的周围，构成芯10的陶瓷材料(铁氧体)变质，形成电阻值比该陶瓷材料低的重整层43。应予说明，重整层43的深度、幅度可以通过激光的照射能量、照射范围等来改变。图4的(B)表示通过重复激光照射而在芯10的表面隔开间隔D地形成多个激光照射痕40的状态。在该例中，由于激光照射的点中心的间隔D比重整层43的扩展宽度(或激光照射痕40的直径的平均值)W宽(D＞W)，因此在各激光照射痕40之间存在重整层43以外的绝缘区域44。该绝缘区域44是构成芯10的陶瓷材料不变质而露出的区域。在这种情况下，重整层43在纸面横向以分离状态形成。图4的(C)表示将通过如上所述的激光照射形成有重整部14的芯10浸渍于镀覆液而进行镀覆的初期的状态。由于具有低电阻值的重整层43中的电流密度比其他部分(绝缘区域44)高，因此仅在重整层43的表面析出镀覆金属45a，在绝缘区域44上未析出。也就是说，在该阶段，没有形成连续的镀覆电极(外部电极)45。图4的(D)表示进行镀覆的终期的状态。通过继续镀覆处理，在重整层43上析出的镀覆金属45a成为核而向周围成长，扩展至与重整层43邻接的绝缘区域44上为止。通过继续镀覆处理直至邻接的镀覆金属45a彼此连接，从而在芯10的表面能够形成连续的镀覆电极45。与照射激光的重整层43中的镀覆金属的成长速度相比，重整层43以外的区域的镀覆金属的成长速度慢，因此即使不严密控制镀覆处理时间，也可以使镀覆金属选择性地在重整层43成长。通过控制镀覆处理时间或电流，能够控制镀覆电极45的厚度。图5表示镀覆电极(外部电极)的形成过程的其他例子，尤其表示对芯10的表面密集地照射激光L的情况。“密集地照射”是指激光照射的点中心的间隔D与上述重整层43的扩展宽度W相等或比它窄(D≤W)，是指形成于邻接的激光照射痕40的下侧的重整层43彼此相互连接的状态(参照图5的(B))。因此，成为芯10的表面的电极形成区域的大致全部区域被重整层43所覆盖的结构。但是，不需要使全部的重整层43连接。在这种情况下，如图5的(C)所示，从镀覆处理开始在短时间内在低电阻部43的表面析出镀覆金属45a，但由于这些镀覆金属45a大致接近，因此相邻的镀覆金属45a彼此迅速地连接。因此，能够以比图4的情况更短的时间形成连续的镀覆电极45。如图5所示在芯10的表面密集地照射激光L时，激光照射痕40也密集地形成，因此形成有重整层43的表面部分成为被削的状态。在该被削的表面部分形成镀覆电极45，因此可以使镀覆电极45的表面的高度成为与没有形成重整层43的表面部分大致相同的高度或比它低。因此，可以与镀覆电极45本身的厚度薄的情况相辅而抑制外部电极45的突出量，能够实现进一步的小型化。图6表示重整层43的截面结构的一个例子。铁氧体所含的金属氧化物由于激光照射所带来的热而被分解，照射部的金属元素被还原而形成重整层43，但是有时在重整层43的表层，金属元素的一部分由于余热而再氧化，形成再氧化膜43b。形成了再氧化膜43b的情况下，还具有抑制存在于下层的还原层43a的再氧化的进行，抑制再氧化层43b本身的经时变化的效果。应予说明，再氧化层43b是一种半导体，比作为绝缘体的铁氧体的电阻值低，而且由于是极薄的膜，因此并不会成为后面实施的镀覆处理的障碍。应予说明，再氧化膜43b并不是必要构成，例如，也可以通过不在大气气氛中进行激光照射，而是在真空中、N2气氛中进行，从而抑制再氧化膜43b的形成。接下来，对作为芯10使用了Ni－Cu－Zn系铁氧体、Ni－Zn系铁氧体以及Mn－Zn系铁氧体时的重整层的结构进行说明。重整层可以通过如上所述对芯10的表面照射激光，使构成芯10的金属氧化物的表层部熔融、凝固而形成。例如Ni－Cu－Zn系铁氧体的情况下，作为金属氧化物含有Fe、Ni、Cu、Zn，在重整层中这些金属元素的一部分被还原的同时Cu偏析。