一种长爬电光电耦合器的制备工艺的制作方法

本发明涉及光电耦合器技术领域，具体涉及一种长爬电光电耦合器的制备工艺。

背景技术：

长爬电光电耦合器属于安全器件，内部空间中高低压功能区≥0.4mm的绝缘间隙使用高耐压绝缘材质填充，以提供良好的耐压绝缘性能，长爬电结构的设计理念就是加大内部绝缘距离，传统制备式长爬电光电耦合器因制备过程的耐压材质与模具填充存在气孔问题无法杜绝，导致产品内部实际的耐压绝缘距离无法保证，气孔问题会造成高低压功能区耐压材质厚度不足，产品的安全性能存在隐患。

技术实现要素：

基于现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种长爬电光电耦合器的制备工艺，通过该制备工艺制备的长爬电光电耦合器解决了产品内部气孔问题，使产品的性能更加优良，耐压安全可靠性更强。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于包括下列步骤：

(1)制作预置外壳，将长爬电光电耦合器的引线框架放入制备模具，向模具内挤压填充树脂胶，进行外壳预制备，形成含有发射及接收芯片放置入口的预置外壳，预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域；

(2)固晶，在预留区域的引线框架上点上导电银胶，然后在导电银胶上放置发射及接收芯片；

(3)第一次高温烘烤固化，使导电银胶将芯片粘结固化在引线框架上；

(4)焊线，将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接；

(5)点胶，在发射及接收芯片区域点胶，利用硅胶7的流动性及聚变性，将发射及接收芯片完全包裹保护起来；

(6)第二次高温烘烤，将硅胶进一步固化；

(7)白胶点胶，使用液态白色环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充；

(8)丝印刮平，对产品表面白胶进行丝印刮平；

(9)第三次高温烘烤固化，使制备的环氧树脂彻底固化；

(10)对金属引脚镀锡保护；

(11)最后对产品引脚进行弯折成型。

进一步的，在步骤(11)对产品引脚进行弯折成型后还包括对产品进行性能测试。

进一步的，步骤(3)中第一次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤2～3个小时。

进一步的，步骤(4)中将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接采用的焊接方式是使用合金线并利用超声波将焊点与引线框架焊接。

进一步的，步骤(5)中在发射及接收芯片区域点胶的方式采用针筒气压挤出方式将硅胶点至发射及接收芯片所在区域。

进一步的，步骤(6)中第二次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤3～4个小时。

进一步的，步骤(9)中第三次高温烘烤固化是在160℃～180℃恒温烘烤箱中烘烤8～9小时。

进一步的，步骤(7)中使用环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充采用的是将液态白色环氧树脂胶通过针筒气压挤出方式，将外壳内预留区域完全填充。

进一步的，步骤(10)中对金属引线镀锡保护采用锡金属块，通过电解置换反应，使锡层均匀稳定的结合在金属引脚表面，镀锡层厚度为2～3微米。

本发明的有益效果为：先在引线框架外设置预制备外壳，再使用高耐压性能、流动性强的硅胶进行内部填充绝缘保护，利用硅胶不易生成气泡的特性，杜绝内部绝缘材质产生气孔现象，有效提高产品耐压安全可靠性，同时使用硅胶作为光传播介质，可有效解决长爬电光耦设计发射芯片与接收芯片不对应而造成转换效率过低的问题。

附图说明

图1为本发明工艺流程图；

图2为本发明预置外壳结构示意图；

图3为本发明固晶结构示意图；

图4为本发明焊线结构示意图；

图5为本发明点胶结构示意图；

图6为本发明白胶点胶形成完整外壳结构示意图；

图7为本发明折脚结构示意图。

实施方式

以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。

如图1所示，一种长爬电光电耦合器的制备工艺，其特征在于包括下列步骤：

(1)制作预置外壳，如图2所示，使用高精度制备模具，挤压填充高耐压强度环氧树脂胶，对引线框架1所有产品进行单颗产品外壳预制备；形成含有发射及接收芯片放置入口的预置外壳2，预置外壳2内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域3；

(2)固晶，如图3所示，使用高精度固晶作业机台，分别于引线框架1上单颗产品外壳内预留区域3将发射及接收芯片固定位置点上导电银胶4，然后放置发射及接收芯片5；

(3)第一次高温烘烤固化，采用恒温固化烤箱，160℃～180℃烘烤2～3小时，使导电银胶4将芯片粘结固化在引线框架1上；

(4)焊线，如图4所示，使用高精度焊线作业设备，将发射及接收芯片焊点及引线框架二焊点，使用高纯度合金线6利用超声波键合方式连接导通；

(5)点胶，如图5所示，使用高精度点胶作业设备，利用针筒气压挤出方式，将硅胶7点至发射及接收芯片区域，利用环氧树脂硅胶的流动性及聚变性，将发射及接收芯片完全包裹保护住，起到耐压绝缘并作为光传播介质；

(6)第二次高温烘烤固化，采用可程式恒温固化烤箱，160℃～180℃烘烤3～4小时，使硅胶7固化，达到良好的形态及应力缓冲效果；(7)白胶点胶，如图6所示，采用高精度点胶作业设备，将液态白色环氧树脂胶通过针筒气压挤出方式，将外壳内预留区域完全填充，形成完整外壳8，环氧树脂起到遮光耐压绝缘性能；

(8)丝印刮平：将已点白胶产品，使用高精度设备，设计专用压板，将产品固定于平台后，对产品表面白胶进行丝印刮平操作，刮平后形成产品上表面的平整形态，并达成产品整体结构的设计；

(9)进行第三次高温烘烤固化，采用恒温固化烤箱，160℃～180℃烘烤8～9小时，使制备的环氧树脂彻底固化；

(10)镀锡作业，对胶体外部露出的金属引脚进行镀锡保护作业，使用硫酸亚锡，高纯度锡金属块，通过电解置换反应，使锡层均匀稳定的结合在金属引脚表面上，镀锡层厚度下限控制在2微米；

(11)弯折成型，如图7示，使用高精度弯折成型模具，将产品从引线框架上切除下来，并保持单个状态，再进行金属引脚9弯折成型，引脚弯折后宽度系数为10.2±0.3mm；

(12)性能测试，对单颗产品进行100％测试，耐压测试5000V、1S，电性能测试针对顺向电压、漏电、压降、崩溃电压、反应上升下降时间、电流转换比等参数进行测试；

经过测试，通过本制备工艺制成的长爬电光电耦合器的各项性能指标均高于通过普通工艺制成的产品。

需要说明的是，以上所述只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，都应属于本发明的保护范围。