1.一种MOM电容，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的屏蔽层，所述屏蔽层为整层结构；
位于所述屏蔽层背离所述衬底一侧交叉层叠的多层金属层和多层氧化层；每层所述金属层均包括多个相互交叉的第一叉指结构和第二叉指结构；多层所述金属层中的第一叉指结构电性相连作为所述MOM电容的第一电极，多层所述金属层中的第二叉指结构电性相连作为所述MOM电容的第二电极；
多层所述金属层中最靠近所述屏蔽层的金属层中的第一叉指结构与所述屏蔽层短接；多层所述金属层中最靠近所述屏蔽层的金属层中的第二叉指结构与所述屏蔽层之间绝缘。
2.根据权利要求1所述的MOM电容，其特征在于，所述多层金属层在所述衬底所在平面上的投影位于所述屏蔽层在所述衬底所在平面上的投影内。
3.根据权利要求2所述的MOM电容，其特征在于，所述屏蔽层为多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的MOM电容，其特征在于，所述多晶硅层为金属硅化多晶硅层。
5.根据权利要求2所述的MOM电容，其特征在于，所述屏蔽层为金属层。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的MOM电容，其特征在于，所述屏蔽层在所述衬底所在平面上的投影的边缘比所述多层金属层在所述衬底所在平面上的投影的边缘外扩至少2微米。
7.根据权利要求6所述的MOM电容，其特征在于，所述屏蔽层在所述衬底所在平面上的投影的边缘比所述多层金属层在所述衬底所在平面上的投影的边缘外扩2微米。
8.一种集成电路，其特征在于，包括：权利要求1-7任意一项所述的MOM电容。
9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路为电荷泵。
10.根据权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述电荷泵为交叉耦合电荷泵。