图7示意性地表示Ni－Cu－Zn系铁氧体、Ni－Zn系铁氧体以及Mn－Zn系铁氧体中的重整层与镀覆层的结构。即，Ni－Cu－Zn系铁氧体的情况下，如图7的(a)所示，从表面至规定深度形成重整层，其下层是非重整层，也就是原来的金属氧化物本身的层。重整层与非重整层相比是镀覆析出性高的区域，因此通过进行镀覆处理，在其表面形成镀覆层。图8的(a)、(b)示意性地表示Ni－Cu－Zn系铁氧体中的重整层的偏析状态。图8的上缘是铁氧体的表面。Cu的偏析根据重整的程度而变化。照射比较低能量(例如140mJ/mm2)的激光时，如图8的(a)那样，Cu偏析成条状或柱状。另一方面，照射高能量(例如250mJ/mm2)的激光时，如图8的(b)那样，Cu偏析变成网状。应予说明，在图8中，Cu偏析表现为平面，但实际上是三维地呈现。随着激光的能量增大，重整层的厚度变厚。此时，Zn、Ni避开Cu的偏析而存在。也就是说，Zn、Ni填埋条状或网状的Cu偏析的间隙地存在。这样的条状或网状的Cu偏析具有良好的导电性或者电位高，因此提高镀覆的析出性。在Cu偏析层的下层部、也就是偏析层与非重整层之间生成Cu的非偏析层。该区域是Cu成分相对减少的区域，但存在Ni、Zn。Ni－Zn系铁氧体的情况下，如图7的(b)所示，从表面到规定深度形成重整层，在其下层存在非重整层，在这一点上与Ni－Cu－Zn系铁氧体相同。在Ni－Zn系铁氧体中，Cu成分为零或极微量，因此重整层主要由Ni、Zn构成。在这种情况下，重整层的镀覆析出性也比非重整层高，通过镀覆处理，在其表面形成镀覆层。Mn-Zn系铁氧体的情况下，如图7的(c)所示，从表面到规定深度形成重整层，在其下层存在非重整层。在这种情况下，重整层的镀覆析出性也比非重整层高，通过镀覆处理，在其表面形成镀覆层。-实验结果-接下来，表示使用多种铁氧体并且如表1所示改变激光条件的同时形成重整层时的实验结果。在表1中，间距是一边连续照射激光L一边直线状地进行多列扫描时，邻接的列的激光的照射间隔。试样1～4是使用了Ni-Cu-Zn系铁氧体的情况，试样5是使用了Ni-Zn系铁氧体的情况，试样6是使用了Mn-Zn系铁氧体的情况。使用YVO4激光，使激光能量在85～500mJ/mm2变化。【表1】对在上述条件下制成的重整层，在以下条件下实施了Ni电镀。具体而言，使用了滚镀。【表2】镀覆液瓦特浴电流[A]16温度[℃]60时间[min]120图9、图10表示上述试样1～6中的铁氧体的各组织的具体例。图9是表示试样1～4中的激光照射前后的sTEM图像与各金属元素的偏析状态的EDX图像。图10是试样5、6的激光照射后的sTEM图像与EDX图像。图9还表示了试样2的镀覆后的sTEM图像和EDX图像。由图9可知，在试样4(能量：85mJ/mm2)中，仅非常浅的区域被重整，也没有进行偏析。与此相对，在试样1～3(能量：140～500mJ/mm2)中，1μm以上的厚度被重整，可以确认Cu的条状或网状的明确的偏析。另外，对于Ni、Zn，确认到了避开Cu偏析而存在。另一方面，如图10所示，在试样5中Zn和Ni被重整，在试样6中Zn、Mn被重整。但是，并不是像Cu偏析那样成为条状或网状，而是确认到了重整的Zn和Ni、Zn和Mn在厚度方向以分散状态存在的样子。图11表示试样1～6中的重整层的厚度与电阻率的关系，图12表示试样1～4中的Cu偏析层的厚度与电阻率的关系。图中的编号表示各试样编号。应予说明，电阻率是使探测器与材料表面接触，利用静电计测定它们之间的电阻值，并换算成Ω·cm的值。由图11可知，试样4(能量：85mJ/mm2)中形成的重整层的厚度为0.5μm，电阻率为105Ω·cm，与此相对，其他试样(能量：140～500mJ/mm2)中形成的重整层的厚度为1μm以上，电阻率降低至102Ω·cm以下。