一种长爬电光电耦合器的制备工艺的制作方法

技术特征：

1.一种长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于包括下列步骤：

(1)制作预置外壳，将长爬电光电耦合器的引线框架放入制备模具，向模具内挤压填充树脂胶，进行外壳预制备，形成含有发射及接收芯片放置入口的预置外壳，预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域；

(2)固晶，在预留区域的引线框架上点上导电银胶，然后在导电银胶上放置发射及接收芯片；

(3)第一次高温烘烤固化，使导电银胶将芯片粘结固化在引线框架上；

(4)焊线，将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接；

(5)点胶，在发射及接收芯片区域点胶，利用硅胶的流动性及聚变性，将发射及接收芯片完全包裹保护起来；

(6)第二次高温烘烤，将硅胶进一步固化；

(7)白胶点胶，使用液态白色环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充；

(8)丝印刮平，对产品表面白胶进行丝印刮平；

(9)第三次高温烘烤固化，使制备的环氧树脂彻底固化；

(10)对金属引脚镀锡保护；

(11)最后对产品引脚进行弯折成型。

2.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：在步骤(11)对产品引脚进行弯折成型后还包括对产品进行性能测试。

3.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(3)中第一次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤2～3个小时。

4.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(4)中将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接采用的焊接方式是使用合金线并利用超声波将焊点与引线框架焊接。

5.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(5)中在发射及接收芯片区域点胶的方式采用针筒气压挤出方式将硅胶点至发射及接收芯片所在区域。

6.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(6)中第二次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤3～4个小时。

7.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(9)中第三次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤8～9小时。

8.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(7)中使用环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充采用的是将液态白色环氧树脂胶通过针筒气压挤出方式，将外壳内预留区域完全填充。

9.如权利要求1所述的长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于：步骤(10)中对金属引脚镀锡保护采用锡金属块，通过电解置换反应，使锡层均匀稳定的结合在金属引脚表面，镀锡层厚度为2～3微米。