一种长爬电光电耦合器的制备工艺的制作方法

文档序号:14681618发布日期:2018-06-12 22:21阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种长爬电光电耦合器的制备工艺,包括下列步骤:将引线框架放入制备模具,向模具内挤压填充树脂胶,进行外壳预制备,形成预置外壳,预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域;在预留区域上点上导电银胶,然后放置发射及接收芯片,进行第一次高温烘烤固化;将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接;在发射及接收芯片区域点胶,并第二次高温烘烤;使用环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充,进行第三次高温烘烤固化;对金属引脚镀锡保护;产品引脚进行弯折成型。本发明在引线框架外设置预制备外壳,再使用硅胶进行内部填充绝缘保护,杜绝内部绝缘材质产生气孔现象,有效提高产品耐压安全可靠性。

技术研发人员:黄伟鹏
受保护的技术使用者:珠海市大鹏电子科技有限公司
技术研发日:2017.12.22
技术公布日:2018.06.12

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