应予说明，非重整层的电阻率为1012Ω·cm以上。由图12可知，在试样1～3中，Cu偏析层的厚度为0.5μm以上，与此相对，在试样4中，Cu偏析层的厚度约为0.3μm。其结果，如图11所示，在除了试样4的其他试样中，能够析出Ni镀覆。另一方面，在试样4中，重整层的厚度约为0.5μm，电阻率为105Ω·cm，因此不能析出Ni镀覆。由以上的结果可知，如果重整层的厚度为1μm以上，则能够形成Ni镀覆。应予说明，可以推定Ni以外，使用了Cu、Sn、Au、Ag、Pd等其他金属的镀覆中也能够得到相同的结果。图13表示对Ni－Cu－Zn系铁氧体照射激光(能量：140mJ/mm2)之前和照射之后的金属元素的EDX定量分析结果。(a)表示照射前、(b)表示照射后的某纵截面的金属元素的成分比。如(a)所示，可知在激光照射前，Fe、Ni、Cu、Zn大致以一定的比率在厚度方向分布。与此相对，在激光照射后，如(b)所示，从表面至约1μm的深度为止被重整，各金属元素的成分比发生变化。特别是在重整层中，由于偏析的影响而Cu的成分比大幅变化。Cu的峰部分表示Cu偏析部分，在该部分中Fe、Ni、Zn的各成分比降低。应予说明，在深度1μm附近存在Cu成分比降低的区域，该部分是Cu的非偏析层。图14表示作为本发明的第2实施例的2线(4端子)的共模扼流线圈50的一个例子。图14将线圈部件50上下颠倒而表示。在该线圈部件50中，铁氧体芯(陶瓷坯体)51的中央部具有卷芯部52，在轴向两端部具有一对凸缘部53、54。卷芯部52卷绕有多根电线。在卷芯部52，例如可以将2根电线(未图示)并列地卷绕。从凸缘部53、54的底面至外侧面，分别形成有2个(合计4个)外部电极55～58。2根电线的一端部可以连接固定在一端侧凸缘部53的外部电极55、56上，电线的另一端部可以连接固定在另一端侧凸缘部54的外部电极57、58上。在该实施例的情况下，也与图2同样地，从凸缘部53、54的底面侧至外侧面侧形成有重整层(未图示)，在其上通过镀覆处理形成有外部电极55～58。应予说明，在图14中，凸缘部53、54的底面侧平坦地形成，但也可以仅在形成有外部电极55～58的部位凸状地形成。也就是说，可以在外部电极55与56之间、57与58之间形成凹部。而且，不限于外部电极55～58沿着凸缘部53、54的两侧缘形成，也可以比两侧缘靠近内侧的部位形成。在任何情况下，可以根据重整层的形成位置而自由地设定外部电极55～58的位置。图15表示作为本发明的第3实施例的3线(6端子)的线圈部件60，图16表示作为本发明的第4实施例的4线(8端子)的线圈部件70的一个例子。在任一图中均是将线圈部件60、70上下颠倒而表示。与图14共通的部分标注相同符号而省略重复说明。在3线的线圈部件60中，从凸缘部53、54的底面至外侧面，分别有3个(合计6个)外部电极61～66通过镀覆处理而形成。3根电线(未图示)的一端部连接固定在一方的凸缘部53的外部电极61～63，电线的另一端部连接固定在另一方的凸缘部54的外部电极64～66。4线的线圈部件70的情况也同样，从凸缘部53、54的底面侧至外侧面侧，分别有4个(合计8个)外部电极71～78通过镀覆处理而形成。4根电线(未图示)的一端部连接固定在一端侧凸缘部53的外部电极71～74，电线的另一端部连接固定在另一端侧凸缘部54的外部电极75～78。外部电极61～66、71～78的下层侧，也就是凸缘部53、54的表层部形成有重整层(未图示)。图17表示将本发明应用于层叠型电感器80的一个例子。应予说明，图17是上下颠倒地表示而使底面侧朝上。另外，内部电极也透视表示。该电感器80的陶瓷坯体81是通过将多个绝缘体层按上下方向层叠并进行烧结而得到的。除了上下两端的绝缘体层以外的中间的绝缘体层上分别形成有构成内部电极的线圈导体82～84。这些3个线圈导体82～84通过导孔导体85、86而相互连接，整体形成为螺旋状。线圈导体84的一端部(引出部)84a在陶瓷坯体81的一端面81a露出，线圈导体82的一端部(引出部)82a在陶瓷坯体81的另一端面81b露出。应予说明，在该实施例中，示出了线圈导体82～84形成2匝的量的线圈的例子，但匝数是任意的数，线圈导体的形状和绝缘体层的层数也可以任意选择。外部电极87、88分别形成为截面呈L形。即，外部电极87覆盖陶瓷坯体81的一端面81a与底面(安装面)81c的一部分地形成为L形，外部电极88覆盖陶瓷坯体81的另一端面81b与底面81c的一部分地形成为L形。外部电极87与线圈导体84的引出部84a连接，外部电极88与线圈导体82的引出部82a连接。这些外部电极87、88也通过镀覆处理而形成，外部电极87、88的下层侧，也就是陶瓷坯体81的表层部形成有重整层(未图示)。应予说明，构成外部电极87、88的镀覆层不限于1层，可以由多层的镀覆层构成。外部电极87、88的形状不限于L形。在图17中，外部电极87、88遍及宽度方向的整个宽度而形成，但也可以形成于宽度方向的中间部。而且，形成于两端面81a、81b的外部电极87、88的部分也可以不需要在高度方向扩展至整体，而是形成于高度方向的一部分。通过变更重整层的形成部位，还可以任意变更外部电极87、88的形状。图18表示将本发明应用于层叠型电感器90的其他例子。图18的(a)表示在陶瓷坯体91的底面91a(在图18中将上下颠倒表示)的两端部形成有外部电极92、93的电子部件90。在另一面没有形成外部电极。在这种情况下，内部电极的端部94、95没有漏出在陶瓷坯体91的两端面91b、91c，仅在底面91a露出。在陶瓷坯体91的底面91a，形成有分别与内部电极的端部94、95连接的外部电极92、93。在该电感器90的情况下，与图17的电感器不同，多个绝缘体层横向层叠，作为内部电极的线圈导体的轴线也朝向横向。应予说明，外部电极92、93的下层侧形成有重整层(未图示)，在其上通过镀覆处理形成有外部电极92、93。图18的(b)表示多端子型的电子部件100。在该例子中，内部电极的4个引出部102～105在陶瓷坯体101的底面101a的4处露出，通过镀覆处理形成4个外部电极106～109来覆盖该露出部。在底面以外的面未形成外部电极。在外部电极106～109的下层侧形成有重整层(未图示)。在上述实施例中示出了将本发明适用于电感器的外部电极的形成的例子，但不限于此。作为本发明中作为对象的电子部件，不限于电感器，只要是使用了通过熔融、凝固而形成重整层且在该重整层中偏析有构成金属氧化物的金属元素的至少一种的陶瓷坯体的电子部件即可适用。即，陶瓷坯体的材质不限于铁氧体。在上述实施例中，作为陶瓷坯体的熔融、凝固的方法，使用了激光照射，但也可以应用电子束的照射、使用了聚焦炉的加热等。这些情况下，均可以将热源的能量进行集光而局部加热陶瓷坯体，因此不会损坏其他区域的电特性。为了形成重整层而使用了激光的情况下，可以将1束激光进行分光而对多个部分同时照射激光。而且，可以通过使激光的焦点偏离而较之对齐激光的焦点的情况，将激光的照射范围进行扩大。本发明不限于形成于陶瓷坯体的表层部的所有电极仅由镀覆电极构成的情况。也就是说，也可以应用于电极由多种材料形成的情况。例如，也可以在陶瓷表面的一部分利用导电膏、溅射、蒸镀等而形成基底电极，在与其邻接的部位形成重整层，在该重整层与基底电极上连续地形成镀覆电极。此外，重整层的应用部位可以任意选择。当前第1页1 2 3